公开(公告)号：FR3101480A1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：FR1910806

申请日：2019-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/764

Abstract: Tranchées isolantes pour les circuits ESD La présente description concerne une tranchée isolante (3) dans un substrat semi-conducteur (37), comportant un espace clos qui contient un gaz. Figure pour l'abrégé : Fig. 4

公开(公告)号：FR3086454B1

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：FR1858585

申请日：2018-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01G4/30 ,  H01L49/02

Abstract: La présente description concerne un condensateur vertical (100a, 100b) comprenant un empilement de couches (108, 120) recouvrant de manière conforme au moins des murs (106) en un premier matériau, les murs s'étendant à partir d'un substrat en un deuxième matériau différent du premier.

公开(公告)号：FR3086454A1

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：FR1858585

申请日：2018-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01G4/30 ,  H01L49/02

Abstract: La présente description concerne un condensateur vertical (100a, 100b) comprenant un empilement de couches (108, 120) recouvrant de manière conforme au moins des murs (106) en un premier matériau, les murs s'étendant à partir d'un substrat en un deuxième matériau différent du premier.

公开(公告)号：FR2959595B1

公开(公告)日：2012-05-25

申请号：FR1053361

申请日：2010-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  MERITAN ALINE ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

公开(公告)号：FR2959595A1

公开(公告)日：2011-11-04

申请号：FR1053361

申请日：2010-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  MERITAN ALINE ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une couche (3) de nitrure de gallium à structure cristalline hexagonale orientée selon un plan cristallin (0001), cette couche comprenant des dislocations (21) et des nanotubes (23), ce procédé comprenant les étapes suivantes : amincir la couche par gravure sèche, dans des conditions aptes à favoriser l'apparition de défauts de planéité en forme de protubérances cylindriques (33) liées à la présence des dislocations et des nanotubes, et à éviter l'apparition de défauts de planéité en forme de creux liés à la présence des dislocations (21) ; et éliminer les protubérances (33) par gravure humide.