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公开(公告)号：CN1748148A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003950.4
申请日：2004-01-30
Applicant: VTI技术有限公司
Inventor： T·莱托宁
IPC: G01P15/125 , G01P15/00
CPC classification number: G01P15/18 , G01P15/125 , G01P2015/0828
Abstract: 一种用于加速度测量中的测量装置，更具体地涉及电容性加速度传感器。根据本发明的电容性加速度传感器包括支承在旋转轴线(7)处的可移动电极(5)，根据本发明的加速度传感器的该对电极中的电容变化被增强。根据本发明的加速度传感器结构使改进基于旋转运动的该对电极的电容灵敏度，并在电容性加速度传感器设计中以良好的性能测量加速度的成为可能。
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公开(公告)号：CN1693900A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510067030.5
申请日：2005-04-21
Applicant: 爱知制钢株式会社
IPC: G01P15/08
CPC classification number: G01P1/006 , G01P1/023 , G01P15/105 , G01P15/18 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明提供了一种在采用磁性检出元件检测磁体位移的加速度传感器，并且，该加速度传感器是有效地抑制周边外界磁场的影响而提高检测精度的加速度传感器。本发明所提出的加速度传感器(1)，具有悬臂梁结构，包括了以其固定端(221)为中心作往复动作的弹性变形运动的悬臂(22)和、在悬臂(22)的自由端(222)上设置的磁体(21a(b))、以及在悬臂(22)的往复动作领域的外周面上配置了磁性检出头部(23b)的加速度检测单元。并且，本发明所提出的加速度传感器(1)，为了补正磁性检出头部(23a)、(23b)输出的检出信号，配备了分别检测作用于磁性检出头部(23a)、(23b)和磁体(21a)、(21b)的周边外界磁场的周边外界磁场检出部(43a)、(43b)。
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公开(公告)号：CN1157594C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN00801886.3
申请日：2000-07-07
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: G01L1/14 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , G01B7/22 , G01L1/142 , G01L1/144 , G01L1/148 , G01L3/106 , G01P2015/0814 , G01P2015/0828
Abstract: 一种静电电容式应变传感器，包括基板(119)和在基板上形成的两个交叉指型—对电极式电容器(209，209A)。该基板在具有平面(或曲面)的弹性体表面上，形成厚度大致一致、介电常数随变形变化的材料的电介质层膜(129)。该电容器由基板表面上的成对电极的交叉指型形成，该成对电极由多个线状导电体做成平行的线状电极形成。在该传感器中，在基板上形成一个电容器作为基准电容，将其用于另一个电容器的温度校正。为检测另一方向的变形，交叉指型中的指的方向大致互相垂直，或使线状电极相对平板中心呈同心圆形状。通过将电容器作为振荡电路的元件装入，可将变形值转换为电容和频率的变化，由于频率可精细抽出，故可容易地检测变形的细微变化。
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公开(公告)号：CN1329243A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01121705.7
申请日：2001-06-18
Applicant: 森桑诺尔有限公司
CPC classification number: G01P21/00 , G01F1/28 , G01L1/183 , G01P15/097 , G01P2015/0828
Abstract: 一种由半导体材料构成的传感器。该装置包括支承框架、读出元件、以及以一般对应于第一谐振频率振动方式的频率来振动读出元件的装置。错误检测装置检测谐振频率振动方式,错误检测装置的输出表示存在或者不存在所述谐振频率振动方式对所述激励的预期的响应。检测读出元件变形的装置提供表示待检测的参数的输出信号,变形检测装置和错误检测装置由相同元件构成。
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公开(公告)号：CN1168472A
公开(公告)日：1997-12-24
申请号：CN97109504.3
申请日：1997-02-27
Applicant: 株式会社精工电子研究开发中心
CPC classification number: B81B7/0077 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 为了从一个半导体晶片中制造大量的传感器，在本发明中扩散电阻被置于传感器的侧面。通过在传感器的侧面上提供位移检测装置，通过较少的制造工序就可以获得高精密度低成本的传感器，而无须蚀刻工序。而且，可以提供较好成品率的包括半导体加速度传感器的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103534612B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201280016682.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 离子地球物理学公司
Inventor： K.K.邓
CPC classification number: H02N1/006 , G01H11/08 , G01P15/09 , G01P15/0915 , G01P15/123 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0805 , G01P2015/0828 , G01V1/18 , G01V1/38 , G01V13/00 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明公开了用于形成换能器的方法、设备和系统。换能器可包括由第一薄板材料形成的底板，由第二薄板材料形成的顶板，以及中部。中部包括：由第三薄板材料形成的中上元件，中上元件具有中上框架，中上质量体，和用于将中上质量体附连到中上框架上的多个中上附连构件。中部还可包括由第四薄板材料形成的中央元件，中央元件具有中央框架和中央质量体。
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公开(公告)号：CN103547895B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280016638.3
申请日：2012-02-07
Applicant: 离子地球物理学公司
Inventor： K.K.邓
CPC classification number: H02N1/006 , G01H11/08 , G01P15/09 , G01P15/0915 , G01P15/123 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0805 , G01P2015/0828 , G01V1/18 , G01V1/38 , G01V13/00 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明公开了结合地球物理勘测，辅助感测水下信号的方法和设备。一实施例涉及一种换能器，换能器包括联接到基体的悬臂。悬臂可包括梁和相对于梁有角度地定向的第一联接表面，并且该基体可包括相对于梁有角度地定向并且基本上与悬臂的第一联接表面平行的第二联接表面。换能器还可包括联接于悬臂的第一联接表面与基体的第二联接表面之间的感测材料。
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公开(公告)号：CN105452876A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480036160.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 马蒂·柳库 , 维尔-佩卡·吕特克宁 , 安斯·布卢姆奎斯特
IPC: G01P15/125 , G01P15/18 , G01P15/08
CPC classification number: G01P15/18 , G01P15/00 , G01P15/08 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0828 , G01P2015/0837
Abstract: 本发明涉及电容式微机械加速度传感器，其包括第一传感器(2)，第二传感器(4)和第三传感器(5)。第一传感器(2)包括转子电极(6)和定子电极(7)。传感器包括连接到转子电极支承结构(19)并且连接到转子电极(6)的第一梁(8)。传感器包括连接到转子电极支承结构(19)并且连接到转子电极(6)的第二梁(12)。第二传感器(4)被定位在由第一梁(8)、第一传感器(2)，和转子电极支承结构(19)限定的第一空间(17)中。第三传感器(5)被定位在由第二梁(12)、第一传感器(2)，和转子电极支承结构(19)限定的第二空间(18)中。
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公开(公告)号：CN102190284B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201010261039.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/0376 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0177 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN102313820B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110136940.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 高木成和
IPC: G01C19/5783 , G01P15/125 , G01P15/18
CPC classification number: G01P15/18 , G01C19/5783 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , G01P2015/0828 , G01P2015/0845 , G01P2015/0865
Abstract: 本发明提供元件结构体、惯性传感器以及电子设备。能够使包含2个以上的传感器元件的元件结构体的制造变得容易。元件结构体包含第1基板(BS1)和第2基板(BS2)，第1基板(BS1)具有第1支撑层(100)和设置于第1支撑层(100)上方的第1传感器元件(SE1)，第2基板(BS2)具有第2支撑层(200)和设置在第2支撑层(200)上方的第2传感器元件(SE2)，其中，第2基板(BS2)在第1传感器元件(SE1)与第2传感器元件(SE2)相互面对的状态下，隔着间隔件(300)配置在第1基板(BS1)上。
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