公开(公告)号：FR2970106A1

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：FR1005155

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GALY PHILIPPE ,  GAMET STEPHANE ,  JIMENEZ JEAN ,  HUARD VINCENT ,  DAMIENS JOEL

IPC: G11C17/14 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire OTP (30) comportant un point mémoire (T ) comprenant un transistor à effet de champ (1). Le dispositif (1) comporte une électrode de source (2) et une électrode de drain (3) dopées par une première impureté dopante et séparées par un canal (4). L'électrode de source (2) est réalisée de manière à ce qu'elle soit plus dopée que l'électrode de drain (3) et que le gradient de concentration en première impureté dopante depuis le canal (4) vers l'électrode de drain (3) est supérieur au gradient de concentration en première impureté dopante depuis le canal (4) vers l'électrode de source (2).