公开(公告)号：FR2965662A1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：FR1057945

申请日：2010-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： ABOUZEID FADY ,  CLERC SYLVAIN ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: H01L27/105

Abstract: L'invention concerne un circuit d'aide à la lecture disposé pour renforcer la différence de tension entre une paire de lignes de bit complémentaires (BL, ) d'un dispositif mémoire pendant une opération de lecture. Ce circuit d'aide à la lecture comprend un premier transistor (302A, 302B) commandé par le niveau de tension de la première ligne de bit de la paire pour coupler la seconde ligne de bit de la paire à une première tension d'alimentation (VDD) ; et un deuxième transistor (312A, 312B) commandé par le niveau de tension sur la seconde ligne de bit pour coupler la première ligne de bit à une seconde tension d'alimentation (GND).

公开(公告)号：FR2958470A1

公开(公告)日：2011-10-07

申请号：FR1052328

申请日：2010-03-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： TORRAS FLAQUER JOSEP ,  DAVEAU JEAN-MARC ,  NAVINER LIRIDA ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: H03K19/00 ,  G06F11/30

Abstract: La détermination d'une information de fiabilité d'un circuit électronique comprenant un réseau nodal de composants comportant au moins un chemin de reconvergence entre une source de corrélation et un puits, comprend au niveau de chaque composant (PTS) du chemin une élaboration d'une matrice de probabilités conditionnelles (CPM) dont le conditionnement est lié à au moins un nœud (SC1, SC2, SC3) du chemin situé en amont dudit composant.