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    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
    1.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2015189056A3

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：PCT/EP2015062009

    申请日：2015-05-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KOPP FABIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  MUERMANN BJÖRN

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/42

    CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62

    Abstract: Disclosed is an optoelectronic semiconductor component (1) comprising a semiconductor body (2) that has a sequence of semiconductor layers including an active region (20) provided for generating radiation, a semiconductor layer (21) and another semiconductor layer (22); the active region is located between the semiconductor layer and the other semiconductor layer; a current spreading layer is disposed on a radiation exit surface (210) of the semiconductor body; the current spreading layer is connected in an electrically conducting manner to a contact structure (4) for electrically contacting the semiconductor layer externally; from a bird's eye view of the semiconductor component, the current spreading layer borders the semiconductor layer in a connecting region (30); and the current spreading layer has a structure (31) that includes a plurality of recesses (35) through which radiation exits the semiconductor component during operation.

    Abstract translation: 它是与具有与所提供的用于产生辐射激活区（20），半导体层（21）和另外的半导体层（22）的半导体层序列的半导体主体（2）的光电子半导体器件（1），设置有活性 所述半导体层和所述另外的半导体层之间的区域布置; 在半导体本体的电流扩展层的辐射出射表面（210）; 电流扩展层导电地连接到接触结构（4）连接到所述半导体层的外部电接触; 电流扩展层是在半导体层和所述电流扩展层上的连接区域（30）的半导体装置的平面图相邻具有多个凹部（35），通过该操作期间离开从半导体器件辐射的结构（31）。

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
    3.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
    光电子半导体元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2017036841A8

    公开(公告)日：2017-04-27

    申请号：PCT/EP2016069813

    申请日：2016-08-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  HÖPPEL LUTZ ,  LEIRER CHRISTIAN

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/642

    Abstract: Disclosed is an optoelectronic semiconductor component (100), comprising a semiconductor body (1), which has a semiconductor layer sequence (2), a carrier (10), which has a plastic and a first through-contact (11) and a second through-contact (12), a p-contact layer (6) and an n-contact layer (8, 8A), at least some regions of which are arranged between the carrier (10) and the semiconductor body (1), a metal reinforcing layer (14), at least some regions of which are arranged between the n-contact layer (8, 8A) and the carrier (10), wherein the metal reinforcing layer (14) is at least 5 μm thick, and at least one p-contact hole (7) which is arranged between the first through-contact (11) and the p-contact layer (6), wherein the p-contact hole (7) is at least 5 μm thick and at least some regions of said hole are surrounded by the reinforcing layer (14). Furthermore, an advantageous method for producing such an optoelectronic semiconductor component (100) is disclosed.

    Abstract translation: 提供了一种包括具有半导体层序列的半导体主体（1）（2），载体（10），其具有塑料和通过（11）的第一和经由第二的光电子半导体器件（100）（12） 一个p型接触层（6），并且至少在所述载体（10）和半导体主体之间的区域（1）被布置成一个n型接触层（8，8A），金属加强层（14），其至少在n之间的区域 接触层（8，8A）和所述支撑件（10）布置，其中所述金属加强层（14）为至少5微米厚和至少一个p型接触衬套（7），设置在所述第一之间通过（11）和p 设置接触层（6），其中p接触衬套（7）至少5微米厚并且在横向方向上至少部分地被增强层（14）围绕。 此外，给出了用于制造这种光电子半导体部件（100）的有利方法。

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODIES HAVING A REFLECTIVE LAYER SYSTEM
    4.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODIES HAVING A REFLECTIVE LAYER SYSTEM 审中-公开
    具有反射层体系光电子半导体本体

    公开(公告)号：WO2010125028A2

    公开(公告)日：2010-11-04

    申请号：PCT/EP2010055546

    申请日：2010-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WALTER ROBERT ,  GROLIER VINCENT ,  SCHMAL MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  EBERHARD FRANZ

    Inventor： WALTER ROBERT ,  GROLIER VINCENT ,  SCHMAL MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  EBERHARD FRANZ

    IPC: H01L31/0232

    CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/46 ,  H01S5/18369

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor body (1) having an active semiconductor layer sequence (10) and a reflective layer system (20). The reflective layer system (20) is provided with a first radiation-permeable layer (21) abutting the semiconductor layer sequence (10), and with a metal layer (23) on the side of the first radiation-permeable layer (21) facing away from the semiconductor layer sequence (10). The first radiation-permeable layer (21) includes a first dielectric material. Between the first radiation-permeable layer (21) and the metal layer (23), a second radiation-permeable layer (22) is arranged containing an adhesion-improving material. The metal layer (23) is applied directly on the adhesion-improving material. The adhesion-improving material differs from the first dielectric material and is selected such that the adhesion on the metal layer (23) is improved over the adhesion on the first dielectric material.

    Abstract translation: 提供了一种具有有源半导体层序列（10）和反射层系统（20）的光电子半导体本体（1）。 反射层系统（20）具有与半导体层序列（10）相邻的第一辐射透射层（21）和金属层（23），该半导体层序列的（10）从所述第一辐射透射层（21）背向侧。 第一辐射透射层（21）包含第一介电材料。 第一辐射透射层（21）和金属层（23）之间布置含粘接性提高材料的第二辐射透射层（22）。 所述金属层（23）被直接施加到附着改进的材料。 所述粘合促进材料是从所述第一电介质材料不同，并且被选择为使得所述金属层（23）的附着力相比，粘附到所述第一介电材料的改善。

    Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung
    5.
    发明专利
    Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung 未知

    公开(公告)号：DE102017113407A1

    公开(公告)日：2018-12-20

    申请号：DE102017113407

    申请日：2017-06-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/38

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben:- einem Halbleiterkörper (1) umfassend:- eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktive Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,- einer Strahlungsaustrittsfläche, von der die im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird,- einer rückseitigen Hauptfläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei- ein Mehrschichtenstapel (7) mit einer Barriereschicht (4, 4', 4") und einer Lotschicht (6) auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist,- die Barriereschicht (4) zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) und der Lotschicht (6) angeordnet ist, und- die Lotschicht (6) von außen frei zugänglich ist.Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung angegeben.

    Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelements
    8.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102015114010A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：DE102015114010

    申请日：2015-08-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN

    IPC: H01L33/62 ,  H01F38/14 ,  H01L21/52 ,  H05B44/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, umfassend einen Träger (2), welcher einen Formkörper umfasst, einen lichtemittierenden Halbleiterkörper (3) mit einem ersten Segment (30) und einem zweiten Segment (31). Weiterhin umfasst das optoelektronische Bauelement (1) eine elektrische Leiterbahn (4a), welche auf einer dem Träger (2) zugewandten Seite (3b) des lichtemittierenden Halbleiterkörpers (3) auf dem ersten Segment (30) und auf dem zweiten Segment (31) angeordnet ist, und eine erste elektrische Verbindungsstruktur (5a) und eine zweite elektrische Verbindungsstruktur (5b), welche jeweils das erste Segment (30) und das zweite Segment (31) elektrisch miteinander verbinden und mittels der elektrischen Leiterbahn (4a) elektrisch miteinander verbunden sind, wobei das erste Segment (30) und das zweite Segment (31) antiparallel verschaltet sind, wobei die erste elektrische Verbindungsstruktur (5a), die zweite elektrische Verbindungsstruktur (5b) und die elektrische Leiterbahn (4a) vom Formkörper vollständig bedeckt sind.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
    9.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102015211185A1

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：DE102015211185

    申请日：2015-06-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  PERZLMAIER KORBINIAN

    IPC: H01L33/62

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Strahlungshauptseite (101), umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (2), die zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, einen strukturierten Träger (1), der an der Strahlungshauptseite (101) abgewandten Seite des Halbleierchips (100) angeordnet ist, wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (23) mittels einer ersten Anschlussschicht (3) elektrisch kontaktiert ist und die n-dotierte Halbleiterschicht (21) mittels einer zweiten Anschlussschicht (4) elektrisch kontaktiert ist, wobei die erste Anschlussschicht (3) mittels einer ersten Kontaktschicht (5) elektrisch kontaktiert ist und die zweite Anschlussschicht (4) mittels einer zweiten Kontaktschicht (6) elektrisch kontaktiert ist, wobei die erste und zweite Kontaktschicht (5, 6) den Träger (1) vollständig durchdringen und die erste Kontaktschicht (5) lateral beabstandet zur zweiten Kontaktschicht (6) angeordnet ist, wobei der Träger (1) ein stabilisierendes Material umfasst, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die einen Fotolack, ein anorganisch-organisches Hybridmaterial, ein spin-on Material, ein mittels Siebdruckverfahren aufgebrachtes Isolationsmaterial und dielektrisches Material umfasst.

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