公开(公告)号：CN103081025A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041245.3

申请日：2011-08-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈本康平 ,  高本笃史 ,  久保亘 ,  宫田浩克 ,  野间敬

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061

Abstract: 一种X射线波导包括：芯部（101），用于引导具有在其中材料的折射率实部小于1的波长带的X射线；以及覆层（102，103），用于将X射线限制在芯部中。芯部具有一维的周期性结构，在所述周期性结构中周期性地层叠分别由具有不同折射率实部的无机材料形成的多个层。芯部和覆层被配置为使得芯部和覆层之间的界面处的对于X射线的全反射临界角大于由所述一维的周期性结构的周期性引起的布拉格角。所述一维的周期性结构中的层之间的界面处的对于X射线的全反射临界角小于由所述一维的周期性结构的周期性引起的布拉格角。

公开(公告)号：CN102525518A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110461919.7

申请日：2011-11-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·穆勒 ,  A·布迪耶 ,  S·李

IPC: A61B6/00

CPC classification number: A61B6/482 ,  A61B6/08 ,  A61B6/4021 ,  A61B6/502 ,  A61B6/588 ,  B82Y10/00 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  H01J35/06 ,  H01J2235/068

Abstract: 本发明紧凑型乳腺X线照相装置及其相关联的乳腺X线照相过程。本发明涉及一种乳腺X线照相装置(1)，其包括X射线源(2)，X射线探测器(3)，所述源(2)能够发射X射线的至少一个束(fi，j)至探测器(3)，用于执行患者(12)的乳腺X线照相，所述乳腺X线照相装置(1)的特征在于其包括X射线方向的光学控制装置(10)，其配置成以使由源(2)发射至探测器(3)的所述X射线彼此基本平行的方式来控制由源(2)发射至探测器(3)的X射线的方向。

公开(公告)号：CN101278360B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200680036809.3

申请日：2006-07-26

Applicant: X射线光学系统公司

Inventor： 陈泽武 ,  高宁 ,  W·吉布森

IPC: G21K1/06 ,  G01N23/223

CPC classification number: G01N23/223 ,  B82Y10/00 ,  G01N2223/076 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064

Abstract: 一种用于激发处于x射线分析中的样品的x射线系统或方法，其使用弯曲的单色光学器件将来自x射线源的单色x射线束引导朝向第一焦点区域。第二光学器件安置在单色x射线束中并接收该单色x射线束，且将聚焦的x射线束引导朝向样品上的第二焦点区域。探测器安置在样品附近，以收集作为聚焦的x射线束的结果的而来自样品的辐射。弯曲的单色光学器件在所述第一焦点区域产生的束斑尺寸大于由所述第二光学器件在所述第二焦点区域产生的束斑尺寸，因此，通过使用第二光学器件减小了样品上的束斑尺寸。双曲单色光学器件和多毛细管光学器件作为光学器件的可能的实施被公开。

公开(公告)号：CN101042975B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710103508.4

申请日：2007-01-31

Applicant: 坂部知平 ,  坂部贵和子

Inventor： 坂部知平

IPC: H01J35/00 ,  H05G1/00 ,  H05G1/02 ,  A61B6/00 ,  A61B6/08

CPC classification number: G21K1/06 ,  A61B6/4028 ,  A61B6/4092 ,  A61B6/4488 ,  A61B6/482 ,  A61B6/504 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/067 ,  H01J2235/00

Abstract: 从能量束源使能量束辐照到靶上，从而产生具有要辐照到目标上的辐照区域的X射线。然后，将X射线引入分光计，从而通过选择波长和波长范围产生平行X射线。

公开(公告)号：CN101042975A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710103508.4

申请日：2007-01-31

Applicant: 坂部知平 ,  坂部贵和子

Inventor： 坂部知平

IPC: H01J35/00 ,  H05G1/00 ,  H05G1/02 ,  A61B6/00 ,  A61B6/08

CPC classification number: G21K1/06 ,  A61B6/4028 ,  A61B6/4092 ,  A61B6/4488 ,  A61B6/482 ,  A61B6/504 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/067 ,  H01J2235/00

Abstract: 从能量束源使能量束辐照到靶上，从而产生具有要辐照到目标上的辐照区域的X射线。然后，将X射线引入分光计，从而通过选择波长和波长范围产生平行X射线。

公开(公告)号：CN107408417A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680018150.2

申请日：2016-03-23

Applicant: 株式会社理学

Inventor： 河原直树

IPC: G21K1/06 ,  G01N23/223

CPC classification number: G01N23/223 ,  G01N23/207 ,  G01N23/22 ,  G01N2223/315 ,  G21K1/06 ,  G21K1/062 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/06 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明的双重弯曲X射线分光元件(1)夹持于凸模成形夹具(21)所具有的双重弯曲凸面(21a)、与凹模成形夹具(22)所具有的与双重弯曲凸面(21a)吻合的双重弯曲凹面(22a)之间，在加热到400℃～600℃、按照具有双重弯曲面的形状而变形的玻璃板(3)的凹面(3a)上，形成反射X射线的反射膜(5)。

公开(公告)号：CN103901737B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410077948.7

申请日：2011-03-17

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·亚库宁 ,  V·班尼恩 ,  E·鲁普斯特拉 ,  H·范德斯库特 ,  L·史蒂文斯 ,  M·范卡朋

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G02B5/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F1/64 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/20 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/204 ,  G02B5/208 ,  G02B27/0006 ,  G03B27/54 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24

Abstract: 本发明公开了一种用于EUV掩模版的表膜、多层反射镜和光刻设备，该光刻设备包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜（44）配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒（54）通过隔膜的管道。颗粒捕获结构（52）配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒（58）从腔内部到达腔外部。

公开(公告)号：CN102981201B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210518419.7

申请日：2009-02-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： W·A·索尔 ,  V·Y·班尼恩 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  M·M·J·W·范赫彭 ,  A·M·亚库林

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G02B5/208 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

公开(公告)号：CN102640021B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080055041.0

申请日：2010-12-03

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 三上正树

IPC: G02B5/08 ,  G03F1/24 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70958 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明提供抑制了由钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV光学构件、和该EUV光学构件的制造中使用的带功能膜的衬底、以及该带功能膜的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~20at%的氧且含有80~99.5at%的Si的中间层。

公开(公告)号：CN102165372B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200980137614.1

申请日：2009-08-26

Applicant: ASML荷兰有限公司 ,  皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： W·A·索尔 ,  A·M·雅库尼恩 ,  M·J·J·杰克 ,  D·马修 ,  H·J·凯特拉里基 ,  F·C·范登荷尤维尔 ,  P·E·M·库基皮尔斯

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/20 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/7095 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/208 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/70575 ,  G21K1/10 ,  G21K2201/061

Abstract: 一种透射光谱纯度滤光片(100)，配置成透射极紫外辐射。光谱纯度滤光片(102F)包括滤光片部分(100)，所述滤光片部分(100)具有配置成透射极紫外辐射并抑制第二类型辐射的透射的多个孔(104)。每个孔(104)通过各向异性蚀刻工艺制造。