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公开(公告)号：CN86104429A
公开(公告)日：1987-01-07
申请号：CN86104429
申请日：1986-07-02
Applicant: 西屋电气公司
Inventor： 阿尔伯特·丹尼尔·格拉瑟
IPC: C23C14/36
CPC classification number: H01J37/3441 , H01J37/34
Abstract: 本发明涉及一种溅射镀膜设备的靶[100]，此靶包括在其一个表面上配置有溅射靶材料[58]的阴极[56]和接地屏蔽极[84]，接地屏蔽极包围阴极的除开配置溅射靶材料的一个表面以外的所有表面，并由于有一间隙[96]而与其中的阴极形成电绝缘。外周条形片[90]装在具有靶材料的阴极表面的外周边缘部分[66]上，形成一连续的外周凸缘[94]，以防止散落的被溅射材料的碎屑桥接间隙，从而防止阴极和接地屏蔽极之间发生短路。
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公开(公告)号：CN102834896B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280000985.7
申请日：2012-01-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/34
CPC classification number: H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3441
Abstract: 提供了一种用于支撑沉积设备的可旋转靶材(1)的装置，沉积设备用于将材料溅射到衬底(20)上，其中该装置包括：驱动单元(2)，其用于使可旋转靶材(1)旋转；环形部分(3)，其连接到驱动单元(2)以用于将驱动单元安装到可旋转靶材(1)；以及屏蔽件(4)，其用于覆盖环形部分(3)。屏蔽件(4)适合于与环形部分(3)一同旋转；并且包括组装到一起的多个部件。此外，也提供了溅射设备和用于支撑可旋转靶材的方法。
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公开(公告)号：CN103635603B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280031319.X
申请日：2012-05-30
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/564 , H01J37/3441 , H01J37/3447
Abstract: 成膜装置具有：设有安装有靶的安装面的多个靶电极、及使所述基板保持在相对于所述多个靶电极的位置的基板支架、可旋转地设在所述多个靶电极及所述基板支架之间且具有旋转时相对于所述安装面的多个开口的第1挡板构件、及所述第1挡板构件的2个面之中被配置于所述靶电极侧的一个面上的所述第1挡板构件的开口之间的第1分离部、及配置于所述第1挡板构件及所述靶电极之间的第2分离部。驱动第1挡板构件使所述第1分离部及所述第2分离部相互接近，以便在所述第1分离部及所述第2分离部之间形成非直路径的方式，驱动第1档板构件使所述第1分离部及所述第2分离部相互分离以便使所述第1挡板旋转。
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公开(公告)号：CN104968829A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380071644.3
申请日：2013-11-19
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3441 , C23C14/35 , H01J37/32651 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3461
Abstract: 本发明提供了一种高效率的磁控溅射设备，其中由磁体得到的接地遮蔽件布置于靶的外周，能够减少阴极与接地遮蔽件之间的不期望的放电。本发明的实施方式的溅射设备设置有：垫板(7)，垫板(7)连接到电源并具有靶安装面；磁体(8)，磁体(8)布置于垫板的背面；接地遮蔽件(14)，接地遮蔽件(14)围绕靶安装面的外周并包括磁性材料；和固定部(13)，固定部(13)是位于靶安装面的外周的在垫板与遮蔽件之间的磁性构件。从而减少了穿过遮蔽件与固定部之间的空间的磁力线。
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公开(公告)号：CN102007572B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980113536.1
申请日：2009-04-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·李·瑞勒 , 基斯·A·米勒 , 阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C16/4585 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/564 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/3408 , H01J37/3441
Abstract: 本发明提供了晶圆处理沉积屏蔽构件。这里描述的实施例主要涉及用于半导体处理腔室的组件、用于半导体处理腔室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理腔室。在一个实施例中，提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括：圆柱状外带，其具有第一直径，该第一直径的尺寸确定为围绕溅镀靶材的溅镀表面以及基板支撑件，该圆柱外带包括环绕溅镀靶材的溅镀表面的上壁以及环绕基板支撑件的下壁；支撑壁架，其包括支承表面并从圆柱状外带向外径向地延伸；基座板，其从圆柱状外带的下壁向内径向地延伸；以及圆柱状内带，其与基座板相连接并部分环绕基板支撑件的周围边缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102782182A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011662.3
申请日：2011-02-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/3407 , H01J37/3408 , H01J37/3441
Abstract: 本申请提供一种溅射装置（1），具备：真空腔（11）、在设置于与设置在该真空腔内的基板相对的位置上，隔着规定的间隔并列设置的多个标靶（132a~132d）、在标靶上施加电压的电源、在真空腔内导入气体的气体导入单元（12），在标靶的端部具有覆盖该端部上表面的密封部件（20）。
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公开(公告)号：CN102007572A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113536.1
申请日：2009-04-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·李·瑞勒 , 基斯·A·米勒 , 阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C16/4585 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/564 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/3408 , H01J37/3441
Abstract: 本发明提供了晶圆处理沉积屏蔽构件。这里描述的实施例主要涉及用于半导体处理腔室的组件、用于半导体处理腔室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理腔室。在一个实施例中，提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括：圆柱状外带，其具有第一直径，该第一直径的尺寸确定为围绕溅镀靶材的溅镀表面以及基板支撑件，该圆柱外带包括环绕溅镀靶材的溅镀表面的上壁以及环绕基板支撑件的下壁；支撑壁架，其包括支承表面并从圆柱状外带向外径向地延伸；基座板，其从圆柱状外带的下壁向内径向地延伸；以及圆柱状内带，其与基座板相连接并部分环绕基板支撑件的周围边缘。
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公开(公告)号：CN1813332B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480017849.4
申请日：2004-06-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内屏壁，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
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公开(公告)号：CN101089220A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200610136694.7
申请日：2006-10-31
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 凯瑟琳·沙伊贝尔 , 迈克尔·艾伦·弗拉尼根 , 良土芽吾一 , 阿道夫·米勒·艾伦 , 克里斯托弗·帕夫洛夫
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/363
CPC classification number: H01J37/3488 , C23C14/3407 , C23C14/50 , H01J37/34 , H01J37/3441 , H01J37/3447 , H01L21/68735
Abstract: 本发明公开了一种处理配件，该处理配件包括在衬底处理室中设置于衬底支架周围的环组件，其用于减少沉积在室组件和衬底的悬伸边上的工艺沉积物。该处理配件包括沉积环、盖环以及防升托架，并且还包括整体护板。同时还对靶材进行了说明。
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公开(公告)号：CN1813332A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480017849.4
申请日：2004-06-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内屏壁，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
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