公开(公告)号：FR2979034A1

公开(公告)日：2013-02-15

申请号：FR1157330

申请日：2011-08-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L33/22 ,  C23C14/48 ,  C23C16/18 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329

Abstract: L'invention concerne une diode électroluminescente comprenant, au-dessus d'une portion plus épaisse (43) d'une couche comprenant un matériau fortement dopé de type N (41) choisi dans le groupe comprenant le nitrure de gallium, l'arséniure de gallium, le carbure de silicium, le phosphure d'indium et l'oxyde de zinc : une couche comprenant un matériau dopé de type N (45) dudit groupe, recouverte d'un empilement (47) constitué d'une alternance de couches très minces de nitrure de gallium (49) et de couches très minces de nitrure de gallium et d'indium (51), ledit empilement étant recouvert d'une couche de nitrure de gallium de type P (53) ; et des cavités localisées dans la couche de nitrure de gallium de type P (53) et à la frontière (52) entre la couche de nitrure de gallium de type P (53) et l'empilement (47) de couches très minces.

公开(公告)号：FR2969824A1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1061212

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87

Abstract: L'invention concerne une diode de Shockley bidirectionnelle de type mésa, comprenant un substrat (1) d'un premier type de conductivité ; une couche (3, 5) du deuxième type de conductivité de chaque côté du substrat ; une région (7, 9) du premier type de conductivité dans chacune des couches du deuxième type de conductivité ; une région enterrée (17, 19) du premier type de conductivité sous chacune desdites régions du premier type de conductivité, chaque région enterrée étant complémentaire en projection de l'autre ; et un sillon (40, 42) disposé au voisinage de la périphérie du composant sur chacune de ses faces, la partie du composant externe au sillon comprenant , sous la partie externe (3-1, 5-1) des régions du deuxième type de conductivité supérieure et inférieure, des régions du premier type de conductivité (17-1, 19-1) de même profil de dopage que lesdites régions enterrées.

公开(公告)号：FR2969823A1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1061208

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87

Abstract: L'invention concerne une diode de Shockley bidirectionnelle de type mésa délimitée sur ses deux faces par un sillon périphérique rempli d'une glassivation comprenant un substrat (1) d'un premier type de conductivité ; une couche (3, 5) du deuxième type de conductivité de chaque côté du substrat ; une région (7, 9) du premier type de conductivité dans chacune des couches du deuxième type de conductivité ; une région enterrée (17, 19) du premier type de conductivité sous chacune desdites régions du premier type de conductivité, à l'interface entre le substrat et la couche correspondante du deuxième type de conductivité, chaque région enterrée étant complémentaire en projection de l'autre ; et un anneau périphérique (40, 42) sous la périphérie externe de chacune des glassivations, de même profil de dopage que lesdites régions enterrées.

公开(公告)号：FR2969417A1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR1060712

申请日：2010-12-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： GONTHIER LAURENT ,  PASSAL ANTOINE

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/12

Abstract: L'invention concerne une alimentation capacitive comportant : un premier élément capacitif (C1) et un premier élément résistif (R1) en série entre une première borne d'un interrupteur de mise en service (K) et au moins un élément de redressement (D2, D3) dont une deuxième borne est connectée à une première électrode d'au moins un deuxième élément capacitif (C2, C3) de fourniture d'une tension continue (Vcc+, Vcc-) ; et un interrupteur bidirectionnel (T) en parallèle sur la résistance (R1).

公开(公告)号：FR2960094B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：FR1053742

申请日：2010-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT

IPC: H01L21/50

公开(公告)号：FR2955975B1

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：FR1050626

申请日：2010-01-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CANTIN FREDERIC ,  FAUCHEUX VINCENT

IPC: H01M8/04

Abstract: L'invention concerne un dispositif (20) comprenant une chambre (22) dans laquelle est disposée une pile (2) à combustible du type à hydrogène-air ou méthanol-air, la chambre comportant : une paroi supérieure (30) dans laquelle est ménagée une ouverture, une paroi inférieure (28) sur laquelle est disposée la pile de sorte que la surface d'exposition à l'air de la pile soit en regard de la paroi supérieure, et un ventilateur (32) disposé dans l'ouverture.

公开(公告)号：FR2963985A1

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：FR1056654

申请日：2010-08-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  SOITEC SILICON ON INSULATOR ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： ALQUIER DANIEL ,  YVON ARNAUD ,  CORDIER YVON ,  FRAYSSINET ERIC ,  KENNARD MARK ALLEN

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: L'invention concerne une diode Schottky verticale comprenant successivement, sur un substrat conducteur (20), une couche (14) de GaN fortement dopée de type N ; une couche (13) de GaN faiblement dopée de type N ; un contact Schottky (22) sur la couche de GaN faiblement dopée de type N.

公开(公告)号：FR2953995B1

公开(公告)日：2012-02-10

申请号：FR0958310

申请日：2009-11-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： QUOIRIN JEAN-BAPTISTE ,  PHUNG LUONG VIET ,  BATUT NATHALIE

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/73

公开(公告)号：FR2961014A1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR1054472

申请日：2010-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT ,  HOUGRON PATRICK ,  TOUZET DOMINIQUE ,  MENDEZ JOSE

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de puces semiconductrices (58) à partir d'une tranche semiconductrice, comprenant les étapes suivantes : a) fixer, sur un premier cadre support (34), un second cadre support (44) de dimensions extérieures inférieures aux dimensions extérieures du premier cadre et supérieures aux dimensions intérieures du premier cadre ; disposer la tranche sur une face d'un film (59) tendu sur le second cadre (44) ; effectuer des opérations de traitement de la tranche en utilisant des équipements adaptés à recevoir le premier cadre (34) ; désolidariser le second cadre du premier cadre et retirer le premier cadre ; et effectuer des opérations de traitement de la tranche en utilisant des équipements adaptés à recevoir le second cadre (44).

公开(公告)号：FR2959598A1

公开(公告)日：2011-11-04

申请号：FR1053326

申请日：2010-04-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L27/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/74

Abstract: L'invention concerne un commutateur bidirectionnel vertical du type à commande référencée à la face arrière comportant sur sa face arrière une première électrode principale (A1) et sur sa face avant une deuxième électrode principale (A2) et une électrode de gâchette (G), ce commutateur étant commandable par une tension positive entre gâchette et première électrode, dans lequel l'électrode de gâchette (G) est disposée sur la face avant d'un via traversant la puce dans laquelle est formé le commutateur.