公开(公告)号：CN103348446B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280007994.9

申请日：2012-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  汪荣军 ,  清·X·源 ,  艾伦·A·里奇

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01J37/34 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3441

Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于半导体处理腔室的接地套件和具有接地套件的半导体处理腔室。更具体地说，在此描述的实施例涉及建立不对称接地路径的接地套件，该不对称接地路径经选择以显著地减少由偏离中心的RF功率输送所引发的不对称性。

公开(公告)号：CN102782182B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180011662.3

申请日：2011-02-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中岛铁兵 ,  金正健 ,  郑炳和 ,  李尚浩

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441

Abstract: 本申请提供一种溅射装置（1），具备：真空腔（11）、在设置于与设置在该真空腔内的基板相对的位置上，隔着规定的间隔并列设置的多个标靶（132a~132d）、在标靶上施加电压的电源、在真空腔内导入气体的气体导入单元（12），在标靶的端部具有覆盖该端部上表面的密封部件（20）。

公开(公告)号：CN104884667A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068235.8

申请日：2013-11-28

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 岛根由光 ,  内野聪 ,  秋山进 ,  松尾和昭 ,  山口述夫

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3441 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/347

Abstract: 基板处理设备具有处理腔、用以在处理腔内保持基板的基板保持器、设置在基板保持器的外周部处的第一屏蔽件以及设置在处理腔的内侧的第二屏蔽件。处理腔的内部空间至少由第一屏蔽件、第二屏蔽件以及基板保持器划分为外部空间和用以对基板进行处理的处理空间。基板保持器能够沿着与保持基板的基板保持面相垂直的驱动方向被驱动。在由第一屏蔽件和第二屏蔽件所形成的间隙中，在与驱动方向相垂直的方向上尺寸为最小的最小间隙部分的在与驱动方向相平行的方向上的长度就算是基板保持器沿驱动方向被驱动也不会改变。

公开(公告)号：CN104205295A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380017145.6

申请日：2013-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿希什·戈埃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

Abstract: 披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构件，第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出，并通过第一凹陷与第一凸起构件分离；和第三凸起构件，第三凸起构件从邻近于第二凸起构件的第二表面延伸出，并通过第二凹陷分离，第二凹陷包括倾斜表面，倾斜表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值。

公开(公告)号：CN103998644A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280063717.X

申请日：2012-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾伦·里奇 ,  唐尼·扬 ,  基思·A·米勒 ,  穆罕默德·拉希德 ,  史蒂芬·桑索尼 ,  乌代·帕伊

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3441

Abstract: 在一些实施例中，基板处理设备可包括：腔室主体；设置在腔室主体顶部的盖；耦接至盖的靶组件，该靶组件包括待沉积在基板上的材料靶；具有绕靶的外边缘设置的内壁的环形暗区屏蔽；邻近暗区屏蔽的外边缘设置的密封环；以及支撑构件，该支撑构件耦接至贴近支撑构件的外端的盖并径向向内延伸，以使支撑构件支撑密封环和环形暗区屏蔽，其中支撑构件在耦接至盖时提供充分的压缩以在支撑构件与密封环和密封环与靶组件之间形成密封。

公开(公告)号：CN103635603A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280031319.X

申请日：2012-05-30

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 梶原雄二 ,  安松保志 ,  小长和也

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3447

Abstract: 成膜装置具有：设有安装有靶的安装面的多个靶电极、及使所述基板保持在相对于所述多个靶电极的位置的基板支架、可旋转地设在所述多个靶电极及所述基板支架之间且具有旋转时相对于所述安装面的多个开口的第1挡板构件、及所述第1挡板构件的2个面之中被配置于所述靶电极侧的一个面上的所述第1挡板构件的开口之间的第1分离部、及配置于所述第1挡板构件及所述靶电极之间的第2分离部。驱动第1挡板构件使所述第1分离部及所述第2分离部相互接近，以便在所述第1分离部及所述第2分离部之间形成非直路径的方式，驱动第1档板构件使所述第1分离部及所述第2分离部相互分离以便使所述第1挡板旋转。

公开(公告)号：CN101636521B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200880008619.X

申请日：2008-03-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在构成为利用旋转磁铁组使靶表面的磁场模式随时间移动的磁控溅射装置中，解决了在等离子点火和消去时被处理基板的不良率增高的问题，比以往降低了被处理基板的不良率的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置设有等离子遮挡部件，该等离子遮挡部件相对靶在旋转磁铁组的相反侧具有缝隙，该等离子遮挡部件与被处理基板之间的距离比电子的平均自由行程短，或比鞘层厚度短。并且，通过抑制缝隙宽度和长度，使得等离子不能到达被处理基板。由此，可降低被处理基板的不良率。

公开(公告)号：CN103147049A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310053011.1

申请日：2006-10-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 凯瑟琳·沙伊贝尔 ,  迈克尔·艾伦·弗拉尼根 ,  良土芽吾一 ,  阿道夫·米勒·艾伦 ,  克里斯托弗·帕夫洛夫

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3488 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/50 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3447 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明公开了一种处理配件，该处理配件包括在衬底处理室中设置于衬底支架周围的环组件，用于减少沉积在室组件和衬底的悬伸边上的工艺沉积物。该处理配件包括沉积环、盖环以及防升托架，并且还包括整体护板。同时还对靶材进行了说明。

公开(公告)号：CN102864422A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210311285.1

申请日：2008-04-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯托夫·马克·帕夫洛夫 ,  凯瑟琳·沙伊贝尔

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C22C21/00 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3497

Abstract: 本发明提供一种处理套组（200），所述处理套组（200）包含上遮蔽件（201a），用以环绕住基板处理腔室（100）中的溅射靶材（140），以减少工艺沉积物沉积在腔室部件及基板悬伸边缘上。所叙述的遮蔽件为单一结构，所述单一结构具有在外表面（220）上的顶环（216）、支撑支架（226）和具有多个阶梯（223）的圆筒状箍（214），以及具有在内表面（219）上的倾斜平面（221a）和垂直平面（221b）。顶环包括具有拱形表面的径向向内凸块（217），该拱形表面塑造成可以环绕该溅射靶材的倾斜外围边缘。

公开(公告)号：CN102105618A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980129280.3

申请日：2009-07-30

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 田中洋 ,  小长和也 ,  渡边荣作 ,  森本荣太郎

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3441

Abstract: 一种等离子处理设备具有：被保持在预定电势的腔室、用于将基板保持在腔室内的基板台架、用于通过施加交流电力在腔室内产生等离子的电极、导电部件和粘接防止屏蔽，所述导电部件被构成为使得在形成等离子时所述部件包围基板台架和电极之间的等离子空间，由此连接基板台架和腔室的侧壁，并且在不形成等离子时通过所述部件的至少一部分因通过驱动机构导致的移动而引起的分离，而形成用于将基板引入到基板台架的开口，所述粘接防止屏蔽覆盖导电部件的等离子空间侧的表面。