公开(公告)号：FR2891087A1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：FR0552818

申请日：2005-09-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHEVALIER PASCAL ,  CHANTRE ALAIN

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: L'invention concerne un transistor bipolaire comprenant une région de base (30) reposant par sa face inférieure sur une région de collecteur (1) et entourée d'une première couche isolante (2), une région conductrice de contact de base (3) en contact avec une région périphérique supérieure externe de la région de base, une deuxième région isolante (8) en contact avec une région périphérique supérieure intermédiaire de la région de base, une région d'émetteur (32) en contact avec la partie centrale de la région de base. Le niveau de la partie centrale est plus élevé que le niveau de ladite partie intermédiaire.

公开(公告)号：FR2868203B1

公开(公告)日：2006-06-09

申请号：FR0450610

申请日：2004-03-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHANTRE ALAIN ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/10 ,  H01L29/737

Abstract: A method forms a bipolar transistor in a semiconductor substrate of a first conductivity type. The method includes: forming on the substrate a single-crystal silicon-germanium layer; forming a heavily-doped single-crystal silicon layer of a second conductivity type; forming a silicon oxide layer; opening a window in the silicon oxide and silicon layers; forming on the walls of the window a silicon nitride spacer; removing the silicon-germanium layer from the bottom of the window; forming in the cavity resulting from the previous removal a heavily-doped single-crystal semiconductor layer of the second conductivity type; and forming in said window the emitter of the transistor.

公开(公告)号：FR3087048A1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：FR1859285

申请日：2018-10-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L29/08

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (1000) dans lequel la formation du collecteur comprend une étape de formation d'une première couche dopée de manière sensiblement homogène au fond d'une cavité, et une étape de formation d'une deuxième couche (1002) dopée de manière graduelle par diffusion des dopants de la première couche.

公开(公告)号：FR2858877B1

公开(公告)日：2005-10-21

申请号：FR0350418

申请日：2003-08-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTINET BERTRAND ,  MARTY MICHEL ,  CHEVALIER PASCAL ,  CHANTRE ALAIN

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/737

Abstract: A method for forming a heterojunction bipolar transistor including the steps of: forming in a semiconductor substrate a collector area of a first doping type; growing by epitaxy above a portion of the collector area a silicon/germanium layer of a second doping type forming a base area; forming above the silicon/germanium layer a sacrificial emitter formed of a material selectively etchable with respect to the silicon/germanium layer and with respect to the layers and consecutively-formed insulating spacers; forming first insulating spacers on the sides of the sacrificial emitter; growing by epitaxy a silicon layer above the exposed portions of the silicon/germanium layer; forming second insulating spacers adjacent to the first spacers and laid on the silicon layer; covering the entire structure with an insulating layer; partially removing the insulating layer above the sacrificial emitter and removing the sacrificial emitter; filling the space previously taken up by the sacrificial emitter with a semiconductor material of the first doping type.

公开(公告)号：FR2868206A1

公开(公告)日：2005-09-30

申请号：FR0450609

申请日：2004-03-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHANTRE ALAIN ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732

Abstract: L'invention concerne un transistor bipolaire réalisé dans un substrat semiconducteur (20) d'un premier type de conductivité, comportant, directement sur le substrat, une région semiconductrice monocristalline (34) dopée d'un second type de conductivité délimitée par un isolant (30) et immédiatement sous-jacente à une couche semiconductrice monocristalline (26) dopée du second type de conductivité constituant la base extrinsèque du transistor, ladite base extrinsèque monocristalline s'étendant également sur ledit isolant, un émetteur (19) du transistor étant formé sur ladite région semiconductrice monocristalline et étant isolé de ladite base extrinsèque monocristalline.