公开(公告)号：WO2013092304A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/EP2012/075080

申请日：2012-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/15 ,  H01L33/005 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist und eine Mehrzahl von Bildpunkten (2a, 2b) bildet. Die Anzeigevorrichtung (1) weist weiterhin einen Träger (5) auf, wobei der aktive Bereich (20) zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich von einer dem Träger zugewandten Hauptfläche (27) der Halbleiterschichtenfolge (2) durch den aktiven Bereich (20) hindurch in die ersten Halbleiterschicht (21) hinein erstreckt und zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht (21) vorgesehen ist. Der Träger (5) weist eine Mehrzahl von Schaltern (51) auf, die jeweils zur Steuerung von zumindest einem Bildpunkt (2a, 2b) vorgesehen sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Anzeigevorrichtung angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有具有用于产生辐射有源区（20）和多个像素的半导体层序列（2）的显示装置（1）（2A，2B）。 的显示装置（1）还包括一个支撑件（5），其中所述有源区（20）被布置在第一半导体层（21）和第二半导体层（22）之间。 半导体层序列（2）具有从一侧穿过有源区域（20）中的第一半导体层中穿过其延伸（21）和用于电朝向半导体层序列（2）的载体主表面（27）延伸的至少一个凹部（25） 在第一半导体层（21）接触设置。 载波（5）具有多个开关（51），每个用于控制至少一个像素（2A，2B）被提供。 此外，提供了一种制造这种显示装置的方法。

公开(公告)号：WO2013045574A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/069124

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  LUGAUER, Hans-Jürgen

Inventor： VON MALM, Norwin ,  LUGAUER, Hans-Jürgen

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Es wird ein photovoltaischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von elektrischer Energie vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben. Der aktive Bereich (20) ist zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps ausgebildet ist. Der Halbleiterkörper (2) ist auf einem Trägerkörper (5) angeordnet. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Trägerkörper (5) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet. Der Halbleiterkörper (2) weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich vom Trägerkörper (5) durch die zweite Halbleiterschicht (22) hindurch erstreckt. Zumindest bereichsweise zwischen dem Trägerkörper (5) und dem Halbleiterkörper (2) ist eine erste Anschlussstruktur (31) angeordnet, die in der Ausnehmung (25) mit der ersten Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend verbunden ist.

Abstract translation: 它是包含具有与所提供的用于产生电能的有源区域（20）所表示的半导体层序列的半导体主体（2）的光电半导体芯片（1）。 第一导电类型的第一半导体层（21）和从所述第二导电型不同的第一导电类型的第二半导体层（22）之间的有源区（20）形成。 该半导体主体（2）被布置在载体上（5）。 在第一半导体层（21）是在承载体（5）的面对从所述第二半导体层（22）远侧。 该半导体主体（2）具有从承载体的至少一个凹部（25）（5）延伸穿过所述第二半导体层（22）穿过其中。 至少在所述载体本体（5）和所述半导体主体之间的区域（2）是布置在所述凹部（25）的第一连接结构（31）与所述第一半导体层（21）被导电地连接。

公开(公告)号：WO2012028509A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064550

申请日：2011-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  RODE, Patrick ,  VON MALM, Norwin ,  HÖPPEL, Lutz

Inventor： RODE, Patrick ,  VON MALM, Norwin ,  HÖPPEL, Lutz

IPC: H01L41/107 ,  H01L25/16 ,  F21K99/00

CPC classification number: F21K9/50 ,  F21K9/60 ,  F21V7/00 ,  F21V23/02 ,  F21V23/023 ,  F21Y2115/10 ,  H01L41/107

Abstract: Es wird angegeben eine Leuchtdiodenanordnung (1) mit einem rahmenförmigen Piezo-Transformator (2), der zumindest einen ausgangsseitigen Anschluss (50, 51) aufweist, und mit einem Leuchtdiodenmodul (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, das innerhalb des rahmenförmigen Piezo-Transformators angeordnet und mittels zumindest eines ausgangsseitigen elektrischen Leiters (5) elektrisch an den ausgangsseitigen Anschlussdes Piezo-Transformators angeschlossen ist, wobei die von dem Leuchtdiodenmodul in Richtung des Piezo-Transformators emittierte Strahlung an diesem reflektiert wird.

Abstract translation: 提供了一种灯带框状压电变压器的发光二极管器件（1）（2）具有至少一个输出侧端子（50，51），并与用于产生电磁辐射，所述框状的压电变压器的内部的发光二极管模块（3） 被布置，并通过至少一个输出侧的电导体（5），其中，从所述光中的压电变压器的辐射的方向的发光二极管模块发出的光被反射在其上的装置电连接到所述压电变压器的输出侧端子。

公开(公告)号：WO2011154180A2

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/EP2011/055848

申请日：2011-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  MAIWALD, Hubert ,  KRAUS, Robert ,  RODE, Patrick ,  WIRTH, Ralph

Inventor： VON MALM, Norwin ,  MAIWALD, Hubert ,  KRAUS, Robert ,  RODE, Patrick ,  WIRTH, Ralph

IPC: H05B41/392 ,  H05B33/08

CPC classification number: H05B37/00 ,  F21K9/232 ,  F21K9/233 ,  F21V3/00 ,  F21V23/026 ,  F21V29/70 ,  F21V29/74 ,  F21V29/89 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L41/044 ,  H01L41/107 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H05B33/0806 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Leuchtdiodenanordnung angegeben, mit einem Piezo-Transformator (1), der zumindest eine ausgangseitige Anschlussstelle (11) aufweist, und einer Hochvolt-Leuchtdiode (2), die einen Hochvolt- Leuchtdiodenchip (21) umfasst, wobei die Hochvolt-Leuchtdiode (2) elektrisch an die ausgangseitige Anschlussstelle (11) des Piezo-Transformators (1) angeschlossen ist und der Hochvolt-Leuchtdiodenchip (21) zumindest zwei aktive Bereiche umfasst, die zueinander in Reihe geschaltet sind.

Abstract translation: 提供了一种发光二极管布置，具有压电变压器（1）具有至少一个输出侧连接点（11），和高电压的发光二极管（2），包括一个高电压的发光二极管芯片（21），其特征在于，所述高电压发光二极管（ 2）电（输出侧连接的压电变压器（1）的点11）连接和高电压的发光二极管芯片（21）包括被相互串联连接的至少两个活性区域。

公开(公告)号：WO2010060404A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/DE2009/001524

申请日：2009-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L25/167 ,  H01L33/005 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ist ein Emissionsbereich (23) und ein Schutzdiodenbereich (24) gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht im Schutzdiodenbereich (24) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。 在半导体主体（2）与该半导体层序列，发射区域（23）和一个保护二极管区（24）形成。 半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。 在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。 发射区域（23）具有延伸穿过所述活性区域穿过其的凹部（25）。 在发射区（23）中的第一半导体层（21）被导电地连接到第一连接层（31），其中，从在所述载体（5）的方向上的第一半导体层（21）延伸在所述凹部（25）的第一连接层。 在保护二极管区（24）的第一连接层连接到导电连接在第二半导体层（22）。 此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

公开(公告)号：WO2018138213A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：PCT/EP2018/051867

申请日：2018-01-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer aktiven Schicht (20), die im Betrieb eine Primärstrahlung emittiert, umfasst. Die Vorrichtung umfasst weiterhin eine Auskoppelfläche (11) auf einer Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (10), eine Wellenlängenkonversionsschicht (30) auf der von der Auskoppelfläche (11) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (10), die zumindest einen die Primärstrahlung in Sekundärstrahlung umwandelnden Konversionsstoff enthält, und eine Spiegelschicht (40) auf der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der Wellenlängenkonversionsschicht (30). Der zumindest eine Konversionsstoff ist elektrisch leitfähig und/oder in einem elektrisch leitfähigen Matrixmaterial eingebettet.

公开(公告)号：WO2017060161A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/EP2016/073353

申请日：2016-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  VON MALM, Norwin ,  RÜGHEIMER, Tilman ,  KIPPES, Thomas

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0224 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00014

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p- leitenden Bereich (21) und eine dazwischenliegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je andem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23) eingerichtet sind. Einep- Kontaktfläche (61) ist mit dem p-Kontakt (41) elektrisch verbunden und eine n-Kontaktfläche (63) ist mit dem n-Kontakt (43) elektrisch verbunden, sodass die p-Kontaktfläche (61) und die n-Kontaktfläche (63) zu einem externen elektrischen und mechanischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) eingerichtet sind. Es sind die Kontaktflächen (61, 63) parallel zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) orientiert. Dabei ist der Halbleiterlaser (1) drahtfrei oberflächenmontierbar.

Abstract translation: 在半导体激光器（1）的一个实施例包括半导体层序列（2）。 半导体层序列（2）包括n型区域（23），p型区域（21）和中间有源区（22）。 在一个Resonatorstrecke（3）的激光辐射产生的。 所述Resonatorstrecke（3）平行于对准的有源区（22）。 此外，半导体激光器（1）包括电动p接触（41）和电正触点（43），其根据所述半导体层序列（2）位于的Andem相关区域（21，23）来计算，并且用于在压印电流直接 相关联的部分（21，23）被布置。 Einep-接触表面（61）被连接到p接触（41）电连接，并且n接触面（63）被连接到n型接触（43）电连接，从而使p接触表面（61）和n型接触表面 （63）适于将所述半导体激光器（1）的外部电连接和机械连接。 有面向的接触表面（61，63）平行于所述半导体层序列（2）的生长方向（G）。 这里，半导体激光器（1）是无导线表面安装。

公开(公告)号：WO2016170151A2

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/EP2016/059073

申请日：2016-04-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Lumineszenzdiodenanordnung (1) aufweisend zumindest einen ersten Lumineszenzdiodenchip (2) mit einer ersten Strahlungsaustrittsfläche (3), der über die Strahlungsaustrittsfläche (3) zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, zumindest ein Hybridpolymer (4), dass im Strahlengang des ersten Lumineszenzdiodenchips (2) angeordnet ist, wobei das Hybridpolymer (4) organische und anorganische Bereiche aufweist, die kovalent miteinander verbunden sind, wobei das Hybridpolymer (4) thermisch und/oder durch Strahlung vernetzt ist, wobei die erste Strahlungsaustrittsfläche (3) und das Hybridpolymer (4) in direktem mechanischem Kontakt stehen.

Abstract translation:

本发明涉及一种Lumineszenzdiodenanordnung（1），包括至少一个第一LED芯片（2），具有第一Strahlungsaustrittsfl BEAR表面（3），过的Strahlungsaustrittsfl BEAR表面（3），用于辐射的发射配 是（4），其被布置在所述第一发光二极管芯片的光路中的至少一个杂化聚合物（2），所述杂化聚合物（4），其共价连接在一起的有机和无机的区域，所述混合聚合物（4）热和/或通过 辐射是交联的，其中第一Strahlungsaustrittsfla（3）和杂化聚合物（4）直接机械接触

公开(公告)号：WO2016113032A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/EP2015/078225

申请日：2015-12-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Metallschicht (3) und einer zweiten Metallschicht (4) angegeben, wobei die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterkörper und der zweiten Metallschicht angeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine aktive Schicht (23) auf. Das Bauelement weist eine Durchkontaktierung (24) auf, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht erstreckt. Die zweite Metallschicht enthält einen ersten Teilbereich (41) und einen von dem ersten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandeten zweiten Teilbereich (42), wobei der erste Teilbereich mit der Durchkontaktierung elektrisch verbunden und einer ersten elektrischen Polarität des Bauelements zugeordnet ist. Die erste Metallschicht überbrückt den Zwischenraum in Draufsicht lateral vollständig und ist einer von der ersten elektrischen Polarität verschiedenen zweiten elektrischen Polarität des Bauelements zugeordnet. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有半导体主体（2），第一金属层的装置（3）和第二金属层（4），其中，所述半导体本体和第二金属层之间的第一金属层设置。 所述半导体本体包括第一半导体层（21），第二半导体层（22）和有源层（23）。 该组件具有一个孔（24）穿过所述第二半导体层和有源层穿透到所述第一半导体层电接触延伸。 所述第二金属层包括由间隙（40）横向间隔开的第二部分（42），第一部分（41）和所述第一部分中的一个，其特征在于与通孔电连接到，并与组件的第一电极性相关联的第一部分区域。 第一金属层桥接在俯视的间隙完全横向和被分配给从所述组件的第一电极性第二电极性不同的方向上。 此外，提供了一种用于制造这样的部件提供了一种方法。

公开(公告)号：WO2015189406A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/063204

申请日：2015-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander F. ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/22 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben. Der Halbleiterchip (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Unterseite (10) und einer der Unterseite (10) gegenüberliegenden Oberseite (14). Von der Unterseite (10) aus gesehen weist die Halbleiterschichtenfolge (1) eine erste Schicht (11) eines ersten Leitungstyps, eine aktive Schicht (12) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung und eine zweite Schicht (13) eines zweiten Leitungstyps in dieser Reihenfolge auf. Der Halbleiterchip (100) umfasst ein auf der Unterseite (10) angebrachtes unteres Kontaktelement (2) und ein auf der Oberseite (14) angebrachtes oberes Kontaktelement (3) zur Einprägung von Strom in die Halbleiterschichtenfolge (1). Auf der Unterseite (10) ist ein Stromverteilungselement (43) angebracht, das im Betrieb Strom entlang der Unterseite (10) verteilt und von dem aus sich eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (41, 42) durch die erste Schicht (11) und durch die aktive Schicht (12) in die Halbleiterschichtenfolge (1) erstreckt. Im Betrieb wird über das obere Kontaktelement (3) in die Halbleiterschichtenfolge (1) eingeprägter Strom zumindest teilweiseüber erste der Durchkontaktierungen (41) zur Unterseite (10) geführt, dort mittels des Stromverteilungselements (43) verteilt, über zweite der Durchkontaktierungen (42) in Richtung Oberseite (14)geführt, und wieder in die Halbleiterschichtenfolge (1) injiziert.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（100）。 半导体芯片（100）包括具有底部（10）和上侧（14）相对的底部（10）的半导体层序列（1）。 从底部（10）看到的那样，半导体层序列（1）的第一导电类型的第一层（11），用于产生电磁辐射，并且第二导电类型的上依次的第二层（13）的有源层（12）。 半导体芯片（100）包括上侧（10），其安装下接触元件（2）和顶部（14），其安装上接触元件（3）用于施加电流到半导体层序列（1）。 在底部（10）被连接到电力分配元件（43），其沿着在操作的底部（10）分配的功率和从通过所述第一层的多个通孔（41，42）（11），并通过活性 半导体层序列在层（12）（1）。 在操作中，半导体层序列中的上接触元件（3）（1）上外加电流至少部分地在第一通孔（41）的所述底部（10）被引导，由当前分配元件（43）的装置上的通孔（42）的第二分配有 朝向顶部（14）出来并返回到半导体层序列（1）中的溶液注入。