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公开(公告)号：KR1019970058370A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950054536
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/00
Abstract: 본 발명은 전기장 발광 고분자를 이용한 칼라 디스플레이 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판 위에 광표백된 발광 고분자에 묻힌 패턴된 투명전극과, 투명전극 상면에 형성되는 발광 고분자A의 광표백된 영역(비발광 영역)과, 투명전극의 일정부분에 형성되는 발광 고분자 A의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 A의 광표백된 영역 상면에 형성되는 발광 고분자 B의 광표백 영역과, 발광 고분자 A의 광표백된 영역 상명의 일정 부분에 형성되는 발광 고분자 B의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 A의 광표백 안된 영역(발광영역) 상면에 고분자 A, B 사이에 패턴된 제1금속전극과, 발광 고분자 B의 광표백된 영역 상면에 형성되는 발광 고분자 C의 광표백된 영역과, 발광 고분자 B의 광표백된 영역의 일정 상면에 형성되는 발광고 자 C의 광표백 안된 영역(발광영역)과, 발광 고분자 B의 광표백된 안된 영역의 상면에 고분자 B, C 사이에 패턴된 제2금속전극과, 발광 고분자 C의 광표백 안된 영역의 상면에 패턴된 제3금속전극으로 형성된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019970054466A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053644
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 고분자의 광표백 특성을 이용하여 양질의 다층 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
고분자 박막의 표면에 적절한 시간 동안 광표백을 하면 소자의 광학적 특성에는 영향을 주지 않고 박막의 표면만 화학적, 기계적 특성이 변하게 된다.
따라서, 다층 박막 형성시 나타나는 용매에 의한 깨어짐이나 녹음, 각 층들 사이의 기계적 인장강도의 차이에 의한 깨어짐 등을 방지하여 깨끗한 다층의 박막을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970011148B1
公开(公告)日：1997-07-07
申请号：KR1019930027633
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: An optic pumping surface emitting semiconductor laser device of vertical resonance type using a porous silicon which a light emitting layer is inserted between the upper and lower mirror layer thereof comprises a bragg reflecting plate of a first dielectric(4), a bragg reflecting plate of a second dielectric(5), a gain layer(1), a silicon substrate(3), a unreflecting layer(2), a metal mirror layer(6) and a phase accordance layer(7). The bragg reflecting plate of a first dielectric(4) is used as the upper mirror layer. The bragg reflecting plate of a second dielectric(5) is used as the lower mirror layer. The gain layer(1) which uses a porous silicon is inserted between the bragg reflecting plate of the first dielectric(4) and the bragg reflecting plate of the second dielectric(5) being used as an light emitting layer. The silicon substrate(3) is used to making the porous silicon. The non diffused reflecting layer(2) protects a diffused reflection due to a jag on the surface of the porous silicon. The metal mirror layer(6) increases a reflection rate beneath the bragg reflecting plate of the second dielectric(5). The phase accordance layer(7) accords the phase of each reflection wave generated between the bragg reflecting plate of the second dielectric(5) and the metal mirror layer(6).
Abstract translation: 使用发光层插入其上镜面层和下镜层之间的多孔硅的垂直共振型的光泵浦面发射半导体激光器件包括第一电介质（4）的布拉格反射板， 第二电介质（5），增益层（1），硅衬底（3），不反射层（2），金属镜层（6）和相位层（7）。 第一电介质（4）的布拉格反射板用作上镜层。 第二电介质（5）的布拉格反射板用作下镜层。 使用多孔硅的增益层（1）插入在第一电介质（4）的布拉格反射板和用作发光层的第二电介质（5）的布拉格反射板之间。 硅衬底（3）用于制造多孔硅。 非扩散反射层（2）保护由多孔硅表面上的锯齿状的扩散反射。 金属镜层（6）增加第二电介质（5）的布拉格反射板下面的反射率。 相位层（7）符合在第二电介质（5）的布拉格反射板和金属镜层（6）之间产生的每个反射波的相位。
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公开(公告)号：KR1019960013798B1
公开(公告)日：1996-10-10
申请号：KR1019930006348
申请日：1993-04-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/24
Abstract: The switch is for switching by flowing an optic signal to various directions using thermo-optics effect. The switch comprises: a board(1); a waveguide(2) for transmitting the optic signal to the board(1); an upper buffer(3) for preventing the absorption of the outer light; a power source(8) and heat wires(9) having the currents varying by the widths and the incident angles of the unit heat wires.
Abstract translation: 该开关用于通过使用热光学效应将光信号流向各个方向进行切换。 开关包括：板（1）; 用于将光信号传输到板（1）的波导（2）; 用于防止吸收外部光的上部缓冲器（3）; 电源（8）和热线（9），其电流随着单位热丝的宽度和入射角度而变化。
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公开(公告)号：KR1019960024501A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940033477
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/35
Abstract: 본 발명은 비선형 고분자 박막의 폴링시 나타나는 광학적 이방성과 전기광학 효과를 이용한 고분자 도파로형 일반 편광 변환기에 관한 것이다.
일반 편광 변환기는 TE/TM위상 이동기, TE-TM모드 변환기 그리고, TE/TM위상 이동기가 직렬로 연결되어 작동한다.
고부나 도파로에서 이러한 위상 변조기와 모드 변환기는 띠 도파로에 폴링 전장 방향을 수직(또는 수평) 및 평균 45。방향으로 형성시킴으로써 쉽게 얻어질 수 있다.
따라서 이러한 고분자 박막의 폴링 특성을 이용한 본 발명에 따른 일반 편광 변환기는 TE/TM위상 이동기들과 TE-TM모드 변환기를 하나의 기판 위에 집적하며, 위상정합이 필요없으므로 넓은 광신호 파장 대역폭이 가능하고 고속동작이 쉽게 이루어진다.
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