公开(公告)号：FR3087048B1

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：FR1859285

申请日：2018-10-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L29/08

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (1000) dans lequel la formation du collecteur comprend une étape de formation d'une première couche dopée de manière sensiblement homogène au fond d'une cavité, et une étape de formation d'une deuxième couche (1002) dopée de manière graduelle par diffusion des dopants de la première couche.

公开(公告)号：FR3087047B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1859284

申请日：2018-10-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L29/08

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (100) comprenant une étape de formation d'une première partie (104) d'un collecteur s'étendant sous une tranchée isolante (106), et une étape de formation d'une deuxième partie (110) du collecteur traversant la tranchée isolante, les première et deuxième parties du collecteur étant en contact physique.

公开(公告)号：FR3087047A1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：FR1859284

申请日：2018-10-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L29/08

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (100) comprenant une étape de formation d'une première partie (104) d'un collecteur s'étendant sous une tranchée isolante (106), et une étape de formation d'une deuxième partie (110) du collecteur traversant la tranchée isolante, les première et deuxième parties du collecteur étant en contact physique.

公开(公告)号：FR3087048A1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：FR1859285

申请日：2018-10-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L29/08

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (1000) dans lequel la formation du collecteur comprend une étape de formation d'une première couche dopée de manière sensiblement homogène au fond d'une cavité, et une étape de formation d'une deuxième couche (1002) dopée de manière graduelle par diffusion des dopants de la première couche.

公开(公告)号：FR3113539B1

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：FR2008633

申请日：2020-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BREZZA EDOARDO ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: Transistor bipolaire La présente description concerne un transistor bipolaire comprenant un empilement d'un émetteur (122), d'une base (112, 116) et d'un collecteur (110, 104), ladite base étant structurée comme un peigne dont les doigts (117) sont orientés dans un plan orthogonal à la direction de l'empilement. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3107783A1

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：FR2001986

申请日：2020-02-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BREZZA EDOARDO ,  GAUTHIER ALEXIS ,  DEPRAT FABIEN ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/331

Abstract: Le présent texte concerne un procédé de fabrication d’un transistor bipolaire, comprenant :- formation d’un empilement (2) comprenant successivement quatre couches (21, 22, ,23, 24), dans lequel chacune des première à quatrième couches est apte à être gravée sélectivement par rapport à chaque couche adjacente, les première, deuxième et quatrième couche étant électriquement isolantes,- formation d’une ouverture (20),- formation par épitaxie du collecteur (C) et formation par gravure sélective d’une ouverture annulaire (230) dans la troisième couche (23),- formation par épitaxie d’une base intrinsèque (B1), séparée de la troisième couche (23) par une lame d’air (3) formée dans l’ouverture annulaire (230), - formation de l’émetteur (E) sur la base intrinsèque,- gravure sélective de la troisième couche (23),- dépôt sélectif d’une couche semi-conductrice (30) sur la deuxième couche (22), en contact direct avec la partie intrinsèque, de sorte à former une base extrinsèque (B2). Figure pour l’abrégé : Fig 13

公开(公告)号：FR3113539A1

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：FR2008633

申请日：2020-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BREZZA EDOARDO ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/732

Abstract: Transistor bipolaire La présente description concerne un transistor bipolaire comprenant un empilement d'un émetteur (122), d'une base (112, 116) et d'un collecteur (110, 104), ladite base étant structurée comme un peigne dont les doigts (117) sont orientés dans un plan orthogonal à la direction de l'empilement. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3098016A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1907150

申请日：2019-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： AVENIER GREGORY ,  GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/328 ,  H01L27/102

Abstract: Procédé de réalisation d’une diode La présente description concerne un procédé de réalisation, conjointement sur un même substrat (500), d’au moins un transistor bipolaire (300) et d’au moins une diode à capacité variable (100). Figure pour l'abrégé : Fig. 18

公开(公告)号：FR3098015A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1907149

申请日：2019-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CHEVALIER PASCAL ,  GAUTHIER ALEXIS ,  AVENIER GREGORY

IPC: H01L27/102 ,  H01L21/328

Abstract: Procédé de réalisation d’une diode La présente description concerne un procédé de réalisation, conjointement sur un même substrat (500), d’au moins un transistor bipolaire (300) et d’au moins une diode à capacité variable (100). Figure pour l'abrégé : Fig. 17

公开(公告)号：FR2868203A1

公开(公告)日：2005-09-30

申请号：FR0450610

申请日：2004-03-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHANTRE ALAIN ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/10 ,  H01L29/737

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un transistor bipolaire dans un substrat semiconducteur (20) d'un premier type de conductivité, comportant les étapes suivantes :a) former sur le substrat une couche monocristalline de silicium-germanium (22) ;b) former une couche de silicium monocristallin (24) fortement dopée d'un second type de conductivité ;c) former une couche d'oxyde de silicium (26) ;d) ouvrir une fenêtre (28) dans les couches d'oxyde de silicium et de silicium ;e) former sur les parois de la fenêtre un espaceur (30) en nitrure de silicium ;f) éliminer la couche de silicium-germanium depuis le fond de la fenêtre ;g) former dans la cavité (31) résultante de l'élimination précédente une couche semiconductrice monocristalline (32) fortement dopée du second type de conductivité ; eth) former dans ladite fenêtre l'émetteur (36) du transistor.