公开(公告)号：CN104321849A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380027000.4

申请日：2013-04-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·M·格林 ,  J·C·罗森伯格 ,  Y·A·弗拉索夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G02B6/1347 ,  G02B6/12 ,  G02B2006/12061 ,  G02F1/025 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/15 ,  G02F2202/06 ,  G02F2202/105

Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。

公开(公告)号：CN104321849B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201380027000.4

申请日：2013-04-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·M·格林 ,  J·C·罗森伯格 ,  Y·A·弗拉索夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G02B6/1347 ,  G02B6/12 ,  G02B2006/12061 ,  G02F1/025 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/15 ,  G02F2202/06 ,  G02F2202/105

Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。

公开(公告)号：CN105742405A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510968938.7

申请日：2015-12-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·阿塞法 ,  T·巴尔维奇 ,  W·M·格林 ,  M·H·哈提尔 ,  J·C·罗森伯格 ,  S·M·尚克

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0203

CPC classification number: H01L31/0203 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/4253 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1443 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了硅光子集成方法和结构。该方法包括：在光电探测器上方和周围形成至少一个包裹层；在形成所述至少一个包裹层之后，对所述光电探测器材料进行热结晶；以及在热结晶所述光电探测器材料之后，在至少一个器件的上方，在所述至少一个包裹层上形成共形的密封层。所述共形的密封层被配置为密封所述至少一个包裹层中的缝隙。所述光电探测器和所述至少一个器件位于同一衬底上。所述至少一个器件包括互补金属氧化物半导体器件或被动光子器件。

公开(公告)号：CN105742405B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510968938.7

申请日：2015-12-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·阿塞法 ,  T·巴尔维奇 ,  W·M·格林 ,  M·H·哈提尔 ,  J·C·罗森伯格 ,  S·M·尚克

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/153 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  H01L21/02 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42

CPC classification number: H01L31/0203 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/4253 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1443 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了硅光子集成方法和结构。该方法包括：在光电探测器上方和周围形成至少一个包裹层；在形成所述至少一个包裹层之后，对所述光电探测器材料进行热结晶；以及在热结晶所述光电探测器材料之后，在至少一个器件的上方，在所述至少一个包裹层上形成共形的密封层。所述共形的密封层被配置为密封所述至少一个包裹层中的缝隙。所述光电探测器和所述至少一个器件位于同一衬底上。所述至少一个器件包括互补金属氧化物半导体器件或被动光子器件。