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    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
    1.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils 未知

    公开(公告)号：DE102015114590B4

    公开(公告)日：2020-01-02

    申请号：DE102015114590

    申请日：2015-09-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  LEIRER CHRISTIAN

    IPC: H01L33/36 ,  H01L21/308 ,  H01L33/44

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (10) umfassend die SchritteA) Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) umfassend einen p-Typ Halbleiterbereich (1a) und einen n-Typ Halbleiterbereich (1b),B) gerichtetes Abscheiden einer Metallisierung (3) auf den p-Typ Halbleiterbereich (1a) mit ersten Maskenstrukturen (2), wobei die ersten Maskenstrukturen (2) an einer dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite breiter ausgeformt sind als an einer dem Halbleiterkörper (1) zugewandten Seite, und nachfolgend ungerichtetes Abscheiden eines ersten Passivierungsmaterials (4a) auf die Metallisierung (3),C) Ablösen der ersten Maskenstrukturen (2) und Einbringen von Ausnehmungen (A) in den Halbleiterkörper (1), so dass die Ausnehmungen (A) bis in den n-Typ Halbleiterbereich (1b) reichen,D) Aufbringen eines zweiten Passivierungsmaterials (4b) auf Seitenflächen (A1) der Ausnehmungen (A), so dass das zweite Passivierungsmaterial (4b) auch eine Seitenfläche des ersten Passivierungsmaterials (4a) bedeckt,E) flächiges gerichtetes Aufbringen eines n-Kontaktmaterials (5) in den Ausnehmungen (A) und auf das erste Passivierungsmaterial (4a) mit einer zweiten Maskenstruktur (22) auf dem ersten Passivierungsmaterial (4a), welche an einer dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite (22a) breiter ausgeformt ist als an einer dem Halbleiterkörper (1) zugewandten Seite (22b), und nachfolgend flächiges ungerichtetes Aufbringen eines dritten Passivierungsmaterials (4c) auf das n-Kontaktmaterial (5),F) Ablösen der zweiten Maskenstruktur (22),G) Aufbringen von Kontaktstrukturen (7) auf den Halbleiterkörper (1) und elektrisches Verbinden der Kontaktstrukturen (7) mit dem n-Kontaktmaterial (5) und der Metallisierung (3), wobei jede Kontaktstruktur (7) nur mit dem n-Kontaktmaterial (5) oder der Metallisierung (3) verbunden wird,H) Umgießen der Kontaktstrukturen (7) und Abdecken des Halbleiterkörpers (1) mit einem Verguss (8).

    Leuchtdiodenchip
    2.
    发明专利
    Leuchtdiodenchip 未知

    公开(公告)号：DE102009035429A1

    公开(公告)日：2011-02-03

    申请号：DE102009035429

    申请日：2009-07-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MAUTE MARKUS ,  ALBRECHT TONY ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/10

    Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (1), der einen ersten (1A) und einen zweiten Bereich (1B) aufweist; - eine aktive Zone (2) innerhalb des Halbleiterkörpers (1), die im Betrieb des Leuchtdiodenchips (100) elekoppelfläche (11) emittiert, die zumindest stellenweise durch eine erste Hauptfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) gebildet ist; - zumindest einen Graben (3) in dem Halbleiterkörper (1), wobei im Bereich des Grabens Teile des Halbleiterkörpers (1) entfernt sind, wobei - der zumindest eine Graben (3) zumindest bis zur aktiven Zone (2) reicht, - der zumindest eine Graben (3) den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt, und - der zweite Bereich (1B) den zumindest einen Graben (3) und den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt.

    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
    4.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016124380B4

    公开(公告)日：2025-02-27

    申请号：DE102016124380

    申请日：2016-12-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  OTTO ISABEL

    IPC: H10H20/84 ,  H10H20/831

    Abstract: Halbleiterbauelement (1) umfassend- einen Halbleiterkörper (2) mit- einer ersten Halbleiterschicht (3) und einer zweiten Halbleiterschicht (4),- einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (2B), wobei die erste Hauptfläche (2A) durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (3) und die zweite Hauptfläche (2B) durch eine Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (4) gebildet wird,- mindestens einer Seitenfläche (2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, wobei der Halbleiterkörper (2) an der ersten Hauptfläche (2A) eine Aufrauung aufweist,- eine metallische Schutzschicht (7), die die zweite Hauptfläche (2B) und die mindestens eine Seitenfläche (2C, 2D) zumindest bereichsweise überdeckt, und- eine metallische Startschicht (8), die- zwischen dem Halbleiterkörper (2) und der metallischen Schutzschicht (7) angeordnet ist und- eine erste Schicht (8A) und eine zweite Schicht (8B) aufweist, wobei sich die erste und die zweite Schicht (8A, 8B) durch ihr Material voneinander unterscheiden unddie zweite Schicht (8B) dicker ausgebildet ist als die erste Schicht(8A), undwobei die metallische Schutzschicht (7) auf die metallische Startschicht (8) direkt und unterbrechungsfrei aufgebracht ist.

    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    5.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102015114587A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：DE102015114587

    申请日：2015-09-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  HÖPPEL LUTZ ,  LEIRER CHRISTIAN

    IPC: H01L33/40 ,  H01L33/44

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben, umfassend einen Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, einen Träger (10), der einen Kunststoff aufweist und eine erste Durchkontaktierung (11) und eine zweite Durchkontaktierung (12) aufweist, eine p-Kontaktschicht (6) und eine n-Kontaktschicht (8, 8A), welche zumindest bereichsweise zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet sind, eine metallische Verstärkungsschicht (14), welche zumindest bereichsweise zwischen der n-Kontaktschicht (8, 8A) und dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die metallische Verstärkungsschicht (14) mindestens 5 µm dick ist, und mindestens eine p-Kontaktdurchführung (7), welche zwischen der ersten Durchkontaktierung (11) und der p-Kontaktschicht (6) angeordnet ist, wobei die p-Kontaktdurchführung (7) mindestens 5 µm dick ist und in lateraler Richtung zumindest bereichsweise von der Verstärkungsschicht (14) umgeben ist. Ferner wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) angegeben.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
    6.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015114583A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：DE102015114583

    申请日：2015-09-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/08 ,  H01L33/44

    Abstract: Das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfass die folgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2), B) Aufbringen einer elektrischen zweiten Kontaktstruktur (33) auf eine einem Aufwachssubstrat (20) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), C) Aufbringen mindestens einer elektrischen Isolierschicht (41, 42) auf die zweite Kontaktstruktur (33) und auf die Halbleiterschichtenfolge (2), D) Aufbringen einer ersten Kontaktstruktur (31), sodass die erste Kontaktstruktur (31) elektrisch mit einem dem Aufwachssubstrat (20) zugewandten Bereich (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) verbunden wird, E) Aufbringen einer weiteren elektrischen Isolierschicht (43) stellenweise zumindest auf die erste Kontaktstruktur (31), F) Erzeugen von elektrischen Kontaktflächen (51, 53), sodass mit dem Schritt F) eine Ausdehnung der Kontaktflächen (51, 53) in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Toleranz von höchsten 5 µm definiert wird.

    Halbleiterchip
    7.
    发明专利
    Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015114579A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：DE102015114579

    申请日：2015-09-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  HÖPPEL LUTZ

    IPC: H01L33/48 ,  H01L23/482 ,  H01L31/101

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (23) angegeben, der einen aktiven Bereich (39) aufweist, und einem Träger (3) mit einer ersten Trägerfläche (5), auf der der Halbleiterkörper angeordnet ist, und einer zweiten Trägerfläche (7) auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite, wobei der Träger einen Verbundkörper (11, 13, 15) aufweist, der zumindest einen elektrisch leifähigen Leiterkörper (11, 13) und zumindest einen elektrisch isolierenden Formkörper (15) aufweist, wobei sich der Leiterkörper von der ersten Trägerfläche bis zur zweiten Trägerfläche erstreckt und elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden ist, und wobei der Verbundkörper zugstabil ausgebildet ist.

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