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11.

发明授权
平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法有权转让

公开(公告)号：CN102906009B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180025546.7

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D.丹格 , T.多安 , G.A.邓巴 , 何忠祥 , R.T.赫林 , C.V.扬斯 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀 , J.G.通布利 , E.J.怀特

IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。

12.

发明公开
平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法有权转让

公开(公告)号：CN102906009A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025546.7

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D.丹格 , T.多安 , G.A.邓巴 , 何忠祥 , R.T.赫林 , C.V.扬斯 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀 , J.G.通布利 , E.J.怀特

IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。

13.

发明公开
具有提高的调谐范围的微机电可变电抗器失效转让

公开(公告)号：CN1689227A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03824521.3

申请日：2003-09-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 罗伯特·A·格罗夫斯 , 肯尼思·J·斯坦 , 塞沙德里·萨班纳 , 理查德·P·沃兰特

IPC: H03J3/18 , B81B3/00 , H01G5/16

CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/01 , H01G5/011 , Y10S257/924

Abstract: 描述了三维微机电(MEM)可变电抗器，其中在彼此耦合的分离衬底上分别制造可移动梁(50)和固定电极(51)。在“芯片侧”上制造具有梳状驱动电极的可移动梁而在分离的衬底的“载体侧”上制造固定底部电极。在衬底两个表面上制造该器件时，芯片侧器件被切割并“翻转”、对准且连接至“载体”衬底以形成最终器件。梳状驱动(鳍)电极用于激励而电极的运动提供电容的变化。由于引入恒定驱动力，可获得大的电容调谐范围。器件的三维方面有利于大的表面积。当提供大纵横比特征时可使用低激励电压。制造时，完全封装MEM器件，无需附加的器件封装。另外，由于在晶片级完成对准和键合(晶片级MEMS封装)，可以低成本获得改善的器件产率。

14.

发明公开
一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动MEMS继电器的制造方法有权

公开(公告)号：CN108584864A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810375861.6

申请日：2018-04-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 , 舒振 , 赵欣悦 , 单晗 , 尹鹏和 , 张悦 , 杜立群 , 徐征

IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , H01H49/00

CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/01 , B81C1/00349 , H01H49/00

Abstract: 本发明公开一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动MEMS继电器的制造方法，属于微机电系统微加工技术领域。制备得到的MEMS继电器的基底和可动结构的材料均为柔性聚合物聚酰亚胺，而且聚酰亚胺基底可以从硅片上剥离下来，从而真正实现了继电器的柔性。本发明采用热氧化、磁控溅射、光刻、化学腐蚀、等离子体增强化学气相沉积、牺牲层去除等工艺实现MEMS继电器的结构。该方法制备出的MEMS继电器具有柔性，可以用于柔性电子领域。

15.

发明授权
用于MEMS器件的薄盖有权

公开(公告)号：CN105916801B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201480058712.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司

Inventor： E·凯尔维斯滕 , T·埃贝福斯 , N·斯维丁

IPC: B81B7/00 , B81C1/00 , H01L21/50 , H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/01 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2201/0153 , B81C2201/036 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , H01L21/50 , H01L23/08 , H01L24/94 , H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。

16.

发明公开
用于MEMS器件的薄盖有权

公开(公告)号：CN105916801A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480058712.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司

Inventor： E·凯尔维斯滕 , T·埃贝福斯 , N·斯维丁

IPC: B81B7/00 , B81C1/00 , H01L21/50 , H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/01 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2201/0153 , B81C2201/036 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , H01L21/50 , H01L23/08 , H01L24/94 , H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。

17.

发明授权
平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法有权

公开(公告)号：CN102906871B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025549.0

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G.A.邓巴 , 何忠祥 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀

IPC: H01L23/48 , B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。

18.

发明授权
平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法有权

公开(公告)号：CN102295265B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110174587.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼.K.斯坦珀 , 约翰.G.通布利

IPC: B81C1/00 , B81B3/00 , B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。