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    METHOD OF FABRICATING A DIAMOND MEMBRANE
    14.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING A DIAMOND MEMBRANE 审中-公开
    制作金刚石薄膜的方法

    公开(公告)号：WO2016058037A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：PCT/AU2015/000625

    申请日：2015-10-15

    Applicant: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE

    Inventor： PIRACHA, Afaq Habib ,  PRAWER, Steven ,  GANESAN, Kumaravelu ,  TOMLJENOVIC-HANIC, Snjezana ,  LAU, Desmond

    IPC: C30B25/04 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27

    CPC classification number: C30B25/20 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/362 ,  B23K2203/50 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0146 ,  B81C2201/0187 ,  B81C2201/0198 ,  C23C16/042 ,  C23C16/274 ,  C23C16/279 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/56 ,  C25F3/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  C30B33/10 ,  C30B33/12

    Abstract: The present disclosure provides a method of fabricating a diamond membrane. The method comprises providing a substrate and a support structure. The substrate comprises a diamond material having a first surface and the substrate further comprises a sub-surface layer that is positioned below the first surface and has a crystallographic structure that is different to that of the diamond material. The sub-surface layer is positioned to divide the diamond material into first and second regions wherein the first region is positioned between the first surface and the sub-surface layer. The support structure also comprises a diamond material and is connected to, and covers a portion of, the first surface of the substrate. The method further comprises selectively removing the second region of the diamond material from the substrate by etching away at least a portion of the sub-surface layer of the substrate.

    Abstract translation: 本公开提供了制造金刚石膜的方法。 该方法包括提供基底和支撑结构。 衬底包括具有第一表面的金刚石材料，并且衬底还包括位于第一表面下方并具有不同于金刚石材料的晶体结构的次表面层。 子表面层被定位成将金刚石材料分成第一和第二区域，其中第一区域位于第一表面和子表面层之间。 支撑结构还包括金刚石材料并且连接到衬底的第一表面并且覆盖衬底的第一表面的一部分。 该方法还包括通过蚀刻除去衬底的次表面层的至少一部分来从衬底选择性地去除金刚石材料的第二区域。

    VERFAHREN ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG EINER ELEKTRISCHEN SUBSTRATOBERFLÄCHE
    15.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG EINER ELEKTRISCHEN SUBSTRATOBERFLÄCHE 审中-公开
    法电基材表面的表面处理

    公开(公告)号：WO2007121948A2

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：PCT/EP2007/003497

    申请日：2007-04-20

    Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  QUENZER, Hans-Joachim ,  ZWICKER, Gerfried

    Inventor： QUENZER, Hans-Joachim ,  ZWICKER, Gerfried

    IPC: B23H3/00

    CPC classification number: B23H3/00 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/0146 ,  C25F3/14

    Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitenden Substratoberfläche, bei dem ein festes Ionen leitendes Material aufweisendes Werkzeug wenigstens bereichsweise in Kontakt mit der Substratoberfläche gebracht wird, das Metallionen der Substratoberfläche zu leiten in der Lage ist und an das ein elektrisches Potenzial angelegt wird, so dass zwischen der Substratoberfläche und dem Werkzeug ein elektrisches Potenzialgefälle derart anliegt, dass die Metallionen durch das Werkzeug von der Substratoberfläche abgezogen oder auf die Substratoberfläche abgeschieden werden.

    Abstract translation: 公开的是用于表面处理的导电性基板表面的，其中，固体离子传导材料是在与基板表面接触具有带工具至少部分的方法，所述基片表面的金属离子，以在一个位置引导和电势被施加到，所以 该电势梯度在基板表面和工具之间的这样的方式施用，即，金属离子通过从该衬底表面上的工具中提取，或沉积在基板表面上。

    Machine and method for machining a part by micro-electrical discharge machining
    17.
    发明授权
    Machine and method for machining a part by micro-electrical discharge machining 失效
    通过微电加工加工零件的机器和方法

    公开(公告)号：US08715468B2

    公开(公告)日：2014-05-06

    申请号：US13119490

    申请日：2009-09-09

    Applicant: Michel Cabrera

    Inventor： Michel Cabrera

    IPC: C25F7/00 ,  C25F3/02 ,  B23H1/04 ,  B23H9/08

    CPC classification number: B23H3/04 ,  B23H5/02 ,  B23H7/065 ,  B23H7/08 ,  B23H9/00 ,  B23H9/08 ,  B81C2201/0146

    Abstract: The invention relates to a machine for machining a part by micro-electrical discharge machining, said machine comprising a mechanism (44, 45, 46, 48) for modifying the configuration of the machine so as to alternatively and reversibly switch from a machining configuration to a sharpening configuration in which the tip of a same etching electrode (20) and another electrode (64) are dipped in an electrolyte bath in order to sharpen the tip of the etching electrode by electrochemnical corrosion.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过微放电加工来加工零件的机器，所述机器包括用于修改机器的构造的机构（44,45,46,48），以便可替代地且可逆地从加工构型切换到 其中相同的蚀刻电极（20）的尖端和另一个电极（64）被浸入电解质浴中以通过电化学腐蚀来锐化腐蚀电极的尖端的锐化构造。

    METHOD FOR ETCHED CAVITY DEVICES
    18.
    发明申请
    METHOD FOR ETCHED CAVITY DEVICES 有权
    蚀刻孔装置的方法

    公开(公告)号：US20120264249A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：US13088100

    申请日：2011-04-15

    Applicant: Srivatsa G. Kundalgurki ,  Scott Dye

    Inventor： Srivatsa G. Kundalgurki ,  Scott Dye

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0146 ,  B81C2201/017 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065

    Abstract: MEMS devices (40) using etched cavities (42) are desirably formed using multiple etching steps. Preliminary cavities (20) formed by locally anisotropic etching to nearly the final depth have irregular (46) sidewalls (44) and steep and/or inconsistent sidewall (44) to bottom (54) intersection angles (48). This leads to less than desired cavity diaphragm (26) burst strengths. Final cavities (42) with smooth sidewalls (50), smaller and consistent sidewall (50) to bottom (54) intersection angles (58), and having more than doubled cavity diaphragm (26) burst strengths are obtained by treating the preliminary cavities (20) with TMAH etchant, preferably relatively dilute TMAH etchant. In a preferred embodiment, a cleaning step is performed between the etching step and the TMAH treatment step to remove any anisotropic etching by-products present on the preliminary cavities' (20) initial sidewalls (44). The multi-step cavity etching procedure is especially useful for forming robust MEMS pressure sensors, but is applicable to any type of MEMS device.

    Abstract translation: 期望使用多个蚀刻步骤形成使用蚀刻腔（42）的MEMS器件（40）。 通过局部各向异性腐蚀形成的接近最终深度的初级腔（20）具有不规则的（46）侧壁（44）和陡峭和/或不一致的侧壁（44）至底部（54）交叉角（48）。 这导致比所需的腔膜（26）突发强度小。 通过处理预备空腔（2）获得具有平滑侧壁（50），更小且一致的侧壁（50）到底部（54）交叉角（58）并且具有多于两倍的腔隔膜（26）的突出强度的最终腔（42） 20）与TMAH蚀刻剂，优选相对稀释的TMAH蚀刻剂。 在优选的实施方案中，在蚀刻步骤和TMAH处理步骤之间进行清洁步骤以去除预备空腔（20）初始侧壁（44）上存在的任何各向异性蚀刻副产物。 多阶腔蚀刻程序对于形成坚固的MEMS压力传感器尤其有用，但适用于任何类型的MEMS器件。

    Vertical indent production repair
    19.
    发明申请
    Vertical indent production repair 有权
    垂直缩进生产维修

    公开(公告)号：US20090070979A1

    公开(公告)日：2009-03-19

    申请号：US11898837

    申请日：2007-09-17

    Applicant: Bernabe J. Arruza ,  Ronald Bozak ,  Kenneth Gilbert Roessler ,  Andrew Dinsdale ,  Tod Evan Robinson ,  David Brinkley

    Inventor： Bernabe J. Arruza ,  Ronald Bozak ,  Kenneth Gilbert Roessler ,  Andrew Dinsdale ,  Tod Evan Robinson ,  David Brinkley

    IPC: B82B3/00 ,  B30B9/28 ,  B30B13/00

    CPC classification number: B81C1/00634 ,  B81C2201/0146 ,  Y10T29/49778

    Abstract: A method of nanomachining is provided. The method includes plunging a nanometer-scaled tip into a surface of a substrate at a first location in a first direction that is substantially perpendicular to the surface, thereby displacing a first portion of the substrate with the tip. The method also includes withdrawing the tip from the substrate in a second direction that is substantially opposite to the first direction. The method further includes moving at least one of the tip and the substrate laterally relative to each other. In addition, the method also includes plunging the tip into the substrate at a second location in a third direction that is substantially parallel to the first direction, thereby displacing a second portion of the substrate with the tip and withdrawing the tip from the substrate in a fourth direction that is substantially opposite to the third direction.

    Abstract translation: 提供了一种纳米加工的方法。 该方法包括在基本上垂直于表面的第一方向上的第一位置处将纳米级尖端突入基片的表面，从而使基片的第一部分与尖端移位。 该方法还包括在基本上与第一方向相反的第二方向从衬底取出尖端。 该方法还包括相对于彼此横向移动尖端和衬底中的至少一个。 此外，该方法还包括在基本上平行于第一方向的第三方向上的第二位置处将尖端插入基板，从而使基板的第二部分与尖端移位，并且将尖端从基板中取出 第四方向与第三方向基本相反。

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