公开(公告)号：FR2900277B1

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：FR0603453

申请日：2006-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  RUBALDO LAURENT ,  TALBOT ALEXANDRE

IPC: H01L21/306

Abstract: The method involves heating a silicon on isolator-MOS (SOI-MOS) type substrate (100) and forming a silicon base layer (1) on a surface (S) of the substrate, in adapted conditions such that the layer is monocrystalline in reduced zones (101) of the substrate and amorphous in insulating parts (102) of the substrate, by placing a gas mixture having molecules of non-chlorinated silane and carrier gas in contact with the substrate. The formed layer is engraved such that an amorphous portion of the layer is removed, and a monocrystalline portion (2) of the layer remains intact.

公开(公告)号：FR2890662A1

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：FR0509397

申请日：2005-09-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  LOUBET NICOLAS ,  TALBOT ALEXANDRE

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  H01L21/762

Abstract: Procédé d'épitaxie à faible budget thermique et son utilisation.L'invention concerne un procédé d'épitaxie basse température à la surface d'au moins une plaque en matériau à base de silicium pur ou d'alliage de silicium (SiGe, SiC, SiGeC...), dans un équipement de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), notamment à thermique rapide (RTCVD), le procédé comprenant au moins les étapes consistant à :- charger la plaque dans l'équipement, à une température de chargement,- préparer la surface en vue d'un dépôt de nouvelles espèces chimiques,- effectuer, postérieurement à la préparation de la surface, le dépôt dans des conditions d'épitaxie basse température ( > >procédé dans lequel la préparation de la surface comprend une étape de passivation de la surface par injection de gaz-ou de mélange de gaz- actif.