公开(公告)号：FR3094838A1

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：FR1903659

申请日：2019-04-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LACONDE ERIC ,  ORY OLIVIER

IPC: H01L23/60

Abstract: Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques La présente description concerne un dispositif (700) de protection contre des décharges électrostatiques, comportant : - un substrat semiconducteur (101) d'un premier type de conductivité revêtu d'une couche semiconductrice (103) du second type de conductivité ; - à l'interface entre le substrat (101) et la couche (103), une première région (105) enterrée du deuxième type ; - des premier (301) et deuxième (303) caissons du premier type formés dans la couche (103) ; - une deuxième région (305) du deuxième type formée dans le premier caisson (301) ; et - une troisième région (307) du deuxième type formée dans le deuxième caisson (303), le premier caisson (301), la couche (103), le deuxième caisson (303) et la troisième région (307) formant un premier thyristor latéral (SCR1), et le deuxième caisson (303), la couche (103), le premier caisson (301) et la deuxième région (305) formant un deuxième thyristor latéral (SCR2). Figure pour l'abrégé : Fig. 7

公开(公告)号：FR3104317A1

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：FR1913744

申请日：2019-12-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： DE CRUZ MICHAEL ,  ORY OLIVIER

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/822

Abstract: Procédé de fabrication de puces électroniques La présente description concerne un procédé de fabrication de puces électroniques comprenant les étapes suivantes : former, du coté d'une première face d'un substrat semiconducteur (11), dans et sur lequel a été formée une pluralité de circuits intégrés (13), des métallisations reliant des contacts de circuits intégrés (13) voisins ; et former, du coté de ladite première face du substrat (11), des premières tranchées (21) séparant latéralement les circuits intégrés (13) et couper les métallisations reliant des circuits intégrés (13) adjacents, pour former au moins une portion (19') de métallisations au niveau de chacun des circuits (13) adjacents. Figure pour l'abrégé : Fig. 10

公开(公告)号：FR3093230A1

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：FR1902000

申请日：2019-02-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ORY OLIVIER

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/485 ,  H01L23/60

Abstract: Boîtier de puce électronique La présente description concerne un dispositif (100) comprenant un substrat semiconducteur (102), une couche électriquement conductrice (104) recouvrant le substrat (102), et une enveloppe isolante (110), la couche conductrice étant en contact avec l'enveloppe isolante (110) du côté opposé au substrat. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR2994304A1

公开(公告)日：2014-02-07

申请号：FR1257536

申请日：2012-08-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： ORY OLIVIER ,  LE COQ CEDRIC

IPC: G06K19/077

Abstract: L'invention concerne une puce (300) à montage en surface comportant, du côté d'une face, des premier (303a) et second (303b) plots de connexion à un dispositif extérieur, dans laquelle, en vue de dessus, le premier plot a une forme générale allongée, et le second plot est un plot ponctuel non aligné avec le premier plot.