公开(公告)号：EP1046917A2

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：EP00108261.9

申请日：2000-04-14

Applicant: Murata Manufacturing Co., Ltd.

Inventor： Oguchi, Takahiro, c/o(A170) Intell. Prop. Dept.

IPC: G01P15/08

CPC classification number: G01C19/5719 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00579 ,  B81C1/00587 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  Y10S148/012 ,  Y10S148/135 ,  Y10S148/159

Abstract: A method of manufacturing an external force detection sensor in which a sensor element is formed by through-hole (20) dry etching of an element substrate (3), and an electrically conductive material is used as an etching stop layer (18) during the dry etching.

Abstract translation: 一种制造外力检测传感器的方法，其中通过元件基板（3）的通孔（20）干蚀刻形成传感器元件，并且导电材料被用作蚀刻停止层（18）期间 干蚀刻。

公开(公告)号：EP0596455B1

公开(公告)日：1996-01-31

申请号：EP93117739.8

申请日：1993-11-02

Applicant: CSEM, Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique S.A.

Inventor： Moret, Jean-Marc

IPC: C23C16/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  C23C16/01 ,  H01H1/0036

公开(公告)号：EP0683921A1

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：EP94903348.0

申请日：1993-12-03

Applicant: CORNELL RESEARCH FOUNDATION, INC.

Inventor： SHAW, Kevin, A. ,  ZHANG, Z., Lisa ,  MACDONALD, Noel, C.

IPC: C23F4 ,  B81B3 ,  G01P15 ,  H01L21 ,  H01L29

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/053 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0817 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S73/01 ,  Y10S148/05

Abstract: The invention provides a single mask, low temperature reactive ion etching process for fabricating high aspect ratio, released single crystal microelectromechanical structures independent of crystal orientation. A dielectric mask (12) on a single-crystal substrate (154) is patterned to define isolating trenches. A protective conformal layer (28) is applied to the resultant structure. The conformal layer (28) on the floor of the trenches is removed and a second etch deepens the trench to expose the mesa walls which are removed during the release step by isotropic etching. A metal layer (44) is formed on the resultant structure providing opposed plates (156) and (158) of a capacitor. The cantilever beam (52) with the supporting end wall (152) extends the grid-like structure (150) into the protection of the deepened isolation trenches (54). A membrane can be added to the released structures to increase their weight for use in accelerometers, and polished for use as movable mirrors.

公开(公告)号：NO20092749A

公开(公告)日：2002-03-12

申请号：NO20092749

申请日：2009-07-22

Applicant: INPUT OUTPUT INC

Inventor： GOLDBERG HOWARD D ,  YU DULI ,  YU LIANZHONG ,  RIED ROBERT P

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/10 ,  B81C1/00 ,  C23F1/02 ,  G01P9/04 ,  G02B26/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B26/0816 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2203/0109 ,  C23F1/02

公开(公告)号：WO2019043432A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：PCT/IB2017/055200

申请日：2017-08-30

Applicant: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)

Inventor： QUACK, Niels ,  TOROS, Adrien ,  KISS, Marcell ,  GRAZIOSI, Teodoro ,  GALLO, Pascal

IPC: C30B29/04 ,  C30B29/60 ,  C30B33/12 ,  B81C99/00 ,  G04B13/00

CPC classification number: C30B29/04 ,  B81B2201/035 ,  B81C1/00396 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0132 ,  C30B29/607 ,  C30B29/66 ,  C30B33/12 ,  G04B13/02

Abstract: The present invention relates to a free-standing single crystalline diamond part and a single crystalline diamond part production method. The method includes the steps of: - providing a single crystalline diamond substrate or layer; - providing a first adhesion layer on the substrate or layer; - providing a second adhesion layer on the first adhesion layer: - providing a mask layer on the second adhesion layer; - forming at least one indentation or a plurality of indentations through the mask layer and the first and second adhesion layers to expose a portion or portions of the single crystalline diamond substrate or layer; and - etching the exposed portion or portions of the single crystalline diamond substrate or layer and etching entirely through the single crystalline diamond substrate or layer.

公开(公告)号：WO2016142291A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/EP2016/054657

申请日：2016-03-04

Applicant: ENDRESS+HAUSER GMBH+CO. KG

Inventor： TEIPEN, Rafael ,  LEMKE, Benjamin

IPC: B81B3/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  G01L9/0048

Abstract: Es ist ein MEMS-Sensor zur messtechnischen Erfassung einer Messgröße mit verbesserter Überlastfestigkeit beschrieben, der mehrere aufeinander angeordnete Lagen (1, 3, 5), insb. Siliziumlagen, umfasst, dessen Lagen (1, 3, 5) mindestens eine innere Lage (5) umfassen, die zwischen einer ersten Lage (1 ) und einer zweiten Lage (3) angeordnet ist, und in dessen inneren Lage (5) mindestens eine senkrecht zur Ebene der inneren Lage (5) durch die innere Lage (5) hindurch verlaufende Ausnehmung (7) vorgesehen ist, an die außenseitlich zumindest abschnittweise ein ein Verbindungselement (9) bildender Bereich der inneren Lage (5) angrenzt, der mit der ersten Lage (1 ) und der zweiten Lage (3) verbundenen ist, der sich dadurch auszeichnet, dass eine die Ausnehmung (7) außenseitlich zumindest abschnittweise begrenzende Mantelfläche (11) des Verbindungselements (9) in einem der erste Lage (1) zugewandten Endbereich eine die Querschnittsfläche der Ausnehmung (7) in Richtung der ersten Lage (1 ) verkleinernde, abgerundete Formgebung aufweist, und in einem der zweiten Lage (3) zugewandten Endbereich eine die Querschnittsfläche der Ausnehmung (7) in Richtung der zweiten Lage (3) verkleinernde, abgerundete Formgebung aufweist.

Abstract translation: 它是与所描述，其包括几个连续布置层改进的过载电阻的测量变量的计量检测MEMS传感器（1，3，5），尤其是硅层，其层（1，3，5）至少一个内部层（5 ）包括位于（第一位置1）和第二层（3），和（在内层5）的至少一个垂直于所述平面（内层5之间）（穿过内层5）穿过其延伸的凹部 （7）形成内层的至少部分在一个连接元件（9），区域设置成邻近außenseitlich（5）设置有第一层（1）和（3）被连接在第二层，其特点是 在于，所述连接元件（9）在所述第一层中的一个凹口（7）außenseitlich至少部分边界表面（11）（1）的朝向上述凹部的横截面面积的端部区域（7）在所述第一层的方向（1 有）缩小处理，圆形形状，并且在所述第二层（3）的面向在所述第二层（3）的方向上的凹部（7）的横截面面积的端部区域包括缩小文件，倒圆的形状。

公开(公告)号：WO2015068400A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/JP2014/005610

申请日：2014-11-07

Applicant: 住友精密工業株式会社

Inventor： 内納　亮平 ,  松岡　元

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  G02B26/0841

Abstract: 　ミラーデバイス１００は、枠体３と、枠体３に対して所定のＹ軸回りに傾動するミラー２と、Ｙ軸に沿った配列方向に配列された複数の電極指６３を有し、枠体３に設けられた内側固定櫛歯電極６１と、前記配列方向に配列され、内側固定櫛歯電極６１の電極指６３と交互に配置される複数の電極指６４を有し、ミラー２に設けられた内側可動櫛歯電極６２とを備えている。ミラー２は、ミラー本体２１と、ミラー本体２１から延びる延長部６５とを有している。内側可動櫛歯電極６２の電極指６４の一部は、ミラー本体２１に設けられ、内側可動櫛歯電極６２の電極指６４の別の一部は、延長部６５に設けられている。

Abstract translation: 一种镜装置（100），包括：框架（3）; 围绕规定的轴线（Y）相对于框架（3）倾斜的反射镜（2）; 设置在所述框架（3）中并具有沿着所述Y轴布置的方向布置的多个电极指（63）的内部固定叉指电极（61） 以及设置在所述反射镜（2）中并且具有沿着所述布置方向布置并且与所述电极指（63）交替布置在所述内部固定叉指式电极（61）中的多个电极指（64）的内部可动指状电极（62） ）。 镜子（2）具有镜主体（21）和从镜主体（21）延伸的延伸部分（65）。 内侧可移动叉指式电极（62）中的一些电极指（64）设置在镜主体（21）上，内部可移动叉指式电极（62）中的一些其它电极指（64）设置在延伸部 （65）。

公开(公告)号：WO2015068399A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/JP2014/005609

申请日：2014-11-07

Applicant: 住友精密工業株式会社

Inventor： 平田　泰之 ,  松岡　元

IPC: G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  G02B26/0841

Abstract: 　ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側からエッチングする第１エッチング工程では、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のプレ構造として形成する。ＳＯＩ基板２００の第２シリコン層２３０側に最終マスク３９０を形成するマスク形成工程では、第１構造体の最終形状に対応した第１マスク３９１をプレ構造内に形成する。ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側からエッチングする第２エッチング工程では、第１マスク３９１を利用して、第２シリコン層２３０及びプレ構造をエッチングすることによって第１構造体の最終形状を形成する。

Abstract translation: 公开了一种电子部件制造方法，其中，在从第一硅层（210）侧蚀刻SOI衬底（200）的第一蚀刻步骤中，形成由第一硅层（210）构成的第一结构体部分 预制结构具有比最终形状更大的形状。 在用于在SOI衬底（200）的第二硅层（230）侧上形成最终掩模（390）的掩模形成步骤中，形成与第一结构体的最终形状对应的第一掩模（391） 预结构。 在用于从第二硅层（230）侧蚀刻SOI衬底（200）的第二蚀刻步骤中，通过用第一硅层（230）蚀刻第二硅层（230）和预构造来形成第一结构体的最终形状 面具（391）。

公开(公告)号：WO2014117624A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/CN2013/091169

申请日：2013-12-31

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙其梁

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31116 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132

Abstract: 一种硅晶片（300）的钝化层（320）的腐蚀方法，包括：倒入氢氟酸溶液（100）至顶部开口的容器（200）中；将硅晶片（300）置于容器（200）的开口处，使硅晶片（300）具有钝化层（320）的一面与氢氟酸溶液（200）相对；氢氟酸溶液（200）挥发产生氟化氢的气体对硅晶片（300）的钝化层（320）进行腐蚀，腐蚀时间大于等于（钝化层的厚度/腐蚀速率）。利用氢氟酸溶液挥发产生的氟化氢气体腐蚀硅晶片的钝化层，氟化氢气体能够与钝化层充分接触，从而可以将钝化层完全腐蚀，腐蚀精度较高。

公开(公告)号：WO2012005292A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/JP2011/065481

申请日：2011-07-06

Applicant: ローム株式会社 ,  仲谷 吾郎

Inventor： 仲谷　吾郎

IPC: G01C19/56 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/78 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01C19/5733 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0132 ,  G01C19/5769

Abstract: 　本発明の半導体基板のエッチング方法は、エッチング領域が定められた半導体基板の当該エッチング領域を選択的にエッチングする方法であって、当該エッチング領域内の複数箇所から所定のパターンで深掘り反応性イオンエッチングすることにより、同一形状および大きさの開口を有する複数の第１凹部を前記エッチング領域に形成する工程と、複数の前記第１凹部を区画する前記半導体基板の側壁を等方性イオンエッチングで除去することにより、複数の前記第１凹部が一体化された第２凹部を前記エッチング領域に形成する工程とを含む。

Abstract translation: 公开了一种半导体衬底蚀刻方法，其选择性地蚀刻半导体衬底上的设定蚀刻区域，其包括：通过深反应离子蚀刻在蚀刻区域中形成具有相同开口形状和尺寸的多个第一凹部的步骤 来自蚀刻区域中的多个位置的预定图案; 以及在蚀刻区域中形成多个第一凹部组合的第二凹部，通过各向同性蚀刻去除分隔多个第一凹部的半导体的侧壁。