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    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES KONVERTERELEMENTS, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, KONVERTERELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    11.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES KONVERTERELEMENTS, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, KONVERTERELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    制造方法的转换器元件，方法制造光电子器件，转换器元件和光电子元件

    公开(公告)号：WO2017032747A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：PCT/EP2016/069812

    申请日：2016-08-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRANDL, Martin ,  PINDL, Markus

    IPC: H01L33/50 ,  B29C43/18 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements (400) für ein optoelektronisches Bauelement (500) umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers (300), zum Aufbringen einer Konverterschicht (200) auf den Träger und zum Zerteilen des Trägers und der Konverterschicht um eine Mehrzahl von Konverterelementen (400) zu erhalten. Dabei umfasst jedes erhaltene Konverterelement (400), welches auf einen Halbleiterchip einer Leuchtdiode (600) aufgebracht werden kann, einen Abschnitt des Trägers und einen Abschnitt der Konverterschicht.

    Abstract translation: 一种用于光电子装置（500）制造的转换器元件（400）的方法包括用于将在载体上的转换器层（200）和用于将所述载体和所述转换器层，以形成转换器元件的多个（提供载体（300）的步骤 获得400）。 在这种情况下，每个转换器元件包括获得（400），其可被施加到发光二极管（600）的载体的一部分和所述转换器层的一部分的半导体芯片。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG UND OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG
    16.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG UND OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
    制造光电子照明装置的方法和光电子照明装置

    公开(公告)号：WO2017134244A1

    公开(公告)日：2017-08-10

    申请号：PCT/EP2017/052427

    申请日：2017-02-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WOJCIK, Andreas ,  GEBUHR, Tobias ,  PINDL, Markus

    IPC: H01S5/022 ,  H01S5/02 ,  H01L21/70 ,  H01L27/15

    CPC classification number: H01S5/02296 ,  H01L21/70 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02288

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, umfassend die folgenden Schritte : - Bereitstellen eines Laserchipträgers, auf welchem zwei jeweils eine Laserfacette aufweisende, kantenemittierende Laserchips einander mit ihrer jeweiligen Laserfacette gegenüberliegend angeordnet sind, - Anordnen eines zwei einander gegenüberliegende optische Elemente aufweisenden Trägers auf den Laserchipträger zwischen den zwei Laserfacetten derart, dass nach dem Anordnen jeweils eines der zwei optischen Elemente einer der zwei Laserfacetten zugewandt ist, - Bilden einer jeweiligen optischen Verbindung mittels eines optischen Werkstoffs zwischen der jeweiligen Laserfacette und dem jeweiligen optischen Element, - Vereinzeln der zwei Laserchips, indem der Laserchipträger zwischen den zwei Laserchips geteilt wird, um zwei voneinander geteilte Laserchipträgerteile zu bilden, wobei das Teilen umfasst, dass der Träger zwischen den zwei optischen Elementen geteilt wird, um zwei voneinander geteilte, jeweils eines der zwei optischen Elemente aufweisende Trägerteile zu bilden, - so dass zwei auf dem jeweiligen geteilten Laserchipträgerteil angeordnete, vereinzelte Laserchips gebildet werden, dessen jeweilige Laserfacetten mittels des optischen Werkstoffs optisch mit dem jeweiligen optischen Element des jeweiligen Trägerteils verbunden sind. Die Erfindung betrifft ferner eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种制造光电发光装置，其包括以下步骤的方法： - 提供Laserchiptr＆AUML;热尔，在其两个含有激光面每种情况下，边缘发射激光器芯片彼此用针对导航使用它们各自的激光面设置berliegend 是 - 布置具有Tr的AUML一个两个相互导航用途berliegende光学元件;热尔的Laserchiptr＆AUML;两个端部小平面之间GER，使得在每种情况下将后一个的两个激光小面的，两个光学元件中的一个 - 形成相应的光链路 由各个激光面和各自的光学元件之间的光学材料的装置 - 通过Laserchiptr BEAR分离两个激光芯片，在两个激光芯片之间划分GER到两个相互裂开Laserchiptr BEAR以形成格特赶，其中，所述分割包括将所述 被分成两个相互分开的两个光学元件之间GER，具有Tr的AUML两个光学元件中的每一个; Tr的＆AUML以形成格特赶去， - 使得两个上各分割Laserchiptr BEAR gerteil布置中，形成分散的激光器芯片，各个激光刻面 通过光学材料光学连接到相应载体部分的相应光学元件。 本发明还涉及一种光电照明设备。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    17.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    制造光电子器件和光电子器件的方法

    公开(公告)号：WO2017093262A1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：PCT/EP2016/079152

    申请日：2016-11-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PINDL, Markus ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelement umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers, zum Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens an einer Oberseite des Trägers, zum Anordnen einer Gitterstruktur an einer Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips in einer Öffnung der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines Vergussmaterials an der Oberseite des Bogens, wobei die Gitterstruktur und der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Vergussmaterial eingebettet werden, wobei ein das Vergussmaterial, den Bogen, die Gitterstruktur und den optoelektronischen Halbleiterchip umfassender Verbundkörper gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.

    Abstract translation:

    制造光电子器件的方法包括提供Tr的AUML的工序;对于上的顶部布置一个格栅结构蒙古包;热尔，在Tr的＆AUML的顶部上的具有波长BEAR ngenkonvertierendes材料电弧附着 片用于在＆Ouml排列的光电子半导体芯片;在片材的顶侧上的网格结构的开口，用于放置灌封材料在片材，其特征在于，所述光栅结构和所述光电子半导体芯片被至少部分地嵌入在模制材料的上侧，其中灌封材料， 形成包括复合体的片材，晶格结构和光电子半导体芯片，并且用于从载体上释放复合体

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUTEILS UND LICHTEMITTIERENDES BAUTEIL
    18.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUTEILS UND LICHTEMITTIERENDES BAUTEIL 审中-公开
    用于生产发光元件与发光元件

    公开(公告)号：WO2016131872A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：PCT/EP2016/053363

    申请日：2016-02-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PINDL, Markus ,  HERRMANN, Siegfried ,  SCHMIDTKE, Kathy

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/005 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

    Abstract: Das Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauteils (10) umfasst ein Bereitstellen eines Trägers (1) mit einer Trägeroberseite (1a) und zumindest einem auf der Trägeroberseite (la) angeordneten lichtemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der Halbleiterchip (2) eine Strahlungsabstrahlseite (2a) aufweist und so auf der Trägeroberseite (1a) angeordnet wird, dass die Strahlungsabstrahlseite (2a) der Trägeroberseite (1a) abgewandt ist. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Anordnen eines Konverterelements (3) auf dem zumindest einen Halbleiterchip (2) auf dessen Strahlungsabstrahlseite (2a), so dass das Konverterelement (3) die Strahlungsabstrahlseite (2a) des Halbleiterchips (2) vollständig abdeckt und sich lateral über den Halbleiterchip (2) hinaus erstreckt. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Überdecken des Konverterelements (3) mit einem Verguss (4) und Formpressen und Aushärten des Vergusses (4), so dass der Verguss (4) das Konverterelement (3) an einer dem Halbleiterchip (2) abgewandten Seite überdeckt und sich das Konverterelement (3) und der Verguss (4) an die Strahlungsabstrahlseite (2a) und zumindest an eine Seitenfläche des Halbleiterchips (2) anschmiegen. Es erfolgt ein Ablösen des Vergusses (4) mit dem Konverterelement (3) und dem Halbleiterchip (2) vom Träger (1).

    Abstract translation: 用于制造发光部件（10）的方法，包括提供一个载体（1）与载体顶部（1a）和至少一种在载体顶部（LA）设置成发射光的半导体芯片（2），其中所述半导体芯片（2）Strahlungsabstrahlseite（2A ）等载体上侧（1a）中被布置成使得背离载体顶部（1a）的远离Strahlungsabstrahlseite（2a）中。 此外，该方法包括：布置在其Strahlungsabstrahlseite（2a）中的至少一个半导体芯片（2）上的转换器元件（3），使得转换器元件（3）覆盖所述半导体芯片的Strahlungsabstrahlseite（2A）（2）彻底和横向穿过 半导体芯片（2）还延伸。 该方法还包括与所述灌封（4）的铸件（4）和模制和固化掩蔽转换器元件（3），覆盖侧，使得灌封（4）所述转换器元件（3）的面向远离半导体芯片（2）和 所述转换器元件（3）和铸造（4）向Strahlungsabstrahlseite（2a）和至少（2）上紧贴地在半导体芯片的侧面。 有剥离封装（4）所述转换器元件（3）和从所述载体（1）在半导体芯片（2）的。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    19.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2015079027A1

    公开(公告)日：2015-06-04

    申请号：PCT/EP2014/075967

    申请日：2014-11-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GRUENDL, Andreas ,  GEBUHR, Tobias ,  PINDL, Markus

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/62 ,  G10L2015/223 ,  H01L24/48 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100), welches einen in einem Formkörper (130) eingebetteten Leiterrahmen (110) und einen auf einer Oberseite (113) des Leiterrahmens (110) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (140) umfasst. Dabei wird ein Leiterrahmen (110) bereitgestellt. In einem weiteren Schritt wird ein Ätzschritt durchgeführt, bei dem auf der Oberseite (113) des Leiterrahmens (110) wenigstens eine Grabenstruktur (120) im Leiterrahmen (110) erzeugt wird. Ferner wird ein Formkörper(130) durch Umspritzen des Leiterrahmens (110) mit einem Formmaterial erzeugt. Ferner wird der optoelektronische Halbleiterchip (140) auf der Oberseite (113) des Leiterrahmens (110) angeordnet, wobei die wenigstens eine Grabenstruktur (120) als Ausrichtungsmarke zum Ausrichten des optoelektronischen Halbleiterchips (140) auf dem Leiterrahmen (110) verwendet wird.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造其中嵌入了一个在上引线框架（110）的上表面（113）的成型体（130）的引线框（110）和一个布置光电子半导体芯片（140）的光电元件（100）。 在此，提供了一种引线框架（110）。 在进一步的步骤，蚀刻步骤中进行，其中，在引线框架（110）的至少一个严重结构（120）的顶侧（113）在所述引线框架（110）被生成。 此外，模制体（130）由所述引线框架（110）的注射成型产生具有的成型材料。 此外，光电子半导体芯片（140）上的引线框（110）的顶部（113），所述至少一个严重结构（120）作为引线框架使用（110）上的光电子半导体芯片（140）对准的对准标记被设置。

    HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    20.
    发明申请
    HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    制造光电子COMPONENT

    公开(公告)号：WO2014139735A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：PCT/EP2014/052346

    申请日：2014-02-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PINDL, Markus ,  JEREBIC, Simon

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Ausgangsanordnung (100) aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip (110) und eine den Halbleiterchip (110) umgebende Vergussmasse (130). Der Halbleiterchip (110) ist zum Abgeben einer Primärstrahlung (170) ausgebildet. Die Vergussmasse (130) ist zum Umwandeln eines Teils der Primärstrahlung (170) in eine Konversionsstrahlung (175) ausgebildet, so dass eine Mischstrahlung (179) aus Primär- und Konversionsstrahlung (170, 175) erzeugbar ist. Das Verfahren umfasst ferner ein Einbringen wenigstens einer Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) in die Vergussmasse (130), so dass eine veränderte Mischstrahlung (179) erzeugbar ist. Die Vergussmasse (130) und die Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) weisen eine unterschiedliche Materialbeschaffenheit auf. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。 该方法包括提供包括光电子半导体芯片（110）和围绕所述浇铸化合物（130）的半导体芯片（110）的输出装置（100）。 半导体芯片（110）被适配成提供主辐射器（170）。 灌封化合物（130）配置成将所述初级辐射（170）的至少一部分转换成转换辐射（175），以使得可以产生初级和转换辐射（170，175）的混合辐射（179）。 该方法还包括在浇铸化合物（130）将至少一个位移质量（140，141，142，143），这样可以产生具有改变的混合辐射（179）。 灌封化合物（130）和质量块的位移（140，141，142，143）具有一个不同的材料特性。 本发明还涉及一种光电子器件。

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