公开(公告)号：FR3062234A1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：FR1750594

申请日：2017-01-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BERNASCONI SOPHIE ,  CHARPIN-NICOLLE CHRISTELLE ,  HALIMAOUI AOMAR

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/00

Abstract: La présente invention concerne un dispositif mémoire comprenant une première électrode (27), une deuxième électrode (28) et une portion active à changement d'état conducteur disposée entre une première face de la première électrode (27) et une première face de la deuxième électrode (28). La première électrode (27) comprend une portion supérieure formant la première face de la première électrode (27). Au moins l'une parmi la portion supérieure et la portion active à changement d'état conducteur comprend une couche poreuse (15).

公开(公告)号：FR2966285A1

公开(公告)日：2012-04-20

申请号：FR1058377

申请日：2010-10-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BENSAHEL DANIEL ,  HALIMAOUI AOMAR

IPC: H01L21/77

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un circuit électronique sur un substrat semiconducteur contraint, comprenant les étapes suivantes : former, sur une première face d'un substrat semiconducteur (10), des composants électroniques définissant des puces électroniques à découper (12) ; et former au moins des portions d'une couche de matériau semiconducteur poreux (14) du côté d'une deuxième face du substrat semiconducteur, opposée à la première face, de façon à courber le substrat semiconducteur.

公开(公告)号：FR2896339A1

公开(公告)日：2007-07-20

申请号：FR0600436

申请日：2006-01-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： HALIMAOUI AOMAR

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: L'invention concerne un procédé de siliciuration comprenant : le dépôt d'au moins un métal 7 sur une région 3, 5, 6 contenant du silicium, la formation d'un siliciure de métal 70 et le retrait du reliquat de métal 8 n'ayant pas été siliciuré lors de la formation du siliciure de métal. Le retrait du reliquat de métal 8 comprend :a) la transformation dudit reliquat de métal 8 en un alliage 10 contenant du germaniure dudit métal, etb) le retrait dudit alliage 10 par dissolution dans une solution chimique.

公开(公告)号：FR2877141A1

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：FR0452432

申请日：2004-10-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BOEUF FREDERIC

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation de silicium-germanium dans la partie supérieure d'un substrat de silicium comprenant les étapes suivantes : déposer une couche de germanium dopée à une concentration en éléments dopants supérieure à 1019 atomes par cm3 sur un substrat de silicium ; chauffer pour faire diffuser le germanium dans le substrat de silicium de façon à former une couche de silicium-germanium dopée dans la partie supérieure du substrat de silicium ; et éliminer la couche de germanium.

公开(公告)号：FR3041146B1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：FR1558482

申请日：2015-09-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： AUGENDRE EMMANUEL ,  HALIMAOUI AOMAR ,  MAITREJEAN SYLVAIN ,  REBOH SHAY

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

公开(公告)号：FR2887370A1

公开(公告)日：2006-12-22

申请号：FR0551664

申请日：2005-06-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BARBE JEAN CHARLES ,  BARRAUD SYLVAIN ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  GALLON CLAIRE ,  HALIMAOUI AOMAR

IPC: H01L29/792

Abstract: Dispositif semi-conducteur de type transistor, comportant :- un substrat (1),- une couche isolante comportant des parois latérales formées de part et d'autre de la source (100) et du drain (102),- des zones de drain (100), de canal (2a), et de source (102), la zone de canal étant formée sur la couche isolante et étant contrainte par les zones de drain et de source, comprises entre les parties latérales,- une grille (4), séparée du canal par un isolant de grille.

公开(公告)号：FR3002812A1

公开(公告)日：2014-09-05

申请号：FR1351846

申请日：2013-03-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  ARBAOUI EDRISSE ,  LARREY VINCENT ,  MORALES CHRISTOPHE

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de transfert de couche comprenant : doper une région superficielle d'un substrat de silicium de type p pour former une couche dopée ; rendre poreuse la couche dopée et une couche du substrat de type p sous-jacente à la couche dopée ; former, par croissance épitaxiale, une couche de silicium monocristallin sur la couche poreuse dopée ; et fixer un substrat support à la couche de silicium monocristallin et séparer la couche de silicium monocristallin du substrat de silicium au sein des couches rendues poreuses.

公开(公告)号：FR2877141B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：FR0452432

申请日：2004-10-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BOEUF FREDERIC

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: A method for forming silicon-germanium in the upper portion of a silicon substrate, including the steps of: depositing a germanium layer doped at a concentration in dopant elements greater than 10 19 atoms per cm 3 on a silicon substrate; heating to have the germanium diffuse into the silicon substrate to form a doped silicon-germanium layer in the upper portion of the silicon substrate; and eliminating the germanium layer.

公开(公告)号：FR2871935A1

公开(公告)日：2005-12-23

申请号：FR0406674

申请日：2004-06-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  EL FARHANE REBHA ,  FROMENT BENOIT

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/92

Abstract: La présente invention concerne un circuit intégré (CI) comprenant au moins un condensateur à électrodes métalliques dont une au moins des électrodes (10 ou 30) est formée de silicium ou d'un alliage de silicium à grains hémisphériques siliciuré au moins en surface.La présente invention concerne également un procédé de fabrication permettant d'obtenir un tel condensateur à électrodes métalliques siliciurées.

公开(公告)号：DE60302134D1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：DE60302134

申请日：2003-12-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BENSAHEL DANIEL

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L21/02

Abstract: A localized region of material difficult to engrave (35) is formed in an IC by: forming a first layer (31) of silicon oxide of less than 1 nm thickness on a substrate (30); depositing a second selectively engravable layer (32); forming an opening (33); selectively growing Ge layer (34); depositing the material difficult to engrave; depositing a conducting layer to fill the opening in the Ge; smoothing to uncover the Ge; and eliminating the Ge and the first and second layers. The opening (33) is formed according to the motif of the localized region in the second layer. The Ge Layer (34) is grown around the opening in the second layer (32). The material which does not easily engrave will not deposit itself on the Ge.