公开(公告)号：WO2012022628A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：PCT/EP2011/063483

申请日：2011-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/44 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/58 ,  G02B5/0278 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0091

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) auf. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Streukörper (34), der ein strahlungsdurchlässiges Matrixmaterial (3) und darin eingebettete Streupartikel (4) aus einem Partikelmaterial beinhaltet. Der Streukörper (34) ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Bei einer Temperaturänderung verändert sich ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial. Bei einer Temperatur von 300 K beträgt der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial höchstens 0,15.

Abstract translation: 在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）具有所述一种光电子半导体芯片（2）。 此外，半导体器件（1）包括至少一个扩散器（34）包括辐射透明基质材料中的颗粒材料（3）和嵌入其中散射颗粒（4）。 散射体（34）是半导体芯片（2）的下游。 随着温度变化，基体材料（3）和微粒材料之间的折射率差而改变。 在300K的温度下，基质材料（3）和微粒材料之间的折射率差为至多0.15。

公开(公告)号：WO2009132614A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/DE2009/000509

申请日：2009-04-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/153 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Vorliegend wird ein Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip (10) beschrieben aufweisend einen ersten Bereich (I) mit einer ersten aktiven Zone (1), einen durch einen Zwischenraum (11) von dem ersten Bereich (II) lateral getrennten zweiten Bereich mit einer zweiten aktiven Zone (2), die sich parallel zu der ersten aktiven Zone in einer unterschiedlichen Ebene erstreckt, und eine Ausgleichsschicht (5), die sich im zweiten Bereich auf Höhe der ersten aktiven Zone (1) befindet, wobei die Ausgleichsschicht kein Halbleitermaterial enthält.

Abstract translation: 在当前情况下，发射辐射的薄膜半导体芯片（10）中描述，其包括第一区域（I）与第一有源区（1）中，通过从第一区域（II）的间隙（11），横向分隔的具有第二有源第二区域 平行于延伸区（2），所述在不同的平面第一有源区，和（5）在第二区域中在所述第一有源区（1）的电平，其中，所述整平层不含有半导体材料延伸的平衡层。

公开(公告)号：WO2008043324A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：PCT/DE2007/001535

申请日：2007-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HEIDBORN, Peter ,  WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph

Inventor： HEIDBORN, Peter ,  WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung beschreibt einen LED-Halbleiterkörper mit mindestens einer ersten strahlungserzeugenden aktiven Schicht und mindestens einer zweiten strahlungserzeugenden aktiven Schicht, die in vertikaler Richtung über die erste aktive Schicht gestapelt und mit der ersten aktiven Schicht in Serie geschaltet ist, wobei die erste aktive Schicht und die zweite aktive Schicht mittels einer Kontaktzone elektrisch leitend verbunden sind. Ferner beschreibt die Erfindung verschiedene Verwendungen des LED-Halbleiterkörpers.

Abstract translation: 本发明描述了一种具有LED半导体主体上的至少一个第一辐射产生活性层和至少一个第二辐射产生活性层堆叠在所述第一有源层上的垂直方向和串联连接到所述第一有源层，其中，所述第一有源层和所述 第二有源层导电地通过接触区相连接。 本发明进一步描述的LED半导体主体的各种用途。

公开(公告)号：WO2008040300A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：PCT/DE2007/001693

申请日：2007-09-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph ,  GRÖTSCH, Stefan ,  BOGNER, Georg ,  KIRCHBERGER, Günter ,  STREUBEL, Klaus

Inventor： WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph ,  GRÖTSCH, Stefan ,  BOGNER, Georg ,  KIRCHBERGER, Günter ,  STREUBEL, Klaus

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/167 ,  H01L33/08 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung beschreibt einen LED-Halbleiterkörper (1) mit einer Anzahl von mindestens zwei strahlungserzeugenden aktiven Schichten (2, 3), die jeweils eine Durchlassspannung (ULED) aufweisen, wobei die Anzahl der aktiven Schichten derart an eine Betriebsspannung (UB) angepasst ist, dass die an einem zu den aktiven Schichten (2, 3) in Serie geschalteten Vorwiderstand (10) abfallende Spannung (UW) höchstens so groß ist wie eine am LED-Halbleiterkörper (1) abfallende Spannung (UH). Ferner beschreibt die Erfindung verschiedene Verwendungen des LED-Halbleiterkörpers (1).

Abstract translation: 本发明描述了具有多个至少两个产生辐射的有源层的LED半导体主体（1）（2，3）各自具有的正向电压（U LED），其特征在于，以这样的方式来工作电压的有源层的（UB）的数量被适配 使得在有源层中的一个（2,3）串联连接串联电阻器（10）下降的电压（UW）至多为大到LED半导体主体（1）下降的电压（UH）。 本发明进一步描述的LED半导体主体（1）的各种用途。

公开(公告)号：WO2007036197A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：PCT/DE2006/001615

申请日：2006-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip offenbart, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von seiner Vorderseite (7) emittiert, mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (4) , der geeignet ist, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und - einer auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildeten, freitragenden und elektrisch leitenden mechanischen Stützschicht (10) , die die Halbleiterschichtenfolge (1) mechanisch stützt und für Strahlung des Halbleiterchips durchlässig ist.

Abstract translation: 它的光电子半导体芯片中公开了从正面侧在操作期间电磁辐射（7），其包括发射： - （1）具有有源区（4），其适于产生所述电磁辐射的半导体层序列，和 - 一个用于 半导体层序列形成的，自支撑的和导电的机械支承层（10）（1）机械地支撑半导体层序列并且是透明的，以所述半导体芯片的辐射。

公开(公告)号：WO2006034694A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/DE2005/001711

申请日：2005-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STREUBEL, Klaus ,  WIRTH, Ralph

Inventor： STREUBEL, Klaus ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/387 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Dünnfilmchip angegeben, der wenigstens einen strahlungsemittierenden Bereich (8) in einer aktiven Zone (7) einer Dünnfilmschicht (2), und eine dem strahlungsemittierenden Bereich (8) nachgeordnete Linse (10, 12), die durch zumindest einen Teilbereich der Dünnfilmschicht (2) gebildet ist aufweist, wobei die laterale Ausdehnung (Φ) der Linse (10, 12) größer ist als die laterale Ausdehnung des strahlungsemittierenden Bereichs (δ). Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Dünnfilmchips angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种光电薄膜芯片，所述至少一个发射辐射的区域（8）中的有源区（7）的薄膜层（2）和发射辐射的区域（8）穿过的至少一个部分中的透镜（10，12）的下游 形成（2）薄膜层，所述透镜（10，12）的横向延伸部（F）大于所述发射辐射的区域（d）的横向范围更大。 此外，被指定用于制造这种光电子薄膜芯片的方法。

公开(公告)号：WO2005117147A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/DE2005/000753

申请日：2005-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan ,  STEIN, Wilhelm ,  WALTER, Robert ,  WIRTH, Ralph

Inventor： ILLEK, Stefan ,  STEIN, Wilhelm ,  WALTER, Robert ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/7605 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/42

Abstract: Bei einem Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht (3) wird auf den Bereich (8) der Halbleiterschicht (3) eine ZnO-Schicht (1) aufgebracht und anschließend bevorzugt bei einer Temperatur zwischen 300 °C und 500 °C getempert. Die ZnO-Schicht (1) wird bevorzugt bei einer Temperatur von weniger als 150 °C, bevorzugt zwischen einschließlich 25 °C und einschließlich 120 °C auf die III-V-Halbleiterschicht (3) abgeschieden. Der Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit ist bevorzugt in einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement zwischen der aktiven Zone (4) und einem Anschlusskontakt (7) angeordnet, um die Strominjektion in die dem Anschlusskontakt (7) gegenüberliegenden Bereiche der aktiven Zone (4) zu vermindern.

Abstract translation: 在用于导电的III-V族的半导体层内产生的至少一个区域（8）具有降低的导电性的方法（3）被施加到区域（8）的半导体层（3）的ZnO层（1），然后 优选退火在温度300℃和500℃之间 ZnO层（1）优选沉积在低于150℃的温度之间，优选在25℃和120℃，包括III-V族半导体层（3）上。 具有减小的导电率的区域（8）优选地被布置在有源区（4）和一个终端（7），以将电流注入到所述连接触点之间的发射辐射的光电部件（7）的有源区的相对区域（4） 降低。

公开(公告)号：WO2004061980A1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：PCT/DE2003/004197

申请日：2003-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph ,  ZULL, Heribert

Inventor： WINDISCH, Reiner ,  WIRTH, Ralph ,  ZULL, Heribert

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufrauhen einer Oberfläche eines Körpers (1), mit folgenden Schritten: Beschichten der Oberfläche mit einer Maskenschicht (2), Aufbringen von vorgeformten Maskenkörpern (3) auf der Maskenschicht (2), Durchätzen der Maskenschicht an von Maskenkörpern (3) unbedeckten Stellen, Ätzen des Körpers (1) an von der Maskenschicht (2) freien Stellen seiner Oberfläche. Ferner betrifft die Erfindung ein optoelektronisches Bauelement. Durch die Verwendung der Maskenschicht (2) als zusätzliche Hilfsmaske können Verfahren mit niedriger Selektivität gegenüber Polystyrolkugeln zum Ätzen verwendet werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于粗化表面的本体（1）的方法，包括以下步骤：所述掩模层（2）上用的掩模层（2）涂覆所述表面，施加预制掩模体（3），通过掩模层（从掩模体蚀刻 3）未覆盖的部分，所述主体（1）〜（掩模层2）的蚀刻空缺其表面上。 本发明还涉及一种光电子器件。 通过使用掩模层（2）作为附加的辅助掩模过程可以用低选择性对蚀刻聚苯乙烯球被使用。

公开(公告)号：WO2017009281A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066418

申请日：2016-07-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR, Johannes ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  HÖPPEL, Lutz ,  MAUTE, Markus ,  SCHWARZ, Thomas ,  SABATHIL, Matthias ,  WIRTH, Ralph ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil(10) angegeben umfassend einen Licht emittierenden Halbleiterkörper (1) mit einer Abstrahlseite (1a), eine Stromaufweitungsschicht (2), welche an der Abstrahlseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und diese zumindest teilweise abdeckt, wobei die Stromaufweitungsschicht (2) ein für das vom Halbleiterkörper (1) abgestrahlte Licht transparentes elektrisch leitfähiges Material (2a) und Partikel(2b) eines weiteren Materials umfasst, und einen elektrischen Kontakt (3), welcher auf einer dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite (2c) der Stromaufweitungsschicht (2) angeordnet ist.

Abstract translation: 它是一种光电子半导体器件（10），提供一种包括发射光的半导体主体（1）与放射侧（1a）中，电流扩散层（2），其在所述半导体主体（1）的出射侧（1a）和覆盖其至少部分地， 其中，所述电流扩展层（2）包括一个由半导体本体照射的（1）光透明的导电材料（2a）和粒子（2b）的另一种材料，和一个电触点（3），其从半导体本体背向的（1） 的侧面（2c）的所述电流扩散层（2）。

公开(公告)号：WO2012016850A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：PCT/EP2011/062598

申请日：2011-07-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LINKOV, Alexander ,  WIRTH, Ralph

Inventor： LINKOV, Alexander ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: Es handelt sich um ein optoelektronisches Bauelement (1) zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld. Das optoelektronisches Bauelement (1) umfasst einen Träger (2). Auf dem Träger (2) ist mindestens ein erster Halbleiterchip (3) mit einer ersten Strahlungsaustrittsfläche (13) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem ersten Spektralbereich (14) vorgesehen. Auf dem Träger (2) ist mindestens ein zweiter Halbleiterchip (4) mit einer zweiten Strahlungsaustrittsfläche (17) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem zweiten Spektralbereich (15) vorgesehen. Auf den vom Träger (2) abgewandten Strahlungsaustrittsflächen (13, 17) der Halbleiterchips (3, 4) ist eine Streuschicht (8) vorgesehen.

Abstract translation: 它是一种光电子器件（1）到具有在远场中不同的波长，特别是电磁辐射该混合物。 光电子器件（1）包括支撑件（2）。 在载体（2）是具有用于在第一频谱区域（14）发射电磁辐射的第一辐射出射表面（13）的至少一个第一半导体芯片（3）。 在载体（2）是至少一个第二半导体芯片（4）与第二辐射出射表面（17），用于在第二光谱区（15）的电磁辐射的发射。 在载体（2）远离所述半导体芯片的辐射出射表面（13，17）（3,4）设置的扩散层（8）。