-
公开(公告)号：FR2915623B1
公开(公告)日：2009-09-18
申请号：FR0703089
申请日：2007-04-27
Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE , RAUWEL ERWAN YANN , COSNIER VINCENT , LHOSTIS SANDRINE , BENSAHEL DANIEL CAMILLE
IPC: H01L21/316 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: The circuit has a hafnium oxide based electrically isolating thin layer portion (1) containing atoms of magnesium under the form of oxide mixing of hafnium and magnesium, where the dielectric permittivity of the thin layer portion is between 30 and 80. The oxide mixing of hafnium and magnesium is amorphous or having cubic or tetragonal or orthorhombique crystalline structure. The portion is constituted of a gate-insulating-layer (13) of a MOS transistor, and separated of a transistor channel (10) by an intermediate layer (2). An independent claim is also included for a method for forming a thin layer containing oxide mixing of hafnium and magnesium on a substrate for manufacturing an integrated electronic circuit.
-
公开(公告)号：FR3098017A1
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：FR1907165
申请日：2019-06-28
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： REYNARD JEAN-PHILIPPE , FAVENNEC LAURENT , LHOSTIS SANDRINE
IPC: H01L21/70 , H01L21/324
Abstract: Procédé de réalisation d’un dispositif électronique et dispositif électronique, dans lesquels un premier étage électronique (2) et un deuxième étage électronique (3) sont réalisés séparément et sont montés et empilés l’un au-dessus de l’autre et comprennent des plots de contact (5, 6) situés les uns au-dessus des autres et reliés entre eux, le premier étage électronique (2) incluant des composants électroniques intégrés (7) qui sont spécifiquement choisis de sorte à supporter des traitements thermiques à des températures supérieures à un seuil haut de température (Sh), et le deuxième étage électronique (3) incluant des composants électroniques intégrés (8) qui sont spécifiquement choisis de sorte à supporter des traitements thermiques à des températures inférieures à un seuil bas de température (Sb), inférieur au seuil haut de température (Sh) précité, et qui ne supportent pas des traitements thermiques à des températures supérieures au seuil haut de température (Sh) précité. Figure pour l’abrégé : Fig 1
-
公开(公告)号：FR3030112B1
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：FR1462372
申请日：2014-12-12
Inventor： COLLIN LOUIS-MICHEL , FRECHETTE LUC , LHOSTIS SANDRINE
Abstract: L'invention concerne un assemblage d'une puce (3) de circuits intégrés et d'une plaque (5), dans lequel au moins un canal (15) disposé entre la puce et la plaque s'étend d'un bord à un autre bord de la plus petite de la puce ou de la plaque, et est délimité par des parois latérales métalliques (17) s'étendant au moins partiellement d'une face de la puce à une face en regard de la plaque.
-
公开(公告)号：FR3007534A1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：FR1355849
申请日：2013-06-20
Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN , LHOSTIS SANDRINE , BOUTAMI SALIM
IPC: G02B5/20 , H01L27/146 , H01L27/32
Abstract: L'invention concerne un filtre spectral (2) comportant au moins un premier ensemble de cellules de filtrage (21, 22, 23) comprenant un même motif nanostructuré, dans lequel une direction privilégiée (26) du motif est, pour chaque cellule, orientée approximativement radialement ou ortho-radialement par rapport au centre (0) du filtre ou à un axe optique.
-
15.发明专利
公开(公告)号：FR2915623A1
公开(公告)日：2008-10-31
申请号：FR0703089
申请日：2007-04-27
Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE , RAUWEL ERWAN YANN , COSNIER VINCENT , LHOSTIS SANDRINE , BENSAHEL DANIEL CAMILLE
IPC: H01L21/316 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: Un circuit électronique intégré comprend une portion de couche mince à base d'oxyde d'hafnium (1). Selon l'invention, cette portion contient en outre des atomes de magnésium, sous forme d'un oxyde mixte d'hafnium et de magnésium. Une telle portion présente une permittivité diélectrique élevée et un courant de fuite très faible. Elle est particulièrement adaptée pour former une partie d'une couche d'isolation de grille d'un transistor MOS ou une partie d'un diélectrique de condensateur MIM.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2995443B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：FR1258472
申请日：2012-09-10
Inventor： NODIN JEAN-FRANCOIS , SOUSA VERONIQUE , LHOSTIS SANDRINE
-
公开(公告)号：GB2518454A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：GB201316965
申请日：2013-09-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS RES & DEV , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： CALEY ADAM JOHN , PARODI-KERAVEC PIERRE-JEAN , LE-BRIZ OLIVER , LHOSTIS SANDRINE
Abstract: A proximity sensor is provided of the type comprising a radiation source for emitting a primary radiation beam and a primary detector for picking up a reflected primary radiation beam. The sensor comprises a reference detector 422 co-located with the radiation source. The reference detector is arranged to receive back emission stray radiation emitted from the radiation source. The radiation source may comprise a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) comprising a first mirror 400 and a second mirror 402 provided either side of an active layer 404. The reflectivity of the first and second mirrors may permit back emission of radiation. The source may be mounted on an underlying substrate 408 which carries the reference detector 422. Electrodes 412, 414 may be coupled with bond pads 416, 418 via bond wires 410. The source may instead comprise an LED. The first mirror 400, active layer 404 and second mirror 402 may be provided on an at least partially transparent substrate 406.
-
公开(公告)号：FR3014243B1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：FR1362088
申请日：2013-12-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN , LHOSTIS SANDRINE , BOUTAMI SALIM , MARTY MICHEL
IPC: H01L27/146 , G02B5/20
-
公开(公告)号：FR3041772A1
公开(公告)日：2017-03-31
申请号：FR1559267
申请日：2015-09-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN , MARTY MICHEL , BOUTAMI SALIM , LHOSTIS SANDRINE
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un filtre spectral comprenant les étapes successives suivantes : a) former, dans une première couche en un premier matériau, un premier barreau rectangulaire (27) en un deuxième matériau d'indice optique différent de celui du premier matériau ; et b) former, dans une deuxième couche ou dans la deuxième couche et à la fois dans une partie au moins de la première couche, un deuxième barreau rectangulaire (33) en le deuxième matériau et en contact avec le premier barreau, la deuxième couche reposant sur la première couche et étant en le premier matériau.
-
公开(公告)号：FR3044431B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：FR1561454
申请日：2015-11-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN , LHOSTIS SANDRINE , BOUTAMI SALIM
IPC: G02F1/01
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.034 seconds)
