公开(公告)号：CN102728533A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210097609.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 虎岛和敏 ,  秋山贵弘 ,  冨吉俊夫

IPC: B06B1/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R1/00 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00626 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。

公开(公告)号：CN102173374A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110090904.4

申请日：2007-10-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 渡边徹 ,  佐藤彰 ,  稻叶正吾 ,  森岳志

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0271

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。

公开(公告)号：CN101780941A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010003178.3

申请日：2010-01-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木原龙儿

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  H03H9/02433 ,  H03H9/2457

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，使MEMS器件的工作精度提高。本发明的MEMS器件具备：基板(10)和形成于该基板(10)上的MEMS结构体(20)；其中，该MEMS结构体(20)具有工作部结构(22)，该工作部结构(22)具备形成于基板(10)上的支撑部(22S)和从该支撑部延伸设置并构成为在基板(10)上可以动作的可动部(22M)；该工作部结构(22)在可动部(22M)上具有剖面极小部(22B)，该剖面极小部其与从工作部结构(22)的前述支撑部朝向前述可动部的方向正交的剖面的面积比前述可动部的剖面面积小，且该剖面极小部由在平面图案(20U)中设置的边界图案形状(22v)形成。

公开(公告)号：CN101659390A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910167481.4

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 加藤贵久 ,  岛田康弘

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0198

Abstract: 本发明涉及硅加工方法、微振荡器制造方法、光学设备和硅基片，所述硅加工方法包括：在单晶硅基片的主平面上形成掩模图案；以及向所述主平面应用晶体各向异性蚀刻，以形成包括(111)面及其等效晶面并且具有宽度W1和长度L1的结构体。主平面包括(100)面及其等效晶面、或(110)面及其等效晶面。在掩模图案中形成用于确定结构体的宽度W1的确定部。掩模图案的用于宽度W1的确定部的宽度为宽度W2。在掩模图案的长度方向上，除了确定部以外的掩模图案的宽度大于宽度W2。

公开(公告)号：CN101391743A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810133954.4

申请日：2008-07-18

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 中村麻树子

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件能在长时间内稳定且高精度地进行工作且具有设置在半导体基板上的集成电路以及相对于所述基板可动的可动部，该半导体器件的制造方法包括：用牺牲膜覆盖所述可动部的步骤；使用由具有拉伸应力的材料构成的第1密封层覆盖所述牺牲膜的步骤；在所述第1密封层上形成贯通孔的步骤；经由所述贯通孔去除所述牺牲膜并在所述可动部的周围形成空间的步骤；以及在所述第1密封层上形成第2密封层并堵塞所述贯通孔的步骤。

公开(公告)号：CN101232275A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008552.1

申请日：2008-01-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥村昭范

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/125 ,  H03H9/24 ,  H03H3/007

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/0271

Abstract: 本发明公开了一种机电共振器及其制造方法。该机电共振器包括一共振器部，该共振器部包含固定电极以及与该固定电极以间隙分离地形成的振动器。该间隙具有沿该固定电极的厚度方向布置的第一间隙区域和第二间隙区域。该第一间隙区域的宽度不同于该第二间隙区域的宽度。

公开(公告)号：CN1837026A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200510131647.9

申请日：2005-12-12

Applicant: 圣微电子股份有限公司 ,  原子能专员署

Inventor： F·卡赛特 ,  K·瑟古恩尼 ,  A·德古拉弗 ,  N·阿贝勒

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H03H9/2463 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2447

Abstract: 一种微电子机械系统，包括梁(1)和通过静电作用耦合到梁的电极(10)。该梁被设计成要承受弹性弯曲变形，并具有几乎不变的横截面。梁(1)包括延伸结果梁的长度(L)的若干平面(P1－P4)，每个平面的厚度都小于横截面外形尺寸(w，t)。梁的弯曲振动频率与系统外形尺寸的实心梁相比增大。这种微电子机械系统适合需要极短转换时间的应用场合，或适用于产生高频的振荡器和共振器。

公开(公告)号：CN104427447B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410418443.2

申请日：2014-08-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 虎岛和敏 ,  秋山贵弘 ,  长谷川研二 ,  加藤和彦

IPC: H04R19/00 ,  H04R7/06 ,  H04R31/00

CPC classification number: A61B8/4494 ,  A61B5/0095 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00182 ,  H02N1/08

Abstract: 本发明涉及电容变换器及其制造方法。提供一种具有振动膜被支撑以能够振动的结构的电容变换器的制造方法。所述方法包括：在第一电极上形成牺牲层；在牺牲层上形成形成振动膜的至少一部分的层；去除牺牲层，包含形成与牺牲层连通的蚀刻孔；形成用于密封蚀刻孔的密封层；以及，蚀刻密封层的至少一部分。在形成密封层之前，在形成振动膜的至少一部分的层上形成蚀刻停止层。在蚀刻密封层的至少一部分的步骤中，去除密封层，直到到达蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN107305197A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710255430.1

申请日：2017-04-19

Applicant: 波音公司

Inventor： 基思·D·洪费尔德 ,  莫尔塔扎·萨法伊

IPC: G01N29/26 ,  G01N29/06 ,  G01N29/34

CPC classification number: G01N29/262 ,  B06B1/045 ,  B06B2201/53 ,  B81B2201/0271 ,  B81C3/001 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/08 ,  G01N29/043 ,  G01N29/2431 ,  G01N2291/023 ,  G01N2291/0427 ,  G01N2291/044 ,  G01N2291/106 ,  G01N2291/2632 ,  G01N2291/2638 ,  G01N29/0654 ,  G01N29/069 ,  G01N29/34 ,  G01N2291/0289

Abstract: 本发明涉及检查零件的装置和方法。使用碳纳米管(CNT)将相位阵列中的多个微机电系统(MEMS)换能器耦接到柔性基板以用于共形超声扫描。每一个换能器包括悬臂、沉积在悬臂上的磁性材料和相对于磁性材料定位的螺线管。碳纳米管在悬臂上生长并且将换能器机械地耦接到柔性基板的一侧。柔性基板的另一侧被施加到被检查零件的表面，并且当螺线管被处理器通电时，换能器电连接到处理器以引起悬臂的运动。悬臂的运动导致碳纳米管的运动，从而将力施加到柔性基板，导致透过该零件的超声波。来自超声波的返回被处理器解释以产生零件的图像。

公开(公告)号：CN105916801B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201480058712.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司

Inventor： E·凯尔维斯滕 ,  T·埃贝福斯 ,  N·斯维丁

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0153 ,  B81C2201/036 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/50 ,  H01L23/08 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。