公开(公告)号：WO2011128173A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/EP2011/054106

申请日：2011-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00 ,  F21Y101/02 ,  F21Y113/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es handelt sich um ein optoelektronisches Bauelement (1) zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld. Auf einem Träger (2) ist mindestens ein erster Halbleiterchip (3) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem ersten Spektralbereich vorgesehen. Weiters ist auf dem Träger (2) mindestens ein zweiter Halbleiterchip (4, 4a, 4b) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem zweiten Spektralbereich vorgesehen. Der erste und der zweite Spektralbereich sind voneinander verschieden. Der mindestens eine erste Halbleiterchip (3) und der mindestens eine zweite Halbleiterchip (4, 4a, 4b) sind in einem einzigen Package angeordnet. Der mindestens eine erste Halbleiterchip (3) ist vom mindestens einen zweiten Halbleiterchip (4, 4a, 4b) durch eine Barriere (5) optisch getrennt. Der mindestens eine erste Halbleiterchip (3) und der mindestens eine zweite Halbleiterchip ( 4, 4a, 4b) sind jeweils zentrosymmetrisch um ein gemeinsames Symmetriezentrum (Z) angeordnet.

Abstract translation: 它是一种光电子器件（1）到具有在远场中不同的波长，特别是电磁辐射该混合物。 上的支撑件（2）是用于在第一光谱区域内发射的电磁辐射，提供至少一个第一半导体芯片（3）。 此外，（2）在载体上，至少一个第二半导体芯片（4，4A，4B）设置用于电磁辐射的第二光谱范围的发射。 所述第一和第二光谱区彼此不同。 所述至少一个第一半导体芯片（3）和所述至少一个第二半导体芯片（4，4A，4B）被布置在单个封装中。 所述至少一个第一半导体芯片（3）是（4B 4,4A，）通过阻挡物（5）从所述至少一个第二半导体芯片的光学分离。 所述至少一个第一半导体芯片（3）和所述至少一个第二半导体芯片（4，4A，4B）分别设置中心对称于对称（Z）的一个共同的中心。

公开(公告)号：WO2010069933A2

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：PCT/EP2009/067108

申请日：2009-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph ,  KLEIN, Markus

Inventor： WIRTH, Ralph ,  KLEIN, Markus

CPC classification number: H05B33/0869 ,  H05B33/0872

Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung zur Mischlichtabstrahlung in einem ersten und einem davon verschiedenen zweiten Wellenlängenbereich umfasst eine erste bzw. zweite Halbleiterlichtquelle (1, 2) mit einer ersten bzw. zweiten lichtemittierenden Diode (11, 21), die bei Anlegen eines ersten bzw. zweiten Stroms (41, 42) Licht mit einer ersten bzw. zweiten charakteristischen Wellenlänge im ersten bzw. zweiten Wellenlängenbereich und mit einer ersten bzw. zweiten Intensität abstrahlt, einen optischen Sensor (3) zur Umwandlung eines Teils (110, 510) des von den Halbleiterlichtquellen (1, 2) jeweils abgestrahlten Lichts in ein erstes bzw. zweites Sensorsignal (341, 342), und eine Regelungsvorrichtung (4) zur Regelung des ersten und zweiten Stroms (41, 42) in Abhängigkeit vom ersten und zweiten Sensorsignal (341, 342), wobei die charakteristischen Wellenlängen und Intensitäten des jeweils von der ersten und zweiten Halbleiterlichtquelle (1, 2) abgestrahlten Lichts eine erste bzw. eine davon verschiedene zweite Temperatur-, und/oder Strom- und/oder Alterungsabhängigkeit (931, 932, 941, 942) aufweisen, der optische Sensor (3) im ersten bzw. zweiten Wellenlängenbereich eine erste bzw. zweite wellenlängenabhängige Sensitivität aufweist, die an die erste und zweite Temperaturabhängigkeit (931, 932, 941, 942) angepasst sind, und die Regelungsvorrichtung (4) den ersten und zweiten Strom (41, 42) derart regelt, dass das erste zum zweiten Sensorsignal (341, 342) ein vorbestimmtes Verhältnis aufweist.

Abstract translation: 用于第一和第二半导体光源混合光的辐射在第一和不同的第二波长范围包括一种光电装置（1，2），具有第一和第二发光二极管（11,21），其（在第一和第二数据流的应用 具有在所述第一或第二波长范围内的，并与第一和第二强度，用于从所述半导体光源1转换的一个部分（110，510）（光学传感器（3）的第一和第二特征波长41,42发射）光 ，2）响应于所述第一和第二传感器信号（341，342），每个发射的光划分为第一或第二传感器信号（341，342），以及用于控制第一和第二流控制设备（4）（41，42）， 其中该特征波长和强度，所述第一和第二半导体光源（1,2）发出的光作为第一和的 的不同的第二温度，和/或电力和/或老化的依赖性（931，932，941，942），其具有第一和第二波长相关的灵敏度在第一或第二波长范围内的光传感器（3），至 第一和第二温度的依赖性（931，932，941，942）被适配，并且所述控制装置（4）的第一和第二电流（41，42）进行控制，使得所述第一至所述第二传感器信号（341，342）具有预定的比 ，

公开(公告)号：WO2010054650A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：PCT/DE2009/001626

申请日：2009-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0857 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung zur Abstrahlung von Mischlicht mit Licht in einem ersten und einem zweiten Wellenlängenbereich umfasst insbesondere eine erste Halbleiterlichtquelle (1) mit einer ersten lichtemittierenden Diode (11), die im Betrieb Licht im ersten Wellenlängenbereich mit einer ersten Intensität abstrahlt, eine zweite Halbleiterlichtquelle (2) mit einer zweiten lichtemittierenden Diode (21), die im Betrieb Licht im zweiten Wellenlängenbereich mit einer zweiten Intensität abstrahlt, wobei der erste und zweite Wellenlängenbereich voneinander verschieden sind, und ein Widerstandselement (3) mit einem temperaturabhängigen elektrischen Widerstand, wobei der erste Wellenlängenbereich und/oder die erste Intensität des von der ersten Halbleiterlichtquelle (1) abgestrahlten Lichts eine erste Temperaturabhängigkeit aufweist und der zweite Wellenlängenbereich und/oder die zweite Intensität des von der zweiten Halbleiterlichtquelle (2) abgestrahlten Lichts eine zweite Temperaturabhängigkeit aufweist, die verschieden von der ersten Temperaturabhängigkeit ist, das Widerstandselement (3) und die erste Halbleiterlichtquelle (1) eine Serienschaltung (4) bilden und die Serienschaltung (4) und die zweite Halbleiterlichtquelle (2) eine Parallelschaltung (5) bilden.

Abstract translation: 特别地，用于在第一和第二波长范围内发射的光的混合光的光电子器件包括：第一半导体光源（1），具有第一发光二极管（11）以第一强度在所述第一波长范围操作期间发射光，第二半导体光源（ 2）与第二发光二极管（21），其与第二强度的辐射光在第二波长范围中操作，其中所述第一和第二波长范围彼此不同，和一个电阻元件（3），其具有依赖于温度的电阻，其中所述第一波长范围 和/或第一半导体光源（1）具有从所述第二半导体光源的第一温度依赖性和所述第二波长范围和/或第二强度发射的光（2）发射的光的第一强度，第二 具有温度依赖性，这是从第一温度依赖性不同，电阻元件（3）和所述第一半导体光源（1）的串联电路（4）的形式和串联电路（4）和第二半导体光源（2），一个并联电路（5）的形式。

公开(公告)号：WO2010022694A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/DE2009/001038

申请日：2009-07-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LINDER, Norbert ,  WIESMANN, Christopher ,  WIRTH, Ralph ,  STANLEY, Ross ,  HOUDRE, Romuald

Inventor： LINDER, Norbert ,  WIESMANN, Christopher ,  WIRTH, Ralph ,  STANLEY, Ross ,  HOUDRE, Romuald

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip angegeben, mit einer aktiven Schicht (2), die zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, und einer zweidimensionalen Anordnung von Struktureinheiten (5), die der aktiven Schicht in einer Hauptabstrahlrichtung (6) des Halbleiterchips nachgeordnet ist. Die Struktureinheiten (5) sind in einer willkürlichen statistischen Verteilung angeordnet. Durch eine derartige Anordnung von Struktureinheiten kann ein Halbleiterchip mit einer gerichteten Abstrahlcharakteristik realisiert werden.

Abstract translation: 公开的是具有有源层（2），其设置用于发射电磁辐射，以及有源层（5）的结构单元的在主发光方向上的半导体芯片（6）被布置下游的二维布置的半导体芯片。 结构单元（5）被布置在随机统计分布。 通过结构单元的这种布置中，具有定向辐射特性的半导体芯片可以实现的。

公开(公告)号：WO2008101456A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：PCT/DE2008/000172

申请日：2008-01-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein Chip (100) gemäß der Erfindung umfasst mindestens einen Halbleiterkδrper (4), der einen Strahlung emittierenden Bereich aufweist, und mindestens einen ersten Kontaktbereich (5), der zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (4) vorgesehen ist und vom Strahlung emittierenden Bereich lateral beabstandet ist, und umfasst ferner eine für die emittierte Strahlung durchlässige, elektrisch leitende erste Kontaktschicht (1), welche eine Oberfläche des Halbleiterkörpers (4), die sich auf der Strahlungsaustrittsseite des Chips (100) befindet, mit dem ersten Kontaktbereich (1) verbindet, wobei die Oberfläche frei ist von die Strahlung absorbierenden Kontaktstrukturen.

Abstract translation: 根据本发明的芯片（100）包括：（4），其具有发射辐射的区域的至少一个Halbleiterkdrper，以及至少一个第一接触区域（5），其是用于在半导体本体（4）的电接触被提供并且光从横向间隔开的辐射区域发射 ，进一步包括透射对于所发射的辐射，（1），其包括在半导体本体（4），其位于所述芯片（100）的辐射出射侧的表面上，与所述第一接触区域（1）连接导电的第一接触层， 其中所述表面是自由的辐射吸收接触结构。

公开(公告)号：WO2020193550A1

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：PCT/EP2020/058159

申请日：2020-03-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUDAEV, Sergey ,  WINDISCH, Reiner ,  SPRENGER, Dennis ,  WIRTH, Ralph ,  KLAFTA, Thomas

IPC: H01L31/167 ,  A61B5/024 ,  A61B5/1455 ,  H01L33/50

Abstract: Ein Lebenszeichensensor (10) umfasst ein Emitter-Bauelement (12), das dazu ausgelegt ist, Licht zu emittieren, ein Detektor-Bauelement (13), das dazu ausgelegt ist, Licht zu detektieren, eine erste Schicht (18) aus einem im Wesentlichen transparenten Material, wobei das Emitter-Bauelement (12) in die erste Schicht (18) eingebettet ist, und eine auf der ersten Schicht (18) angeordnete zweite Schicht (19) aus einem lichtstreuenden Material.

公开(公告)号：WO2011154180A2

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/EP2011/055848

申请日：2011-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  MAIWALD, Hubert ,  KRAUS, Robert ,  RODE, Patrick ,  WIRTH, Ralph

Inventor： VON MALM, Norwin ,  MAIWALD, Hubert ,  KRAUS, Robert ,  RODE, Patrick ,  WIRTH, Ralph

IPC: H05B41/392 ,  H05B33/08

CPC classification number: H05B37/00 ,  F21K9/232 ,  F21K9/233 ,  F21V3/00 ,  F21V23/026 ,  F21V29/70 ,  F21V29/74 ,  F21V29/89 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L41/044 ,  H01L41/107 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H05B33/0806 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Leuchtdiodenanordnung angegeben, mit einem Piezo-Transformator (1), der zumindest eine ausgangseitige Anschlussstelle (11) aufweist, und einer Hochvolt-Leuchtdiode (2), die einen Hochvolt- Leuchtdiodenchip (21) umfasst, wobei die Hochvolt-Leuchtdiode (2) elektrisch an die ausgangseitige Anschlussstelle (11) des Piezo-Transformators (1) angeschlossen ist und der Hochvolt-Leuchtdiodenchip (21) zumindest zwei aktive Bereiche umfasst, die zueinander in Reihe geschaltet sind.

Abstract translation: 提供了一种发光二极管布置，具有压电变压器（1）具有至少一个输出侧连接点（11），和高电压的发光二极管（2），包括一个高电压的发光二极管芯片（21），其特征在于，所述高电压发光二极管（ 2）电（输出侧连接的压电变压器（1）的点11）连接和高电压的发光二极管芯片（21）包括被相互串联连接的至少两个活性区域。

公开(公告)号：WO2011051084A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：PCT/EP2010/064800

申请日：2010-10-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BARCHMANN, Bernd ,  KALTENBACHER, Axel ,  STATH, Norbert ,  WEGLEITER, Walter ,  WEIDNER, Karl ,  WIRTH, Ralph

Inventor： BARCHMANN, Bernd ,  KALTENBACHER, Axel ,  STATH, Norbert ,  WEGLEITER, Walter ,  WEIDNER, Karl ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Trägerkörper (3) mit einem Anschlussbereich (5) auf. Auf dem Trägerkörper (3) ist ein Halbleiterchip (7) angeordnet. Auf der vom Trägerkörper (3) abgewandten Oberfläche (8) des Halbleiterchips (7) ist ein Kontaktbereich (10) aufgebracht. Der Anschlussbereich (5; ist mit dem Kontaktbereich (10) über eine freitragende Leitungsstruktur (13) elektrisch leitend verbunden. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben.

Abstract translation: 光电子器件包括支撑体（3）与连接区域（5）。 在承载体（3），半导体芯片（7）布置。 表面背离所述载体本体（3）的距离（8）的半导体芯片（7）是一个接触区域（10）施加。 连接区域（5;是（悬臂管结构13）电连接（与接触部分10）一种用于生产描述的光电器件的方法..

公开(公告)号：WO2010054622A2

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：PCT/DE2009/001548

申请日：2009-11-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, mit - einem Anschlussträger (2), auf dem zumindest zwei strahlungsemittierende Halbleiterchips (3) angeordnet sind, - einem Konversionselement (4), das am Anschlussträger (2) befestigt ist, wobei - das Konversionselement (4) die Halbleiterchips (3) derart überspannt, dass die Halbleiterchips (3) vom Konversionselement (4) und dem Anschlussträger (2) umgeben sind, und - zumindest zwei der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) sich hinsichtlich der Wellenlängen der von ihnen im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung voneinander unterscheiden.

Abstract translation: 提供了一种光电部件（1），包括： - 终端载体（2），被布置在所述至少两个发射辐射的半导体芯片（3），上 - 一个转换元件（4），其被固定到所述终端支撑件（2），其中： - 所述转换元件 （4）横跨半导体芯片（3），使得所述半导体芯片（3）由所述转换元件（4）和连接架（2）包围，以及 - 至少在从它们在操作的波长而言两个发射辐射的半导体芯片（3）的 彼此不同，所发出的电磁辐射。

公开(公告)号：WO2009155899A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/DE2009/000856

申请日：2009-06-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGENEK, Krister ,  WIRTH, Ralph ,  LINDER, Norbert ,  WIESMANN, Christopher

Inventor： BERGENEK, Krister ,  WIRTH, Ralph ,  LINDER, Norbert ,  WIESMANN, Christopher

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/46 ,  H01L51/5268 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer Vorderseite (7), die zur Strahlungsauskopplung vorgesehen ist, angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist in Richtung von einer der Vorderseite (7) gegenüberliegenden Rückseite (8) zur Vorderseite (7) hin folgende Elemente in der angegebenen Reihenfolge auf: eine aktive Schicht (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist; eine Durchmischungsschicht (2), die Streuelemente (21) zur Streuung der elektromagnetischen Strahlung enthält; eine Übergangsschicht (3), die einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der aktiven Schicht (1); und einen ersten photonischen Kristall (4).

Abstract translation: 它是具有前侧（7），其被设置用于耦合输出辐射，所指定的发射辐射的半导体芯片。 发射辐射的半导体芯片具有在所述前侧中的一个的方向（7）相反的后侧（8）前面（7）通过在所指示的顺序的下列元件：它被设置用于发射电磁辐射的有源层（1）; 的混合层（2），散射元件（21），用于的电磁辐射包括散射; 具有折射率比有源层（1）的折射率更小的过渡层（3）; 和的第一光子晶体（4）。