公开(公告)号：FR3078436A1

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：FR1851615

申请日：2018-02-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DUTARTRE DIDIER

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/82

Abstract: Circuit intégré (IC) comportant un substrat (1), au moins un premier domaine (D1), et au moins un deuxième domaine (D2) distinct dudit au moins un premier domaine (D1), dans lequel le substrat (1) contient une région riche en pièges (CP) uniquement dans ledit au moins un deuxième domaine (D2).

公开(公告)号：FR3073075A1

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：FR1760166

申请日：2017-10-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MORIN PIERRE ,  DUTARTRE DIDIER

IPC: G11C13/02

Abstract: L'invention concerne un point mémoire à matériau à changement de phase, comprenant, sur un via (108) de liaison avec un transistor, un élément de chauffage (116) du matériau à changement de phase (118), et, entre le via et l'élément de chauffage (116), une couche (202) en un matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5·10-5 Ω.m, les interfaces entre ladite couche et les matériaux en contact avec les deux faces de ladite couche formant une barrière thermique, ladite couche étant suffisamment mince pour pouvoir être traversée par un courant électrique par un effet de type effet tunnel.

公开(公告)号：FR3068174A1

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：FR1755669

申请日：2017-06-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOLANSKI DOMINIQUE ,  JIMENEZ JEAN ,  DUTARTRE DIDIER ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une photodiode SPAD, compatible avec la fabrication de transistors MOS, comprenant : délimiter une zone de formation d'une photodiode SPAD dans une couche (6) de matériau semiconducteur d'un premier type de dopage ; implanter des dopants d'un second type avec une première énergie dans une première région enterrée (20) de ladite zone ; et faire croître une couche épitaxiale (22) sur l'ensemble de la structure.