低衰减光纤及其在MCVD中的制造方法

    公开(公告)号:CN1976878B

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN200480043464.5

    申请日:2004-07-07

    Abstract: 本发明披露了一种低衰减光纤及其在MCVD中的制造方法,所述光纤为低衰减单模光纤,所述光纤具有光电导芯和包层,并且在MFD(模场直径)区内显示出非常低的OH浓度。所述光纤包括配置在其中心用于光电导的芯,和依次被覆于所述芯上的脱水包层和基体包层。脱水包层的折射率与基体包层的折射率基本相同。芯的折射率比脱水包层和基体包层的折射率大。脱水包层与基体包层相比具有相对较低的OH浓度。由芯和脱水包层构成的区域具有OH浓度小于0.8ppb的MFD区。

    核心不含羟基基团的光纤预制体的制作方法

    公开(公告)号:CN1229290C

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN03800975.7

    申请日:2003-06-26

    Abstract: 核心基本上不含羟基基团的光纤预制体的制作方法,包括:将粉尘(SiO2和GeO2)沉积到石英管的内表面从而形成折射率相对较低的包覆层;在包覆层上形成具有相对较高折射率的核心层,其中核心层的形成步骤包括:(a)基础核心层形成步骤,该步骤通过对石英管进行加热使得石英管中的温度达到1000℃~1400℃并在石英管中引入反应气体(SiCl4和GeCl4),然后在包覆层上堆积粉尘而产生粉尘;通过加热石英管使石英管内的温度达到600℃~1200℃,同时将脱水气体(He,Cl2;O2)引入石英管中以从粉尘和管中除去羟基基团(OH)和水蒸气;通过加热石英管使石英管内温度超过1700℃并引入脱水气体(He,Cl2;O2)以烧结粉尘并使之玻璃化;以及(b)补充核心层的形成步骤,通过至少重复一次(a)中的堆积/脱水/烧结步骤从而形成至少一层补充的核心层。

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