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    Circuit intégré comprenant une mémoire non-volatile du type EEPROM et procédé de fabrication correspondant.
    11.
    发明专利
    Circuit intégré comprenant une mémoire non-volatile du type EEPROM et procédé de fabrication correspondant. 未知

    公开(公告)号：FR3122943A1

    公开(公告)日：2022-11-18

    申请号：FR2104996

    申请日：2021-05-11

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： TAILLIET FRANÇOIS ,  SIMOLA ROBERTO ,  BOIVIN PHILIPPE

    IPC: G11C11/04

    Abstract: Le circuit intégré de mémoire non-volatile du type électriquement effaçable et programmable comporte des cellules mémoires (CEL), chaque cellule mémoire (CEL) ayant un transistor d’état (TE) comportant une structure de grilles (SG) comprenant une grille de commande (CG) et une grille flottante (FG) disposée sur une face d’un caisson semiconducteur (PW), ainsi qu’une région de source et une région de drain dans le caisson semiconducteur (PW). La région de drain comporte une première région d’implant capacitif (103) positionnée majoritairement sous la structure de grilles (SG) et une région faiblement dopée (LDD) positionnée majoritairement à l’extérieur de la structure de grilles (SG). La région de source comporte une deuxième région d’implant capacitif (105) positionnée majoritairement à l’extérieur de la structure de grilles (SG), la région de source ne comportant pas de région faiblement dopée. Figure pour l’abrégé : Fig 2

    Mémoire à changement de phase
    12.
    发明专利
    Mémoire à changement de phase 未知

    公开(公告)号：FR3115931A1

    公开(公告)日：2022-05-06

    申请号：FR2011088

    申请日：2020-10-29

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： BOIVIN PHILIPPE

    IPC: H01L45/00

    Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un dispositif comprenant des cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule mémoire (10) comprenant un premier élément résistif (24) en contact latéral avec un deuxième élément (26) en un matériau à changement de phase. Figure pour l'abrégé : Fig. 1A

    PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS, EN PARTICULIER DES TRANSISTORS DE SELECTION POUR DES MEMOIRES NON-VOLATILES, ET DISPOSITIF CORRESPONDANT.
    15.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS, EN PARTICULIER DES TRANSISTORS DE SELECTION POUR DES MEMOIRES NON-VOLATILES, ET DISPOSITIF CORRESPONDANT. 未知

    公开(公告)号：FR3056010A1

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：FR1658405

    申请日：2016-09-09

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  FAGOT JEAN-JACQUES

    IPC: G11C5/00 ,  H01L21/335

    Abstract: Un transistor MOS à deux grilles verticales (TS) comporte une zone d'un substrat semiconducteur (ZS) ayant un premier type de conductivité séparée du reste du substrat (SUB) par deux premières tranchées parallèles (GT1, GT2) s'étendant dans une première direction (X), une région isolée de grille (G12, G21) reposant sur chaque flanc de la zone de substrat (ZS) et sur une partie du fond de la tranchée correspondante et formant les deux grilles verticales, au moins une région de connexion de grille reliant électriquement les deux grilles verticales (G12, G21), une première région enterrée (CTR) située sous la zone de substrat (ZS) ayant un deuxième type de conductivité et formant une première électrode de conduction du transistor et une deuxième région (DP) ayant le deuxième type de conductivité, située au voisinage de la surface de la zone de substrat (ZS) et formant une deuxième électrode de conduction du transistor (TS).

    PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES MEMOIRE
    16.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES MEMOIRE 未知

    公开(公告)号：FR2997791A1

    公开(公告)日：2014-05-09

    申请号：FR1260574

    申请日：2012-11-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： BOIVIN PHILIPPE

    IPC: H01L21/764 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8247

    Abstract: Procédé de fabrication d'au moins une cellule d'un composant semiconducteur comprenant une étape de positionnement d'une première couche conductrice (13) de type polysilicium sur un substrat (11), au-dessus d'une couche isolante (12) de type oxyde, caractérisé en ce qu'il comprend une étape comprenant la réalisation d'au moins une tranchée (23) au sein de la première couche conductrice (13) pour former deux parties conductrices (13a, 13b) distinctes non reliées électriquement destinées à former deux grilles de transistor de respectivement deux cellules jumelles distinctes.

    CAPTEUR DE MESURE DE RAYONNEMENT ULTRAVIOLET
    18.
    发明专利
    CAPTEUR DE MESURE DE RAYONNEMENT ULTRAVIOLET 未知

    公开(公告)号：FR2978244A1

    公开(公告)日：2013-01-25

    申请号：FR1156607

    申请日：2011-07-21

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： CASTELLAN JULIA ,  BOIVIN PHILIPPE

    IPC: G01J1/42 ,  G01J1/02

    Abstract: Procédé de mesure d'un rayonnement de photons énergétiques, comme des ultraviolets, sur une certaine surface, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - Programmation d'au moins un transistor, consistant à lui transmettre une charge électrique ; - Mesure d'une grandeur électrique du au moins un transistor recevant un rayonnement de photons énergétiques ; - Estimation à partir de cette grandeur électrique mesurée de la quantité de rayonnement reçue.

    Isolation de cellules mémoire à changement de phase
    20.
    发明专利
    Isolation de cellules mémoire à changement de phase 未知

    公开(公告)号：FR3112018A1

    公开(公告)日：2021-12-31

    申请号：FR2006890

    申请日：2020-06-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： BOIVIN PHILIPPE

    IPC: G11C13/02 ,  H01L27/24

    Abstract: Isolation de cellules mémoire à changement de phase La présente description concerne un dispositif mémoire comprenant des cellules mémoire (12) à changement de phase, les parois latérales de chaque cellule étant recouvertes d'une première couche d'isolement électrique (24) et d'au moins un premier (28, 29) matériau d'isolement thermique, et un procédé de fabrication d’un tel dispositif. Figure pour l'abrégé : Fig. 1A

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