公开(公告)号：FR3064399B1

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：FR1752371

申请日：2017-03-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  RIBES GUILLAUME C

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: L'invention concerne un transistor vertical comprenant deux portions (18) d'un conducteur de grille s'étendant dans une couche (6) d'isolant entre un drain (17) et une source (2), de part et d'autre d'une région de canal (14) formée par des épitaxies, l'épaisseur des portions (18) de conducteur de grille diminuant au voisinage de la région de canal (14).

公开(公告)号：FR3113539B1

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：FR2008633

申请日：2020-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BREZZA EDOARDO ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: Transistor bipolaire La présente description concerne un transistor bipolaire comprenant un empilement d'un émetteur (122), d'une base (112, 116) et d'un collecteur (110, 104), ladite base étant structurée comme un peigne dont les doigts (117) sont orientés dans un plan orthogonal à la direction de l'empilement. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3107783A1

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：FR2001986

申请日：2020-02-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BREZZA EDOARDO ,  GAUTHIER ALEXIS ,  DEPRAT FABIEN ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/331

Abstract: Le présent texte concerne un procédé de fabrication d’un transistor bipolaire, comprenant :- formation d’un empilement (2) comprenant successivement quatre couches (21, 22, ,23, 24), dans lequel chacune des première à quatrième couches est apte à être gravée sélectivement par rapport à chaque couche adjacente, les première, deuxième et quatrième couche étant électriquement isolantes,- formation d’une ouverture (20),- formation par épitaxie du collecteur (C) et formation par gravure sélective d’une ouverture annulaire (230) dans la troisième couche (23),- formation par épitaxie d’une base intrinsèque (B1), séparée de la troisième couche (23) par une lame d’air (3) formée dans l’ouverture annulaire (230), - formation de l’émetteur (E) sur la base intrinsèque,- gravure sélective de la troisième couche (23),- dépôt sélectif d’une couche semi-conductrice (30) sur la deuxième couche (22), en contact direct avec la partie intrinsèque, de sorte à former une base extrinsèque (B2). Figure pour l’abrégé : Fig 13

公开(公告)号：FR3078197B1

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：FR1851485

申请日：2018-02-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BORREL JULIEN

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/70

Abstract: Le transistor à jonction bipolaire (700) comporte une région de collecteur extrinsèque (20) enterrée dans un substrat semiconducteur (10), sous une région de collecteur intrinsèque (22), une région isolante (61) sur la région de collecteur intrinsèque (22) et une région de base extrinsèque (70) sur la région isolante (61). Le transistor à jonction bipolaire (700) comprend des régions de passivation comportant du carbone (40, 42) dans la région de collecteur intrinsèque (22) et s'étendant en regard de la région de base extrinsèque (70).

公开(公告)号：FR3078197A1

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：FR1851485

申请日：2018-02-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BORREL JULIEN

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/70

Abstract: Le transistor à jonction bipolaire (700) comporte une région de collecteur extrinsèque (20) enterrée dans un substrat semiconducteur (10), sous une région de collecteur intrinsèque (22), une région isolante (61) sur la région de collecteur intrinsèque (22) et une région de base extrinsèque (70) sur la région isolante (61). Le transistor à jonction bipolaire (700) comprend des régions de passivation comportant du carbone (40, 42) dans la région de collecteur intrinsèque (22) et s'étendant en regard de la région de base extrinsèque (70).