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公开(公告)号：CN106716239B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201580049944.0
申请日：2015-09-21
IPC: G02F1/225 , G02F1/025 , H04B10/54 , H01S5/026 , H04B10/548
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F2001/0152 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/124 , G02F2202/105 , H04B10/54 , H04B10/548
Abstract: 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
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公开(公告)号：CN106716239A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580049944.0
申请日：2015-09-21
IPC: G02F1/225 , G02F1/025 , H04B10/54 , H01S5/026 , H04B10/548
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F2001/0152 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/124 , G02F2202/105 , H04B10/54 , H04B10/548
Abstract: 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10)，所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30)，所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110，210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移，并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中，其中——除了波导衰减以外——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明，所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时，所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上，并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中，每个半导体部分(110，210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸，并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
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公开(公告)号：CN106471406A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580035385.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 杜比实验室特许公司
CPC classification number: G02F1/365 , G02B6/12004 , G02B6/13 , G02B2006/1204 , G02B2006/12045 , G02B2006/12054 , G02B2006/12097 , G02B2006/121 , G02F1/353 , G02F1/3551 , G02F1/377 , G02F2201/063 , G02F2202/20 , H01S5/0092 , H01S5/4012 , H01S5/4025
Abstract: 公开了用于波导制造和设计的新方法和系统。描述了用于通过飞秒脉冲激光制造脊波导、掩埋式波导和混合波导的设计。激光器系统可以将二极管条、波长组合器和波导组合。波导可以将红外激光的电磁辐射转换成可见光波长范围。
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公开(公告)号：CN105474078A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480038181.5
申请日：2014-07-31
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0157 , G02F2201/063 , H01L27/15
Abstract: 提供一种电吸收调制器(100)，包括：衬底层(110)，包括硅衬底(112)及设置于所述硅衬底上的氧化层(114)；顶层硅(120)，形成于所述氧化层(114)上，且所述顶层硅(120)上形成一波导层(122)；掺杂层，包括第一掺杂平板(132)及第二掺杂平板(133)，所述第一掺杂平板(132)上形成一第一类型轻掺杂区(134)，所述第二掺杂平板(133)上形成一第二类型轻掺杂区(135)，且所述第一类型轻掺杂区(134)、波导层(122)及第二类型轻掺杂区(135)形成一PIN结；调制层(140)，设置于所述波导层(122)上并与所述PIN结并联；对于一特定波长的入射光束，当所述PIN结上加载反向的调制电信号时，所述调制层(140)对所述光束的光吸收系数随所述调制电信号的变化而变化，所述光束通过调制区域后的光功率也相应变化，从而实现了对光束的电光调制。
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公开(公告)号：CN101939689B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200880115149.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 戴维·格雷汉姆·穆迪
CPC classification number: G02F1/01708 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , G02B2006/12126 , G02B2006/12142 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , G02F2201/063 , G02F2201/066
Abstract: 一种电吸收调制器，包括在至少一个p-掺杂半导体层(6)和至少一个n-掺杂半导体层(8)之间的一个吸收层(7)，这些层形成了一个脊形波导结构，吸收层的厚度在9-60nm之间，脊形的宽度在4.5-12微米之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101981492B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980111735.9
申请日：2009-03-06
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/225 , G02F2001/212 , G02F2201/063
Abstract: 本发明的目的在于抑制光折变现象的影响及杂散光与信号光的耦合。一种马赫-曾德尔波导型光调制器，包括：薄板(1)，由具有电光效应的材料形成且厚度在20μm以下；光波导(2)，形成于该薄板的表面或背面；以及调制电极，用于调制在该光波导内通过的光，上述马赫-曾德尔波导型光调制器的特征在于，该光波导由输入光波导(21)、分支光波导(23～28)、输出光波导(30)构成，该分支光波导具有：输入侧分支部(区域B)，从该输入光波导分支为多个光波导；输出侧合波部(区域D)，对连接于输出光波导的多个光波导进行合波；以及平行部(区域C)，形成于输入侧分支部与输出侧合波部之间，输入侧分支部或输出侧合波部中至少一个的沿分支光波导的对称轴的长度l与该平行部中的光波导间隔d的比率l/d为33～100。
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公开(公告)号：CN101952755A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980106226.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/02085 , G02B6/122 , G02B6/124 , G02B6/29394 , G02B2006/02166 , G02F2001/0151 , G02F2201/063 , G02F2201/307
Abstract: 设定一种基板型光波导元件，其中，光波导的芯具备：内侧芯，具有形成肋结构的凸部；和外侧芯，设置于该内侧芯之上并覆盖上述凸部的周面，外侧芯的折射率低于内侧芯的平均折射率。对于该基板型光波导元件的构造，芯也可以使用硅(Si)和氮化硅(SixNy)等的具有比硅玻璃系材料高的折射率的材料。
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公开(公告)号：CN104321849B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201380027000.4
申请日：2013-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B6/1347 , G02B6/12 , G02B2006/12061 , G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/15 , G02F2202/06 , G02F2202/105
Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN104849803A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510084731.3
申请日：2015-02-16
Applicant: 株式会社藤仓
Inventor： 冈彻
CPC classification number: G02B6/126 , G02B6/0048 , G02B6/2773 , G02B2006/12147 , G02F1/3133 , G02F2201/063 , G02F2202/105 , G02F2203/06
Abstract: 本发明提供一种基板型波导元件以及光调制器。通过使第一芯的至少一部分的区间中的剖面为由四边形的主要部分、和从该主要部分突出的四边形的突出部构成的阶梯形状，使第一芯和第二芯中的TE偏振波的有效折射率不同。
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公开(公告)号：CN104685408A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380036800.2
申请日：2013-02-28
Applicant: 科途嘉光电公司
IPC: G02F1/035
CPC classification number: H01L31/105 , G02F1/0147 , G02F1/025 , G02F1/0305 , G02F1/225 , G02F2201/063 , G02F2201/501
Abstract: 该学装置包括在基底上的有源部件。有源部件为光传感器和/或光调制器。有源部件包括有源介质，有源介质包括脊和平板区域。脊从基底向上延伸并且定位于平板区域之间。脊限定在基底上的波导的一部分。一个或多个隔离沟槽各自延伸到有源介质的平板区域并且至少部分地与有源介质的脊间隔开。
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