公开(公告)号：FR2959595B1

公开(公告)日：2012-05-25

申请号：FR1053361

申请日：2010-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  MERITAN ALINE ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

公开(公告)号：FR2959595A1

公开(公告)日：2011-11-04

申请号：FR1053361

申请日：2010-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  MERITAN ALINE ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une couche (3) de nitrure de gallium à structure cristalline hexagonale orientée selon un plan cristallin (0001), cette couche comprenant des dislocations (21) et des nanotubes (23), ce procédé comprenant les étapes suivantes : amincir la couche par gravure sèche, dans des conditions aptes à favoriser l'apparition de défauts de planéité en forme de protubérances cylindriques (33) liées à la présence des dislocations et des nanotubes, et à éviter l'apparition de défauts de planéité en forme de creux liés à la présence des dislocations (21) ; et éliminer les protubérances (33) par gravure humide.