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公开(公告)号：KR1019970030886A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040550
申请日：1995-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/739
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公开(公告)号：KR1019970018657A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950028615
申请日：1995-09-01
IPC: H01L29/40
Abstract: 본 발명은 T형 게이트 전극의 형성방법에 관한 것으로, 화합물 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 소정 부분이 노출되도록 절연막을 제거하고 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인 전극 사이 소정 부분의 상기 반도체 기판이 노출되도록 상기 절연막을 제거하는 공정과, 상기 반도체 기판의 노출된 부분을 제외한 상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 절연막의 상부에 역경사진 측면을 갖는 감광막 패턴을 형성하고 증착에 의해 T형 게이트를 형성한 후 상기 감광막 패턴을 제거하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인 전극과 게이트 전극을 노출시키고 공기 다리가 형성될 부분을 상기 절연막이 노출되지 않도록 소정 깊이 패터닝된 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인 전극과 게 이트 전극의 상부에 도전성 금속으로 오믹 패드와 게이트저저항부를 형성함과 동시에 상기 소정 깊이 패터닝된 부분에 공기 다리를 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 게이트 전극은 게이트저저항부의 두께 만큼 단면적을 증가시켜 저항 값을 저하시켜 잡음지수를 감소시키면서 이득을 증가시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960026436A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036333
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 화합물 반도체의 활성층을 형성할 수 있는 기존의 고가 장비를 사용하지 않고, 유황을 화학용액에 담그는 간단한 처리방법에 의해 소자의 활성층을 제조함으로써, 소자의 제작공정 시간을 줄일 수 있고, 소자 제작 단가를낮출 수 있다는 장점을 갖고 있다.
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公开(公告)号：KR1019950021226A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029633
申请日：1993-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3205
Abstract: 본 발명은 에어브리지(airbridge)형성을 위한 금도금융 박막전도체증 구조에 관한 것으로서 종래 기술은 금속층과 도금된 층과의 접착력이 약하고, 크롬/금, 티타늄/금 등의 2층 구조로서 도금층의 두께 조절이 어려운 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 에어브리지 형성을 위한 도금용 박막 전도체증(3)이 접착력증(6)과, 전도체증(7)과 표면보호층(8)의 3층 구조로 형성되되, 이 중 접착력층(6)이 크롬 또는 티타늄, 전도체증(7)이 니켈, 표면보호층(8)이 금으로 된 구조를 제공함으로써 금속박막이 깨끗한 표면으로 될 수 있다.
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