公开(公告)号：FR3077426A1

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：FR1850680

申请日：2018-01-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/058

Abstract: L'invention concerne un assemblage comprenant : une pluralité de microbatteries (101) ayant chacune une face avant et une face arrière, chaque microbatterie (101) comportant une première borne de contact (403a) du côté de sa face avant et une deuxième borne de contact (403e) du côté de sa face arrière ; un premier film flexible d'encapsulation (103) comprenant une couche conductrice (103a) et une couche isolante (103b), disposé du côté des faces avant des microbatteries (101) de façon que chaque microbatterie ait sa première borne de contact (403a) en contact avec la couche conductrice (103a) du premier film ; et un deuxième film flexible d'encapsulation (105) comprenant une couche conductrice (105a) et une couche isolante (105b), disposé du côté des faces arrière des microbatteries (101) de façon que chaque microbatterie ait sa deuxième borne de contact (403e) en contact avec la couche conductrice (105a) du deuxième film.

公开(公告)号：FR3069102A1

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：FR1756678

申请日：2017-07-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  BOUFNICHEL MOHAMED ,  LACONDE ERIC

IPC: H01L21/76

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de puces isolées (25) latéralement à partir d'une tranche semiconductrice, comprenant les étapes successives suivantes : former des tranchées périphériques (33) délimitant latéralement les puces à former (25), de profondeur supérieure ou égale à l'épaisseur des puces (25), en répétant des étapes successives de gravure ionique utilisant un plasma d'hexafluorure de silicium et de passivation utilisant un plasma d'octafluorocyclobutane de façon que, à l'issue de l'étape de formation de la tranchée (33), les parois latérales de la tranchée (33) soient recouvertes d'une couche isolante d'un polyfluoroéthylène (35) ; et amincir la tranche par sa face inférieure jusqu'à atteindre le fond de la tranchée (33) sans étape préalable de retrait de ladite couche isolante.

公开(公告)号：FR3062520A1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：FR1750771

申请日：2017-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/04 ,  H01M50/528

Abstract: L'invention concerne une structure de batterie ayant des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) en face avant et en face arrière comprenant une batterie ayant des contacts d'anode (52) et de cathode (54) en face avant uniquement, cette batterie étant enveloppée dans un film (60) comprenant une couche conductrice (64) et une couche isolante (66), la couche conductrice (64) reposant sur les contacts d'anode (52) et de cathode (54) de la batterie et étant interrompue entre ces contacts d'anode (52) et de cathode (54), et la couche isolante (66) comprenant des ouvertures (74A, 74B, 76A, 76B) sur les faces avant et arrière de la batterie pour former des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) de la structure de batterie.

公开(公告)号：FR3009129A1

公开(公告)日：2015-01-30

申请号：FR1357407

申请日：2013-07-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED ,  LADROUE JULIEN ,  GOSSET NICOLAS

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/872

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique dans et sur une couche (3) de nitrure de gallium, comportant une étape d'amincissement d'une portion de ladite couche (3) par usinage ionique.

公开(公告)号：FR3077426B1

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：FR1850680

申请日：2018-01-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/058

公开(公告)号：FR3117663A1

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：FR2013214

申请日：2020-12-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01G4/40 ,  H01L21/82

Abstract: Procédé de fabrication d'un condensateur La présente description concerne un procédé de fabrication d'un condensateur, comprenant les étapes successives suivantes : a) former un empilement comportant, dans l'ordre à partir de la face supérieure d'un substrat (21), une première couche conductrice (13) en aluminium ou un alliage à base d'aluminium, une première électrode (15), une première couche diélectrique (17) et une deuxième électrode (19) ; b) graver, par gravure plasma chimique, une partie supérieure de l'empilement, ladite gravure plasma chimique étant interrompue avant la face supérieure de la première couche conductrice (13) ; et c) graver, par gravure plasma physique, une partie inférieure de l'empilement, ladite gravure plasma physique étant interrompue sur la face supérieure de la première couche conductrice (13). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3093592B1

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：FR1902183

申请日：2019-03-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/302 ,  H01L23/50

Abstract: Circuit intégré comportant un condensateur tridimensionnel La présente description concerne un circuit intégré comportant un substrat (101), le substrat (101) comportant une première région (101a) ayant une première épaisseur (e1) et une deuxième région (101b) ayant une deuxième épaisseur (e2) inférieure à la première épaisseur, le circuit comportant un condensateur tridimensionnel (C) formé dans et sur la première région (101a), et au moins des première (107) et deuxième (109) bornes de connexion formées sur la deuxième région (101b), les première (107) et deuxième (109) bornes de connexion étant connectées respectivement à des première (103) et deuxième (105) électrodes du condensateur tridimensionnel. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3093592A1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：FR1902183

申请日：2019-03-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/302 ,  H01L23/50

Abstract: Circuit intégré comportant un condensateur tridimensionnel La présente description concerne un circuit intégré comportant un substrat (101), le substrat (101) comportant une première région (101a) ayant une première épaisseur (e1) et une deuxième région (101b) ayant une deuxième épaisseur (e2) inférieure à la première épaisseur, le circuit comportant un condensateur tridimensionnel (C) formé dans et sur la première région (101a), et au moins des première (107) et deuxième (109) bornes de connexion formées sur la deuxième région (101b), les première (107) et deuxième (109) bornes de connexion étant connectées respectivement à des première (103) et deuxième (105) électrodes du condensateur tridimensionnel. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3062520B1

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：FR1750771

申请日：2017-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/04 ,  H01M50/528

Abstract: L'invention concerne une structure de batterie ayant des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) en face avant et en face arrière comprenant une batterie ayant des contacts d'anode (52) et de cathode (54) en face avant uniquement, cette batterie étant enveloppée dans un film (60) comprenant une couche conductrice (64) et une couche isolante (66), la couche conductrice (64) reposant sur les contacts d'anode (52) et de cathode (54) de la batterie et étant interrompue entre ces contacts d'anode (52) et de cathode (54), et la couche isolante (66) comprenant des ouvertures (74A, 74B, 76A, 76B) sur les faces avant et arrière de la batterie pour former des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) de la structure de batterie.

公开(公告)号：FR3101480B1

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：FR1910806

申请日：2019-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/764

Abstract: Tranchées isolantes pour les circuits ESD La présente description concerne une tranchée isolante (3) dans un substrat semi-conducteur (37), comportant un espace clos qui contient un gaz. Figure pour l'abrégé : Fig. 4