Abstract:
A method for processing a silica-containing soot article includes exposing a silica-containing soot article to a removal gas including bromine such that the removal gas removes chlorine from the soot article.
Abstract:
Layered glass structures and fabrication methods are described. The methods include depositing soot on a dense glass substrate to form a composite structure and sintering the composite structure to form a layered glass structure. The dense glass substrate may be derived from an optical fiber preform that has been modified to include a planar surface. The composite structure may include one or more soot layers. The layered glass structure may be formed by combining multiple composite structures to form a stack, followed by sintering and fusing the stack. The layered glass structure may further be heated to softening and drawn to control linear dimensions. The layered glass structure or drawn layered glass structure may be configured as a planar waveguide.
Abstract:
The invention relates to a silica glass compound having improved physical and chemical properties. In one embodiment, the present invention relates to a silica glass having a desirable brittleness in combination with a desirable density while still yielding a glass composition having a desired hardness and desired strength relative to other glasses. In another embodiment, the present invention relates to a silica glass composition that contains at least about 85 mole percent silicon dioxide and up to about 15 mole percent of one or more dopants selected from F, B, N, Al, Ge, one or more alkali metals (e.g., Li, Na, K, etc.), one or more alkaline earth metals (e.g., Mg, Ca, Sr, Ba, etc.), one or more transition metals (e.g., Ti, Zn, Y, Zr, Hf, etc.), one or more lanthanides (e.g., Ce, etc.), or combinations of any two or more thereof.
Abstract:
The present invention relates to a TiO2-containing quartz glass substrate, having a TiO2 concentration of from 3 to 8% by mass, an OH concentration of 50 ppm by mass or less, and an internal transmittance T365 per 1 mm thickness at a wavelength of 365 nm of 95% or more.
Abstract:
The invention concerns a quartz glass body for an optical component for the transmission of UV radiation with a wavelength of 250 nm and less, especially for a wavelength of 157 nm, as well as a process for the manufacture of the quartz glass body where fine quartz glass particles are formed by flame hydrolysis of a silicon compound, deposited and vitrified. Suitability of a quartz glass as represented by high base transmission and radiation resistance depends on structural properties caused by local stoichiometric deviations, and on the chemical composition. The quartz glass body according to the inventions is distinguished by a uniform base transmission (relative change of base transmission ≦1%) in the wavelength range from 155 nm to 250 nm (radiation penetration depth of 10 mm) of at least 80%, a low OH content (less than 10 ppm by weight) and a glass structure substantially free from oxygen defect centers. A quartz glass body of this kind is manufactured by a process which allows bulk embedding of hydrogen or oxygen into the glass network in that at least a two stage heat treatment takes place at temperatures ranging from 850° C. to 1600° C. before the vitrification, the last stage comprising sintering at a temperature between 1300° C. and 1600° C. in an atmosphere containing hydrogen or oxygen, or a nonflammable mixture of these substances.
Abstract:
A nonlinear optical silica material mainly consisting of SiO2—GeO2 to which hydrogen or halogen element X is added. Oxygen bonded to Ge contained in the nonlinear optical silica material is replaced by H or X, and one Ge has two Ge—O bonds and one Ge—H (or Ge—X) bond at Ge· points where nonlinearity is exhibited in the silica material. The Ge—H (or Ge—X) bond does not relate to a crystal network, so that when the polarity is oriented in order to exhibit nonlinearity at Ge·, an electric field to be applied can be lowered, and when a optical semiconductor hybrid element or the like is produced, other portions of the semiconductor elements can be prevented from being broken or degraded in performance. An insulating film can be interposed between the semiconductor substrate and the nonlinear optical silica film to prevent undesired impurities from dispersing into the semiconductor substrate and other elements and preventing a defect from being caused in the crystal of the substrate due to the silica film.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Quarzglaskörper für ein optisches Bauteil für die Übertragung ultravioletter Strahlung einer Wellenlänge von 250 nm und kürzer, insbesondere für eine Wellenlänge von 157 nm, sowie ein Verfahren zur Herstellung des Quarzglaskörpers, wobei feine Quarzglasteilchen durch Flammenhydrolyse einer Siliziumverbindung gebildet, abgeschieden und verglast werden. Die Eignung eines Quarzglases im Sinne hoher Grundtransmission und Strahlenbeständigkeit hängt von seinen strukturellen Eigenschaften, die durch lokale Stöchiometrieabweichungen verursacht sind, und von seiner chemischen Zusammensetzung ab. Der erfindungsgemäße Quarzglaskörper zeichnet sich durch eine uniforme (relative Änderung der Grundtransmission ≤ 1%) Grundtransmission im Wellenlängenbereich zwischen 155 nm und 250 nm (Durchstrahlungslänge 10 mm) von mindestens 80 %, geringem OH-Gehalt (kleiner 10 Gew.-ppm) und eine im wesentlichen von Sauerstoffdefektstellen freie Glasstruktur aus. Ein derartiger Quarzglaskörper wird mit einem Verfahren hergestellt, das den volumenmäßigen Einbau von Sauerstoff oder Wasserstoff in das Glasnetzwerk ermöglicht, indem der noch vor dem Verglasen eine Heißbehandlung in mindestens 2 Teilschritten im Temperaturbereich von 850°C bis 1600°Cerfolgt, wobei der letzte Teilschritt eine Sinterung in einem Temperaturbereich zwischen 1300°C und 1600 °C unter einer Atmosphäre, die Wasserstoff oder Sauerstoff oder eine Kombination dieser Stoffe als nicht zündfähiges Gemisch enthält, umfasst.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Quarzglaskörper für ein optisches Bauteil für die Übertragung ultravioletter Strahlung einer Wellenlänge von 250 nm und kürzer, insbesondere für eine Wellenlänge von 157 nm, sowie ein Verfahren zur Herstellung des Quarzglaskörpers, wobei feine Quarzglasteilchen durch Flammenhydrolyse einer Siliziumverbindung gebildet, abgeschieden und verglast werden. Die Eignung eines Quarzglases im Sinne hoher Grundtransmission und Strahlenbeständigkeit hängt von seinen strukturellen Eigenschaften, die durch lokale Stöchiometrieabweichungen verursacht sind, und von seiner chemischen Zusammensetzung ab. Der erfindungsgemäße Quarzglaskörper zeichnet sich durch eine uniforme (relative Änderung der Grundtransmission ≤ 1%) Grundtransmission im Wellenlängenbereich zwischen 155 nm und 250 nm (Durchstrahlungslänge 10 mm) von mindestens 80 %, geringem OH-Gehalt (kleiner 10 Gew.-ppm) und eine im wesentlichen von Sauerstoffdefektstellen freie Glasstruktur aus. Ein derartiger Quarzglaskörper wird mit einem Verfahren hergestellt, das den volumenmäßigen Einbau von Sauerstoff oder Wasserstoff in das Glasnetzwerk ermöglicht, indem der noch vor dem Verglasen eine Heißbehandlung in mindestens 2 Teilschritten im Temperaturbereich von 850°C bis 1600°Cerfolgt, wobei der letzte Teilschritt eine Sinterung in einem Temperaturbereich zwischen 1300°C und 1600 °C unter einer Atmosphäre, die Wasserstoff oder Sauerstoff oder eine Kombination dieser Stoffe als nicht zündfähiges Gemisch enthält, umfasst.
Abstract:
Bei faseroptischen Streueinrichtungen wird über eine Lichtleitfaser aus Quarzglas Licht zu einem an einem distalen Endbereich der Lichtleitfaser vorgesehenen Diffusor übertragen. Der Diffusor enthält Streuzentren. Zur Erzeugung des Diffusors ist es bekannt, auf dem distalen Faserende der Lichtleitfaser eine Streumasse aufzubringen und diese zu dem Diffusor zu verfestigen. Um davon ausgehend ein Verfahren zur kostengünstigen und zuverlässigen Herstellung einer derartigen faseroptischen Streueinrichtung anzugeben, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass das Aufbringen der Streumasse folgende Verfahrensschritte umfasst (a) Bereitstellen einer SiO 2 -Körnung, die amorphe SiO 2 -Teilchen enthält und die zu mindestens 90 Gew.-% aus SiO 2 besteht, (b) Bereitstellen eines Hohlkörpers aus Glas mit einer Hohlraumwandung, die einen nach außen offenen Hohlraum umgibt, (c) Bilden einer Schüttung der SiO 2 -Körnung in dem Hohlraum und Einbringen des Faserendes in den Hohlraum, so dass mindestens ein Teil des Faserendes in die Schüttung hineinragt, (d) thermisches Verdichten der Schüttung unter Ausbildung einer porenhaltigen und zu mindestens 90 Gew.-% aus SiO 2 bestehenden Sintermasse, die mindestens teilweise von einer Glashülle umgeben ist.