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公开(公告)号:CN1976878B
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN200480043464.5
申请日:2004-07-07
Applicant: LS电线有限公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B37/01853 , C03B2201/075 , C03B2201/31 , G02B6/03622 , G02B6/03694
Abstract: 本发明披露了一种低衰减光纤及其在MCVD中的制造方法,所述光纤为低衰减单模光纤,所述光纤具有光电导芯和包层,并且在MFD(模场直径)区内显示出非常低的OH浓度。所述光纤包括配置在其中心用于光电导的芯,和依次被覆于所述芯上的脱水包层和基体包层。脱水包层的折射率与基体包层的折射率基本相同。芯的折射率比脱水包层和基体包层的折射率大。脱水包层与基体包层相比具有相对较低的OH浓度。由芯和脱水包层构成的区域具有OH浓度小于0.8ppb的MFD区。
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公开(公告)号:CN101776781A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN201010104362.7
申请日:2004-09-20
Applicant: 美国飞泰尔有限公司
Inventor: 唐纳德·雅布洛诺夫斯基 , 大卫·卡利什 , 因克·金 , 小罗伯特·林格尔
IPC: G02B6/036
CPC classification number: H04B10/2563 , C03B37/01211 , C03B2201/075 , C03B2203/22 , G02B6/02271 , G02B6/03611 , G02B6/03666 , H04B10/2916
Abstract: 一种改良的光纤设计,其在1385nm波长(“水峰”)显示一个相对低的衰减,允许拉曼放大在1460-1530nm的S带范围的波长有效。一个超干处理用以匹配内部芯棒(纤芯加环绕的沟渠)和包层管(环形区域加包层区域),并提供等级为0.325dB/km的水峰损耗。该低水峰联合合适的色散值及零色散波长,以形成一种光纤,该光纤支持光传输系统在S、C和L带上的传输和拉曼放大。
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公开(公告)号:CN101426744A
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200780013293.5
申请日:2007-09-04
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 , 信越石英株式会社
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/24 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C4/20 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2201/3411 , C03C2201/3435 , C03C2203/10 , C03C2203/54
Abstract: 本发明始于用于半导体制造的已知石英玻璃元件,该元件至少在近表面区具有第一掺杂剂和第二氧化掺杂剂的共掺杂,所述第二掺杂剂含一种或多种浓度各为0.1~3wt%的稀土金属(以SiO2和掺杂剂的总质量为基准计算)。由此开始,为了提供用于在腐蚀作用环境中半导体制造的以高纯度和高耐干腐蚀著称并避免了由用氧化铝共掺杂所造成的已知缺点的石英玻璃元件,按照本发明建议:第一掺杂剂应是氮以及石英玻璃内亚稳定羟基的平均含量应小于30wtppm。
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公开(公告)号:CN101061075A
公开(公告)日:2007-10-24
申请号:CN200680001203.6
申请日:2006-03-30
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/06 , C03B19/09 , C03B32/00 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/24 , C03B2201/32 , C03C15/00 , C03C19/00 , C03C23/0025 , C03C23/006 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2201/32 , C03C2201/50 , C03C2203/54 , C30B25/12 , C30B31/14 , C30B35/00 , Y02P40/57
Abstract: 用于蚀刻作用环境中的晶片夹具用理想石英玻璃的特征在于高纯度和高抗干蚀刻性。为给出一种完全符合这些要求的石英玻璃,本发明提出该石英玻璃应至少在其近表面区域掺杂氮,且亚稳态羟基的平均含量小于30重量ppm,以及其假定温度低于1250℃和在1200℃的温度下粘度为至少1013dPas。一种制造这种石英玻璃的经济性方法包括以下步骤:熔融SiO2原料以获得石英玻璃坯,其中使所述SiO2原料或石英玻璃坯经受脱水处理,在含氨气氛中将所述SiO2原料或石英玻璃坯加热至1050℃至1850℃范围的氮化温度,进行温度处理藉此将石英玻璃坯的石英玻璃设定到1250℃或更低的假定温度,对石英玻璃坯进行表面处理,形成石英玻璃夹具。
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公开(公告)号:CN1891649A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610071692.4
申请日:2006-03-28
Applicant: 古河电子北美公司
IPC: C03B37/02 , C03B37/018
CPC classification number: G02B6/03683 , C03B37/01211 , C03B37/01228 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22
Abstract: 本说明书说明一种借助混合VAD/MCVD处理过程生产的改进的光纤。光纤的纤芯用VAD生产,而内包层有凹陷的折射率并用MCVD生产。在优选的实施例中,光功率包络基本上全部包含在VAD生产的纤芯材料和MCVD生产的凹陷折射率包层材料中。借助把绝大部分光功率限制在低OH的VAD纤芯,以及借助使无掺杂石英区中的光功率最大化,使光损耗达到最小。MCVD衬底管材料中基本上没有光功率。
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公开(公告)号:CN1229290C
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN03800975.7
申请日:2003-06-26
Applicant: LG电线有限公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01853 , C03B37/01815 , C03B37/01884 , C03B2201/075 , C03B2201/31
Abstract: 核心基本上不含羟基基团的光纤预制体的制作方法,包括:将粉尘(SiO2和GeO2)沉积到石英管的内表面从而形成折射率相对较低的包覆层;在包覆层上形成具有相对较高折射率的核心层,其中核心层的形成步骤包括:(a)基础核心层形成步骤,该步骤通过对石英管进行加热使得石英管中的温度达到1000℃~1400℃并在石英管中引入反应气体(SiCl4和GeCl4),然后在包覆层上堆积粉尘而产生粉尘;通过加热石英管使石英管内的温度达到600℃~1200℃,同时将脱水气体(He,Cl2;O2)引入石英管中以从粉尘和管中除去羟基基团(OH)和水蒸气;通过加热石英管使石英管内温度超过1700℃并引入脱水气体(He,Cl2;O2)以烧结粉尘并使之玻璃化;以及(b)补充核心层的形成步骤,通过至少重复一次(a)中的堆积/脱水/烧结步骤从而形成至少一层补充的核心层。
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公开(公告)号:CN1215001C
公开(公告)日:2005-08-17
申请号:CN01144252.2
申请日:2001-12-14
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor: 石田祯则
IPC: C03B37/012 , C03B37/018 , G02B6/00
CPC classification number: C03C25/607 , C03B37/0124 , C03B37/01413 , C03B37/01446 , C03B2201/075 , C03B2201/22 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03C25/64
Abstract: 本发明为一种制造光纤预制棒的方法和制造光纤的方法,制造出了在整个1.3至1.6μm的波长范围内具有所需传送特性的光纤。制造方法包括,多孔芯棒的制作步骤,用VAD法沉积外径为D的第一包层(3)以包围具有外径d的芯(2),从而制备出D/d≥4.0的多孔芯棒(1)。然后,使多孔芯棒(1)脱水,以将OH基团浓度减小到按重量比计0.8ppb或更小。使多孔芯棒(1)透明,以得到一个玻璃化的芯棒(4),再加热和拉伸。此后,用VAD法围绕着玻璃化的芯棒(4)沉积上有待脱水、透明和玻璃化的第二多孔包层(5)。如此制得的光纤预制棒经拉伸形成光纤,然后将其氘气气氛中放置一个预定时间。
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公开(公告)号:CN1094906C
公开(公告)日:2002-11-27
申请号:CN98103143.9
申请日:1998-06-19
Applicant: 卢森特技术有限公司
IPC: C03B37/012 , G02B6/02
CPC classification number: C03B37/01211 , C03B37/01228 , C03B37/01237 , C03B37/01248 , C03B37/01446 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/24 , C03C25/106 , C03C25/12 , G02B6/02 , Y02P40/57
Abstract: 一种在1385nm处损耗极低的单模光纤[700]及其实际制法。芯棒[20]用轴向气相淀积法制作,具有小于7.5的淀积包层/芯层比(D/d)。芯棒在含氯或氟的约1200℃环境下脱水,使OH含量降到小于0.8ppb,然后在约1500℃氦气中固结,将疏松灰状体转变成玻璃。固结的芯棒用氧—氢吹管拉伸,在棒表面产生OH离子层,该层由等离子体蚀刻除去。最后芯棒装入适当低OH含量的玻璃管[40]中。之后,管塌缩到棒上成为预制棒[60],再将其拉制成光纤。
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公开(公告)号:CN1241542A
公开(公告)日:2000-01-19
申请号:CN99110356.4
申请日:1999-07-14
Applicant: 卢森特技术有限公司
Inventor: P·F·格洛迪斯 , C·F·格里德利 , D·P·杰布罗诺韦斯基 , D·卡利什 , K·L·沃克
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01211 , C03B37/01869 , C03B37/01884 , C03B37/01892 , C03B2201/02 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2203/24
Abstract: 一种通过改性化学蒸汽沉积(MCVD)工艺制造大的光纤预型件(303)及其制造方法。其包括在一旋转的玻璃管(33)的内表面上沉积出连续的芯核及包覆材料层,该玻璃管的氢氧离子含量小于按重量每百万0.5份。然后使管向内坍塌,形成一芯棒(301)。在芯棒(301)形成后,对其进行等离子蚀刻,以去除污物,以形成一大预型件。
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公开(公告)号:CN1020190C
公开(公告)日:1993-03-31
申请号:CN86101686
申请日:1986-03-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/014
CPC classification number: C03B37/01446 , C03B37/0146 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , Y10S65/16 , Y10S65/90
Abstract: 制备光纤用玻璃预制件的一种生产方法,它包括下列步骤:从玻璃形成料制成玻璃烟尘预制件;在减压并使烟尘预制件不发生玻璃化的温度下选择性地加热该烟尘预制件;若烟尘预制件已在前一步经减压加热,则在减压或不低于大气压力下,于含至少一种含氟化合物的气氛中加热该烟尘预制件,若烟尘预制件尚未经过前一步加热,则在减压下将其加热;将加氟预制件玻璃化足够时间使之透明化。由此可以生产出基本不含气泡而含足量氟的玻璃预制件。
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