公开(公告)号：CN100453483C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510091298.2

申请日：2003-04-28

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： J·D·福斯特 ,  D·W·霍托夫 ,  C·L·莱西 ,  Y·L·彭 ,  D·R·鲍尔斯 ,  J·L·塔普勒 ,  H·B·马修斯 ,  D·米奇斯考夫斯基 ,  R·A·奎恩 ,  W·J·瓦尔扎克

IPC: C03B37/01 ,  C03B37/02 ,  G02B6/10

CPC classification number: C03B37/02718 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2205/40 ,  C03B2205/42 ,  C03B2205/56 ,  C03B2205/82 ,  C03B2205/90 ,  C03B2205/91 ,  Y02P40/57

Abstract: 公开了一种形成光纤的方法，该方法包括由玻璃预制棒以高拉丝速度(例如优选是＞10m/s)拉丝出光纤，对该光纤进行处理(退火或缓慢冷却)如下：将光纤保持在一处理温度范围内一段较短的处理时间(例如＜0-5秒)。优选是，光纤以特定的冷却速率(＞830℃/s但＜4000℃/s)进行冷却。该光纤处理能降低由瑞利散射造成的光纤衰减增加的趋势，和/或降低光纤在形成之后由热老化造成的随时间衰减增加的趋势。

公开(公告)号：CN100379694C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200310120601.8

申请日：2003-12-15

Applicant: 菲特尔美国公司

Inventor： 戴维·J·迪格奥万尼 ,  罗伯特·S·温德勒

IPC: C03B37/012 ,  C03B37/018 ,  C03B37/02 ,  C03C13/04 ,  C03C3/06

CPC classification number: C03C13/00 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01853 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31

Abstract: 将用MCVD制作的氧化硅碳黑层，在高压下曝露在含氟气体中来提高MCVD预制件中槽层的氟掺杂。此高压曝露工艺被合并入MCVD工艺中。

公开(公告)号：CN1295169C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN99815119.X

申请日：1999-04-09

Applicant: 纤维管有限公司

Inventor： M·I·古斯科夫 ,  E·B·达尼洛夫 ,  M·A·阿斯拉米 ,  D·吴 ,  J·E·马蒂森

IPC: C03B23/047 ,  C03B37/027

CPC classification number: C03B37/01861 ,  C03B37/01413 ,  C03B37/01426 ,  C03B37/01466 ,  C03B37/01823 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/42 ,  C03B2203/22

Abstract: 本发明提供制作光纤预型件的方法，包括：(a)提供由第一材料制成的靶子棒，第一材料是二氧化硅或掺杂有掺杂物的二氧化硅；(b)借助等离子体焊炬，同时在靶子棒上面淀积和烧结按第一浓度掺杂有第一掺杂物的第一二氧化硅层，将第一二氧化硅层淀积和烧结到预定的第一厚度；(c)将淀积有第一二氧化硅层的靶子棒下拉到预定的第一直径，以形成掺杂的二氧化硅棒；(d)重复步骤(b)和(c)达到预定次数，或者直至第一材料包含了预定比例的所述掺杂的二氧化硅棒；(e)在掺杂的二氧化硅棒上淀积按第二浓度掺杂有第二掺杂物的由二氧化硅构成的第二层，将第二二氧化硅层淀积到预定的第二厚度以形成中间结构；(f)在中间结构上淀积第三层，将第三层淀积到预定的第三厚度以形成预型件构造，第三层的材料是纯二氧化硅或掺杂有掺杂物的二氧化硅。

公开(公告)号：CN1826427A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021146.9

申请日：2004-05-27

Applicant: 内诺格雷姆公司

Inventor： 毕向欣 ,  赫尔曼·A·洛佩兹 ,  普拉萨德·纳拉西马 ,  埃里克·尤夫拉尔德 ,  罗纳德·J·莫索

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C23C16/453 ,  B05D3/02 ,  C03B37/018 ,  G02B6/10

CPC classification number: G02B1/12 ,  B05D1/12 ,  B05D3/06 ,  C03B19/01 ,  C03B19/1415 ,  C03B37/0128 ,  C03B37/01294 ,  C03B37/01406 ,  C03B37/01413 ,  C03B37/0142 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2207/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/482 ,  C23C16/483 ,  C23C16/56 ,  C23C24/00 ,  C23C24/04 ,  G02B6/036 ,  G02B6/132 ,  Y02P40/57

Abstract: 高速沉积方法包括从产物流沉积粉末涂层。产物流产生自所述流中的化学反应。某些粉末涂层在适当条件下固结为光学涂层。该基底可以具有其上设置光学涂层的第一光学涂层。在固结后所得到的光学涂层可以具有与在下的第一光学涂层较大的折射系数差异、在整个基底上具有高的厚度和折射系数均匀性和在等同条件下于不同基底上形成的涂层之间具有高的厚度和折射系数均匀性。在某些实施例中，可以在不超过约30分钟内沉积厚至少约100nm的粉末涂层，并且基底具有至少约25平方厘米的表面积。

公开(公告)号：CN1785861A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510030735.X

申请日：2005-10-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 王廷云 ,  卢军 ,  王克新

IPC: C03B37/018 ,  C03B37/025 ,  C03C25/10

CPC classification number: C03B37/01807 ,  C03B37/01838 ,  C03B37/01853 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/58

Abstract: 本发明述及一种纳米量子点光纤及其制作方法。本纳米量子点光纤纤芯、包层和保护层组成，纤芯材料是由纯石英掺杂少量增大折射率的GeO2和具有放大效应的半导体PbS纳米材料组成，包层材料为纯石英材料，保护层材料由纯石英支撑管构成。其制造方法是：①采用MCVD工艺制作来烧结多孔的纤芯预制棒；②采用sol－gel法制备半导体量子点材料；③采用溶胶浸泡法制备量子点纤芯预制棒；④采用低温工艺拉制纳米量子点光纤。可以用较短(厘米级)的本光纤实现光信号放大。本光纤具有宽带特性，是已有的掺铒光纤带宽的2～5倍。可广泛应用于光纤放大器、光纤激光器、光调制器等器件，应用于光纤传感领域的光纤温度、压力传感器等的测量。

公开(公告)号：CN1708461A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02826394.4

申请日：2002-12-03

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： M·T·安德森 ,  C·R·查特 ,  J·R·昂斯托特 ,  K·D·布德

IPC: C03C13/04 ,  G02B6/16 ,  H01S3/067

CPC classification number: H01S3/067 ,  C03B19/102 ,  C03B19/1065 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01838 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/36 ,  C03C3/06 ,  C03C13/046 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/28 ,  C03C2201/3417 ,  C03C2201/3458 ,  C03C2201/3476 ,  C03C2201/3482 ,  C03C2201/36 ,  H01S3/0672 ,  H01S3/0677 ,  H01S3/06775 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1616 ,  Y02P40/57

Abstract: 制备光纤的方法和所得制品。所述方法包括如下步骤：提供底管；在管内沉积高纯氧化硅包层；沉积包含氧化硅和Al、La、Er和Tm氧化物但不含锗的玻璃芯体；去掉底管形成预制品；将预制品拉成光纤。本发明不含锗的共掺杂硅酸盐光学波导包括含氧化硅及铝、镧、铒和铥的氧化物的芯体，其中Er浓度为15－3000ppm；Al浓度为0.5－15mol％；La浓度小于或等于0.5－2mol％；Tm浓度为150－10000ppm。在一个具体实施方式中，Al浓度为4－10mol％；Tm浓度为150－3000ppm。芯体还可包含F。在一个示例性实施方式中，F浓度小于或等于6mol％(阴离子)。波导可以是光纤、成形光纤或导光波导。本发明的放大器可包括所述光纤。

公开(公告)号：CN1692086A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN03823749.0

申请日：2003-08-05

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： L·A·摩尔 ,  D·C·布克班德 ,  K·L·豪斯 ,  S·L·希费尔贝因 ,  L·J·鲍尔 ,  B·P·M·巴内 ,  R·R·赫拉帕孔

IPC: C03C25/60 ,  C03C25/68 ,  C03C13/04 ,  C03C15/00 ,  C03C21/00 ,  G02B6/00 ,  C03C17/28 ,  C03C17/30 ,  C03C17/245

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B37/01211 ,  C03B37/01228 ,  C03B37/01426 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01861 ,  C03B37/01892 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/50 ,  C03B2201/54 ,  C03B2203/26 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/90 ,  C03C25/602 ,  C03C25/607 ,  C03C25/68 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/50 ,  C03C2203/50 ,  G02B6/02

Abstract: 一种形成掺有碱金属氧化物的光纤的方法，该方法通过使碱金属扩散穿过玻璃物件的暴露的表面来进行掺入。石英玻璃物件可以呈管子或杆的形式，或者管子或杆的集合的形式。将含有碱金属以及可能在无意中已扩散到玻璃物件中的杂质的石英玻璃物件蚀刻到一定的深度，以去除杂质。可进一步处理石英玻璃物件，以形成完整的光纤预制棒。该预制棒在拉制成光纤之后，表现出较低的衰减。

公开(公告)号：CN1379740A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN00814320.X

申请日：2000-10-18

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： G·比尔 ,  L·平克尼 ,  W·D·沃克劳斯 ,  王吉

IPC: C03B37/027

CPC classification number: G02B6/0229 ,  C03B32/02 ,  C03B37/01211 ,  C03B37/027 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/40 ,  C03B2203/22 ,  C03B2205/56 ,  C03B2205/72 ,  C03C13/006 ,  C03C13/045 ,  C03C13/046 ,  C09K11/646 ,  C09K11/685

Abstract: 一种制造玻璃陶瓷光电材料如包层光纤或光电装置所用的其它元件的方法。该方法包括制备玻璃组合物批料,以便获得用于掺杂有至少一种光学活性离子如过渡金属或镧系元素的纳米结晶玻璃陶瓷的前体玻璃;将批料熔制;制成玻璃棒;用管状的化学惰性包层材料包在棒的周围;在略高于前体玻璃组合物的液相线温度的温度时从前体－玻璃“管包棒”的复合材料拉制出玻璃纤维;在芯组合物中产生纳米晶体的条件下热处理拉制的包层玻璃纤维的至少一部分,制成玻璃陶瓷。

公开(公告)号：CN1294768A

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN00800230.4

申请日：2000-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 远藤信次 ,  石川真二 ,  角井素贵 ,  铃木俊美

IPC: H01S3/067 ,  G02B6/16

CPC classification number: H01S3/06708 ,  C03B37/01211 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03B2203/22

Abstract: 本发明涉及具备用来在更宽的波段中实现平坦的增益特性或振荡特性的构造的光放大用光纤及其制造方法。本发明的光放大用光纤,具备含有光轴中心的第1掺杂区,和具有比该第1掺杂区还大的外径的第2掺杂区。作为具有与构成该光放大用光纤的主材料的阳离子的价数不同的价数的元素的氧化物,向该第2掺杂区内,添加进Al2O3、P2O5、Y2O3和B2O3中的至少一种氧化物,向上述第1掺杂区内,除上述氧化物之外,作为稀土族元素,还添加进Er、Nd、Tm、Yb和Pr中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN1282879A

公开(公告)日：2001-02-07

申请号：CN00126276.9

申请日：2000-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知勋 ,  都文显

IPC: G02B6/16 ,  C03B37/018

CPC classification number: G02B6/02009 ,  C03B37/01807 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/36 ,  G02B6/02219 ,  G02B6/02242 ,  G02B6/03622 ,  G02B6/03694 ,  Y02P40/57

Abstract: 色散控制光纤和大尺寸预制坯的制造方法。该色散控制光纤包括纤芯和包层,该纤芯由SiO2、GeO2和P2O5构成,该包层由SiO2、GeO2、P2O5和氟利昂构成。选择P2O5的含量不超过构成该纤芯复合物总重量的10%。用于MCVD法色散控制光纤的大尺寸预制坯的制造方法包括,在沉积管的内周边沉积SiO2、GeO2、P2O5和氟利昂以便形成包层,并且在该包层的内周边上沉积SiO2、GeO2和P2O5以便形成纤芯层。