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公开(公告)号：CN104321849B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201380027000.4
申请日：2013-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B6/1347 , G02B6/12 , G02B2006/12061 , G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/15 , G02F2202/06 , G02F2202/105
Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN104321849A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380027000.4
申请日：2013-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B6/1347 , G02B6/12 , G02B2006/12061 , G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/15 , G02F2202/06 , G02F2202/105
Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN102906632A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180024639.8
申请日：2011-05-24
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02F1/0121 , G02F1/025 , G02F1/0356 , G02F2201/127 , G02F2201/20 , G02F2202/10
Abstract: 一种传输线（304），包括形成电路径（203）的多个区段以及通过所述区段的连续光学波导（205）。多个分离电感器（102）被形成在相邻区段之间并连接所述相邻区段。所述电感器（102）被形成在集成电路的多个金属层中，以便平衡包含在所述光学波导（205）上形成的所述传输线（304）的光学调制器的电容，由此获得所述传输线的预定特征阻抗。使用延迟锁定回路（305）控制变容器（302）以匹配光学信号和电信号的延迟。可以使用光学波导区段（210）来匹配所述延迟。
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公开(公告)号：CN104520764B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380042440.7
申请日：2013-06-26
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02F1/0356 , G02F1/0121
Abstract: 电光调制器设备包括部分地由波导部分定义的光信号通路，部分地由导线部分定义的射频(RF)信号通路，交互区域，在该交互区域中在所述RF信号通路中传播的RF信号与在所述光信号通路中传播的光信号交互以调制所述光信号，以及位于所述导线部分附近的第一调整部分，所述第一调整部分包括传导部分和开关部分，所述开关部分用于将所述传导部分连接到地。
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公开(公告)号：CN104049300B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410092443.8
申请日：2014-03-13
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02B6/126
Abstract: 本发明涉及用于光学偏振分路旋转器的前端制程集成的材料结构。公开了晶片芯片的偏振分路旋转器、光电子器件及使用方法。所述晶片芯片的第一波导被配置成从光学器件接收光学信号并且传播所接收的光学信号的横电本征态。所述第二波导被配置成从所述第一波导接收所接收的光学信号的横磁本征态。所述第二波导包括分路器端、中间部分和旋转器端，其中所述分路器端包括多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层，所述旋转器端包括单晶硅层、氧化硅层和氮化硅层，并且所述中间部分包括单晶硅层、氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104124304A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410163915.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L27/144 , H01L31/028
CPC classification number: G02B6/13 , G02B6/12004 , G02B6/132
Abstract: 本发明涉及对接耦合的埋设波导光电探测器。一种形成具有光电探测器和CMOS设备的集成光子半导体结构的方法，其可以包括：在第一绝缘体上硅区上形成CMOS设备；在第二绝缘体上硅区上形成硅光波导；以及形成围绕硅光波导的浅槽隔离(STI)区，从而使得所述浅槽隔离将第一和第二绝缘体上硅区电隔离。在STI区内，邻近半导体光波导的端面沉积锗材料。所述锗材料形成一个活性区，其接收来自半导体光波导的端面的传播光学信号。
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公开(公告)号：CN105742405B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510968938.7
申请日：2015-12-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/153 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/18 , H01L27/144 , H01L21/02 , G02B6/12 , G02B6/42
CPC classification number: H01L31/0203 , G02B6/00 , G02B6/12004 , G02B6/4253 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/32053 , H01L21/84 , H01L27/1443 , H01L28/20 , H01L31/02019 , H01L31/02161 , H01L31/02327 , H01L31/153 , H01L31/18 , H01L31/1808 , H01L31/186 , H01L31/1872 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 提供了硅光子集成方法和结构。该方法包括：在光电探测器上方和周围形成至少一个包裹层；在形成所述至少一个包裹层之后，对所述光电探测器材料进行热结晶；以及在热结晶所述光电探测器材料之后，在至少一个器件的上方，在所述至少一个包裹层上形成共形的密封层。所述共形的密封层被配置为密封所述至少一个包裹层中的缝隙。所述光电探测器和所述至少一个器件位于同一衬底上。所述至少一个器件包括互补金属氧化物半导体器件或被动光子器件。
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公开(公告)号：CN104124304B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410163915.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L27/144 , H01L31/028
CPC classification number: G02B6/13 , G02B6/12004 , G02B6/132
Abstract: 本发明涉及对接耦合的埋设波导光电探测器。一种形成具有光电探测器和CMOS设备的集成光子半导体结构的方法，其可以包括：在第一绝缘体上硅区上形成CMOS设备；在第二绝缘体上硅区上形成硅光波导；以及形成围绕硅光波导的浅槽隔离(STI)区，从而使得所述浅槽隔离将第一和第二绝缘体上硅区电隔离。在STI区内，邻近半导体光波导的端面沉积锗材料。所述锗材料形成一个活性区，其接收来自半导体光波导的端面的传播光学信号。
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公开(公告)号：CN104049300A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410092443.8
申请日：2014-03-13
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02B6/126
Abstract: 本发明涉及用于光学偏振分路旋转器的前端制程集成的材料结构。公开了晶片芯片的偏振分路旋转器、光电子器件及使用方法。所述晶片芯片的第一波导被配置成从光学器件接收光学信号并且传播所接收的光学信号的横电本征态。所述第二波导被配置成从所述第一波导接收所接收的光学信号的横磁本征态。所述第二波导包括分路器端、中间部分和旋转器端，其中所述分路器端包括多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层，所述旋转器端包括单晶硅层、氧化硅层和氮化硅层，并且所述中间部分包括单晶硅层、氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层。
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公开(公告)号：CN102906632B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180024639.8
申请日：2011-05-24
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02F1/0121 , G02F1/025 , G02F1/0356 , G02F2201/127 , G02F2201/20 , G02F2202/10
Abstract: 一种传输线（304），包括形成电路径（203）的多个区段以及通过所述区段的连续光学波导（205）。多个分离电感器（102）被形成在相邻区段之间并连接所述相邻区段。所述电感器（102）被形成在集成电路的多个金属层中，以便平衡包含在所述光学波导（205）上形成的所述传输线（304）的光学调制器的电容，由此获得所述传输线的预定特征阻抗。使用延迟锁定回路（305）控制变容器（302）以匹配光学信号和电信号的延迟。可以使用光学波导区段（210）来匹配所述延迟。
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