公开(公告)号：DE102015114086A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114086

申请日：2015-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHR BARBARA ,  WENDT MATHIAS ,  ZENGER MARCUS

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L33/40

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauelement (100) aufweisend eine erste Komponente (1), eine zweite Komponente (2), ein Verbindungselement (3), das direkt zwischen der ersten Komponente (1) und der zweiten Komponente (2) angeordnet ist, wobei das Verbindungselement (3) zumindest ein erstes Metall (Me1) aufweist, das als eine Haftschicht (4) ausgeformt ist, die direkt an der ersten Komponente (1) und/oder zweiten Komponente (2) angeordnet ist, das als Diffusionsbarriere (5) ausgeformt ist, das Bestandteil einer ersten Phase (31) und/oder einer zweiten Phase (32) des Verbindungselements (3) ist, wobei die erste und/oder zweite Phase (31, 32) jeweils neben dem ersten Metall (Me1) noch weitere von dem ersten Metall verschiedene Metalle umfasst, wobei die Konzentration (c11) des ersten Metalls (Me1) in der ersten Phase (31) größer ist als die Konzentration (c25) des ersten Metalls (Me1) in der zweiten Phase (32).

公开(公告)号：DE102013111918A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102013111918

申请日：2013-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTUNG GEORG ,  ZENGER MARCUS ,  TAUTZ BARBARA

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Anschlussschicht (4), eine Isolierungsschicht (5) und einer zweiten Anschlussschicht (6) angegeben, bei dem der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich (23) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (S) aufweist, und die zweite Anschlussschicht eine erste Teilschicht (61) und eine zweite Teilschicht (62) umfasst, wobei – die Isolierungsschicht die erste Anschlussschicht von der zweiten Anschlussschicht elektrisch isoliert, – die erste Teilschicht in einer vertikalen Richtung zwischen der zweiten Teilschicht und dem Halbleiterkörper angeordnet ist, – in Draufsicht auf den Halbleiterkörper die erste Anschlussschicht mit der ersten Teilschicht überlappt und in einer lateralen Richtung von der zweiten Teilschicht beabstandet ist, und – die erste Anschlussschicht eine erste Schichtdicke (D1) aufweist und die zweite Teilschicht eine zweite Schichtdicke (D2) aufweist, wobei sich die erste Schichtdicke und die zweite Schichtdicke höchstens um 20 % voneinander unterscheiden.