中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

35 records (took 0.032 seconds)

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    1.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019238655A1

    公开(公告)日：2019-12-19

    申请号：PCT/EP2019/065170

    申请日：2019-06-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  BURGER, Markus ,  JEREBIC, Simon

    IPC: H01L33/50

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) auf einem Träger (2), - Aufbringen mehrerer Einzelkonversionsschichten (4, 4`, 4``) aufeinander über eine Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (1) mittels Sprühbeschichten, wobei - die Einzelkonversionsschichten (4, 4`, 4``) ein Harz (5) mit Leuchtstoffpartikeln (6) aufweisen, - die jeweilige Einzelkonversionsschicht (4, 4`, 4``) vor dem Aufbringen der nächsten Einzelkonversionsschicht (4, 4`, 4``) nicht ausgehärtet wird. Außerdem wirdein optoelektronisches Bauelement angegeben.

    HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    2.
    发明申请
    HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    制造光电子COMPONENT

    公开(公告)号：WO2014139735A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：PCT/EP2014/052346

    申请日：2014-02-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PINDL, Markus ,  JEREBIC, Simon

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Ausgangsanordnung (100) aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip (110) und eine den Halbleiterchip (110) umgebende Vergussmasse (130). Der Halbleiterchip (110) ist zum Abgeben einer Primärstrahlung (170) ausgebildet. Die Vergussmasse (130) ist zum Umwandeln eines Teils der Primärstrahlung (170) in eine Konversionsstrahlung (175) ausgebildet, so dass eine Mischstrahlung (179) aus Primär- und Konversionsstrahlung (170, 175) erzeugbar ist. Das Verfahren umfasst ferner ein Einbringen wenigstens einer Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) in die Vergussmasse (130), so dass eine veränderte Mischstrahlung (179) erzeugbar ist. Die Vergussmasse (130) und die Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) weisen eine unterschiedliche Materialbeschaffenheit auf. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。 该方法包括提供包括光电子半导体芯片（110）和围绕所述浇铸化合物（130）的半导体芯片（110）的输出装置（100）。 半导体芯片（110）被适配成提供主辐射器（170）。 灌封化合物（130）配置成将所述初级辐射（170）的至少一部分转换成转换辐射（175），以使得可以产生初级和转换辐射（170，175）的混合辐射（179）。 该方法还包括在浇铸化合物（130）将至少一个位移质量（140，141，142，143），这样可以产生具有改变的混合辐射（179）。 灌封化合物（130）和质量块的位移（140，141，142，143）具有一个不同的材料特性。 本发明还涉及一种光电子器件。

    ELEKTRISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON ELEKTRISCHEN BAUTEILEN
    5.
    发明申请
    ELEKTRISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON ELEKTRISCHEN BAUTEILEN 审中-公开
    电子器材及其制造方法电气元件

    公开(公告)号：WO2014001148A1

    公开(公告)日：2014-01-03

    申请号：PCT/EP2013/062614

    申请日：2013-06-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BOß, Markus ,  BRANDL, Martin ,  GEBUHR, Tobias ,  JEREBIC, Simon ,  PINDL, Markus

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

    CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/29 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49861 ,  H01L33/486 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Elektrisches Bauteil, aufweisend: einen geschlossenen Leiterrahmen (2) mit einer Durchgangsöffnung (3); mindestens ein in der Durchgangsöffnung (3) angeordnetes elektrisches Bauelement (5), wobei das elektrische Bauelement (5) eine erste Anschlussfläche (6) auf einer ersten Seite (11) des elektronischen Bauelements (5) und eine zweite Anschlussfläche (7) auf einer zweiten Seite (12) des elektrischen Bauelements (5), die der ersten Seite (11) gegenüberliegt, aufweist; wobei die zweite Anschlussfläche (7) mit dem Leiterrahmen (2) elektrisch gekoppelt ist; und eine Verkapselung (9), welche das elektrische Bauelement (5) mit dem Leiterrahmen (2) mechanisch koppelt.

    Abstract translation: 电部件，包括：一个封闭的导体框架（2）配有一个通道开口（3）; 在至少一个通孔（3），其设置电元件（5），其中所述电元件（5）包括第一垫（6）上的电子部件（5）和上一个的第二连接表面（7）的第一侧（11） 电气部件（5），所述第一侧（11）相对的，具有的第二侧（12）; 其中，所述第二连接表面（7）与引线框（2）电耦合; 和封装（9），其耦接电气元件（5）到所述引线框架（2）机械地连接。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND DERART HERGESTELLTES BAUELEMENT
    6.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND DERART HERGESTELLTES BAUELEMENT 审中-公开
    方法制造光电子器件和这样的组件MADE

    公开(公告)号：WO2012136459A1

    公开(公告)日：2012-10-11

    申请号：PCT/EP2012/054598

    申请日：2012-03-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE, Markus ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  JEREBIC, Simon

    Inventor： MAUTE, Markus ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  JEREBIC, Simon

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/56

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/486 ,  H01L33/501 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0091

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造光电子器件（10）的方法。 提供了一种具有合适的活性层用于产生辐射和在载体上的（1）被配置在半导体芯片（2）。 在半导体芯片（2）和/或所述支撑件（1），一分散材料（3）至少部分地施加。 分散材料（3）包括一基体材料（31）和在其中嵌入的颗粒（32）。 中的分散材料（3）的应用程序之前修改一（1）从背离半导体芯片的芯片边缘（22）远离所述承载器（2），使得分散的材料（3）当施加到芯片边缘（22）至少部分地分离成它的组分 ， 此外，在此方式（10）所制造的装置被指定。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ABDECKSCHICHT
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ABDECKSCHICHT 审中-公开
    光电半导体器件及其制造方法的覆盖

    公开(公告)号：WO2011144385A1

    公开(公告)日：2011-11-24

    申请号：PCT/EP2011/055357

    申请日：2011-04-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BEMMERL, Thomas ,  JEREBIC, Simon ,  PINDL, Markus

    Inventor： BEMMERL, Thomas ,  JEREBIC, Simon ,  PINDL, Markus

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) auf, der an einer Trägeroberseite (20) angebracht ist und der eine Strahlungshauptseite (30) aufweist. Ferner beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) eine Abdeckschicht (4), die ein klarsichtiges Matrixmaterial (40) und darin eingebettete, reflektierende und/oder streuende Partikel (45) umfasst. Die Abdeckschicht (4) erstreckt sich sowohl über die Strahlungshauptseite (30) als auch über einen von dem Halbleiterchip (3) freigelassenen Umgebungsbereich (5) der Trägeroberseite (20) um den Halbleiterchip (3) herum. Die Abdeckschicht (4) weist über der Strahlungshauptseite (30) bevorzugt eine geringere mittlere Dicke (T) auf als über dem Umgebungsbereich (5).

    Abstract translation: 在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）曾表示其被安装在载体顶部（20），一个光电子半导体芯片（3）和一个辐射主侧（30）的。 此外，半导体组件（1）包括盖（4），其包括透明的视力的基质材料（40）和嵌入其中，反射和/或散射颗粒（45）。 所述覆盖层（4）周围延伸两个辐射主侧面（30）和经由所述半导体芯片的一个（3）保持自由的周围区域（5）载体上侧（20）的半导体芯片的周围的（3）。 所述覆盖层（4）具有所述辐射主侧（30）优选地具有较低的平均厚度（T）大于到周围区域（5）。

    KONTROLLIERTE BENETZUNG BEI DER HERSTELLUNG VON ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN
    10.
    发明申请
    KONTROLLIERTE BENETZUNG BEI DER HERSTELLUNG VON ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020173908A1

    公开(公告)日：2020-09-03

    申请号：PCT/EP2020/054845

    申请日：2020-02-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEISEN, Daniel ,  JEREBIC, Simon ,  WENZEL, Max

    IPC: H01L33/48 ,  H01L23/00 ,  H01L33/52

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen mindestens eines elektronischen Bauteils, insbesondere eines opto-elektronischen Bauteils, eines LED-Packages oder eines Laserbauteils, mit den Schritten - Bereitstellen (S1) eines an einem ersten Oberflächenbereich (1) angrenzenden zweiten Oberflächenbereich (2) des Bauteils, wobei der zweite Oberflächenbereich für ein aufzubringendes erstes Fluid (3) abweisend geschaffen wird; - Aufbringen (S2) des ersten Fluids (3) ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung (PA) auf den ersten und/oder zweiten Oberflächenbereich, wobei der erste Oberflächenbereich (1) von dem ersten Fluid benetzt wird und das erste Fluid von dem zweiten Oberflächenbereich (2) abgewiesen wird. Die Erfindung umfasst zudem entsprechend hergestellte Vorrichtungen.

Patent Agency Ranking