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    광전 반도체 소자를 제조하는 방법 및 광전 반도체 소자
    1.
    发明公开
    광전 반도체 소자를 제조하는 방법 및 광전 반도체 소자 审中-公开
    制造光学电子器件的方法，

    公开(公告)号：KR20180019661A

    公开(公告)日：2018-02-26

    申请号：KR20187001260

    申请日：2016-06-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KATZ SIMEON ,  GEHRKE KAI ,  DRAGO MASSIMO ,  HERTKORN JOACHIM

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/12 ,  H01L33/42

    Abstract: 광전반도체소자를제조하는방법이제공되며, 본방법은, 반도체층 시퀀스(1)를제공하는단계 - 상기반도체층 시퀀스는발광및/또는광흡수활성영역(12) 및상기반도체층 시퀀스(1)의주 연장평면에수직으로연장되는스택방향(z)으로상기활성영역(12) 후방에배치되는커버면(1a)을포함함 -; 상기커버면(1a) 상에층 스택(2)을적층하는단계 - 상기층 스택(2)은인듐을함유하는산화물층(20) 및상기스택방향(z)으로상기커버면(1a) 후방에배치되는중간면(2a)을포함함 -; 상기중간면(2a) 상에인듐주석산화물로형성된접촉층(3)을적층하는단계를포함하고, 상기층 스택(2)은제조공차의범위내에서주석이없다.

    Abstract translation: 本发明提供的光电半导体元件，该方法包括的制造方法，包括：提供半导体层序列（1），其中，所述半导体层序列是发光和/或光吸收有源区12和半导体层序列（1） 以及在垂直于边缘延伸平面延伸的堆叠方向（z）上布置在有源区（12）后面的覆盖表面（1a） （2）在所述覆盖表面（1a）上，所述叠层（2）包括在所述覆盖表面的后侧上的包含铟的氧化物层（20）和氧化物层（20） 中间表面（2a）被布置; 并且在中间表面（2a）上层压由铟锡氧化物形成的接触层（3），其中堆叠（2）在制造公差内不含锡。

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    3.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015111301A1

    公开(公告)日：2017-01-19

    申请号：DE102015111301

    申请日：2015-07-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GEHRKE KAI

    IPC: H01L33/38 ,  H01L21/283 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen ersten Halbleiterbereich (21) eines ersten und einen zweiten Halbleiterbereich (23) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Zwischen diesen beiden Halbleiterbereichen (21, 23) befindet sich eine aktive Zone (22), die zur Erzeugung von Licht eingerichtet ist. Eine erste elektrische Kontaktschicht (31) befindet sich stellenweise direkt an dem ersten Halbleiterbereich (21). Ferner befindet sich eine zweite elektrische Kontaktschicht (32) stellenweise direkt an dem zweiten Halbleiterbereich (23), wobei die Halbleiterbereiche (21, 23) über die Kontaktschichten (31, 33) bestromt werden. Weiterhin sind zwei metallische Stromzuführungen (41, 43) und eine Isolierschicht (5) vorhanden. Die Isolierschicht (5) bedeckt stellenweise direkt den zweiten Halbleiterbereich (23) und erhebt sich über diesen. Ferner befindet sich die Isolierschicht (5) unter der Stromzuführung (43) für den zweiten Halbleiterbereich (23). Beide Kontaktschichten (31, 33) sind aus einem transparenten leitfähigen Oxid hergestellt und die erste Kontaktschicht (31) überformt die zweite Kontaktschicht (33) direkt und auch die Isolierschicht (5).

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement
    6.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015109786A1

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：DE102015109786

    申请日：2015-06-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KATZ SIMEON ,  GEHRKE KAI ,  DRAGO MASSIMO ,  HERTKORN JOACHIM

    IPC: H01L33/42

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: – Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1), aufweisend eine lichtemittierende und/oder -absorbierende aktive Zone (12) und eine der aktiven Zone (12) in einer senkrecht zu einer Haupterstreckungseben der Halbleiterschichtenfolge (1) verlaufenden Stapelrichtung (z) nachgeordnete Deckfläche (1a), – Aufbringen eines Schichtenstapels (2) auf die Deckfläche (1a), wobei der Schichtenstapel (2) eine Oxidschicht (20), die Indium enthält, und eine der Deckfläche (2a) in der Stapelrichtung (z) nachgeordnete Zwischenfläche (2a) umfasst, – Aufbringen einer Kontaktschicht (3), die mit Indiumzinnoxid gebildet ist, auf die Zwischenfläche (2a), wobei – der Schichtenstapel (2) im Rahmen der Herstellungstoleranzen frei von Zinn ist.

    Leuchtdiodenchip
    7.
    发明专利
    Leuchtdiodenchip 未知

    公开(公告)号：DE102011112000A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：DE102011112000

    申请日：2011-08-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  GEHRKE KAI ,  WALTER ROBERT ,  ENGL KARL ,  WEISS GUIDO ,  MAUTE MARKUS ,  RAMMELSBERGER STEFANIE

    IPC: H01L33/44

    Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (13) geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Auf der Spiegelschicht (5) ist eine Schutzschicht (6) angeordnet, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

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