双层交叉式P-N二极管调制器

    公开(公告)号:CN104321849A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201380027000.4

    申请日:2013-04-16

    Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括:形成n型层,所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部;在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层;在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区;去除所述第一掩蔽层;在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层;以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。

    双层交叉式P-N二极管调制器

    公开(公告)号:CN104321849B

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201380027000.4

    申请日:2013-04-16

    Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括:形成n型层,所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部;在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层;在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区;去除所述第一掩蔽层;在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层;以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。

    TFT-LCD的阵列基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN102566155B

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201010611650.1

    申请日:2010-12-28

    Inventor: 孙荣阁 叶*

    Abstract: 本发明实施例公开了一种TFT-LCD的阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示器技术领域,能够在对位精度不高时,减小存储电容。该阵列基板包括:基板,基板上的栅线和数据线;栅线和数据线交叉定义一个像素单元,每一个像素单元包括薄膜晶体管、公共电极、通过绝缘层隔开的第一像素电极层和第二像素电极层;第一像素电极层与公共电极连接,包括被第一像素电极层开口间隔开的数个第一像素电极;第二像素电极层与薄膜晶体管的漏极连接,包括被第二像素电极层开口间隔开的数个第二像素电极;第二像素电极包括完全重叠于第一像素电极的重叠处像素电极和其边缘完全落入第一像素电极层开口内的开口处像素电极。

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