公开(公告)号：DE102015112538A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102015112538

申请日：2015-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  RAFAEL CHRISTINE ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/04 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) angegeben, das einen Träger (1) mit einem elektrisch isolierenden Formkörper (5), einen Halbleiterkörper (2) und eine Mehrschichtstruktur (3) aufweist, wobei der Formkörper (5) den Halbleiterkörper (2) zumindest bereichsweise lateral umschließt. Die Mehrschichtstruktur (3) ist in lateraler Richtung zumindest bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper (2) und dem Formkörper (5) angeordnet, wobei die Mehrschichtstruktur zumindest eine metallische Schicht (30) und eine nicht-metallische Grenzschicht (32) aufweist, wobei – die Grenzschicht (32) in der lateralen Richtung zwischen dem Halbleiterkörper (2) und der metallischen Schicht (30) angeordnet ist, zumindest bereichsweise an den Halbleiterkörper (2) angrenzt, die aktive Schicht (23) lateral bedeckt und im Vergleich zu dem Halbleiterkörper (2) einen kleineren Brechungsindex aufweist, und – die metallische Schicht (30) dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der im Betrieb des Bauelements erzeugten und durch die Grenzschicht hindurchtretenden elektromagnetischen Strahlung auf den Formkörper (5) zu verhindern. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.