단결정 물질을 이용한 엑스선 제어 장치
    202.
    发明公开
    단결정 물질을 이용한 엑스선 제어 장치 无效
    使用单晶材料的X射线控制单元

    公开(公告)号:KR1020130087843A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:KR1020120009050

    申请日:2012-01-30

    CPC classification number: G21K1/06 G21K2201/062 G21K2201/064

    Abstract: PURPOSE: An X-ray control apparatus using a single crystal material is provided to increase the stability by selectively using X-ray having a specific frequency. CONSTITUTION: A light source unit (100) generates X-ray. An X-ray control filter (200) is formed with a single crystal material. The X-ray control filter filters the X-ray. The X-ray control filter reflects and transmits characteristic X-ray. An adjustment unit (300) adjusts the light source unit and the X-ray control filter to an arbitrary angle.

    Abstract translation: 目的:提供使用单晶材料的X射线控制装置,通过选择性地使用具有特定频率的X射线来提高稳定性。 构成:光源单元(100)产生X射线。 X射线控制滤光片(200)由单晶材料形成。 X射线控制滤光片过滤X射线。 X射线控制滤光片反射和透射特征X射线。 调整单元(300)将光源单元和X射线控制滤波器调整到任意角度。

    집광경 어셈블리 및 이 집광경 어셈블리를 이용한 극단 자외광 광원 장치
    203.
    发明授权
    집광경 어셈블리 및 이 집광경 어셈블리를 이용한 극단 자외광 광원 장치 有权
    收集器镜头组件和极端超紫外线光源设备使用集光镜组件

    公开(公告)号:KR101228776B1

    公开(公告)日:2013-01-31

    申请号:KR1020127023489

    申请日:2011-03-02

    Inventor: 사토히로토

    Abstract: 극단 자외광 광원 장치에 있어서, 집광경 어셈블리의 열변형에 의한 집광 성능의 악화를 방지하는 것. 극단 자외광 광원 장치에 이용되는 집광경 어셈블리는, 직경이 다른 회전 타원면 또는 회전 쌍곡면 형상의 복수의 반사 쉘(21)로 구성되고, 이 반사 쉘(21)이 네스트 형상으로 배치되고, 그 단부가 유지 구조체(22)로 유지되어 있다. 반사 쉘(21)에는 냉매를 흘려 보내는 냉각 채널이, 반사면의 이면측의 면상이며 반사 쉘의 축방향으로 부착되어 있다. 이 냉각 채널이 보강재의 기능을 하고, 반사 쉘(21)의 열변형을 억제할 수 있다. 또한, 반사 쉘(21)의 재질로서 몰리브덴을 이용함으로써 더 열변형을 억제할 수 있고, 유지 구조체(22)에 냉각 채널을 설치함으로써, 더 효과적으로 집광경 어셈블리를 냉각하고, 그 열변형을 억제할 수 있다.

    반사형 광학 소자, 투영 시스템, 및 투영 노광 장치
    204.
    发明公开
    반사형 광학 소자, 투영 시스템, 및 투영 노광 장치 审中-实审
    反射光学元件,投影系统和投影曝光装置

    公开(公告)号:KR1020110104913A

    公开(公告)日:2011-09-23

    申请号:KR1020110023821

    申请日:2011-03-17

    Abstract: UV 또는 EUV 리소그래피에 대한 조명 시스템 및 투영 노광 장치에 이용하기 위해, 자외선 내지 극자외선 파장 범위 내의 동작 파장에 대한 반사형 광학 소자가 제시되며, 이 반사형 광학 소자는, 기판 상에, 동작 파장에서 서로 다른 실수부의 굴절률을 가진 2 이상의 교호 물질 층(41, 42)을 가진 다층 시스템을 갖는 반사면을 포함하며, 특정 입사각 대역폭 분포의 동작 파장의 방사는 반사형 광학 소자에 닿을 수 있고, 반사면은, 층(41, 42)이 제1 주기 두께(P1)의 교호 물질을 가진 하나 이상의 제1 부분(A1), 및 교호 물질 층(41, 42)이 제1 (P1) 및 하나 이상의 추가 주기 두께(P2)를 가진 하나 이상의 추가 부분(A2)을 포함하며, 반사면에 걸친 제1 (A1) 및 추가 부분(A2)의 배치는 입사각 대역폭 분포에 적응된다. 더욱이, 이와 같은 반사형 광학 소자를 포함하는 투영 시스템 및 투영 노광 장치가 제시된다.

    Abstract translation: 对于在用于UV或EUV光刻的照明系统和投影曝光装置中的用途,提供反射光学元件用于在紫外至极紫外波长范围内的工作波长。 反射型光学元件包括衬底和衬底上的反射表面。 多层系统具有在工作波长处具有不同实际折射率部分的至少两个交替材料的层。 一定入射角度带宽分布的工作波长的辐射可以撞击在反射光学元件上。 反射表面包括一个或多个第一部分,其中层具有第一周期厚度的交替材料。 反射表面包括一个或多个附加部分,其中交替材料层具有第一周期厚度和至少一个附加周期厚度。 穿过反射表面的第一和附加部分(A2)的布置适于入射角度带宽分布。 此外,提出了包括这种反射光学元件的投影系统和投影曝光装置。

    극단 자외광 발생 장치
    205.
    发明公开
    극단 자외광 발생 장치 有权
    极致超紫外线发生装置

    公开(公告)号:KR1020070012199A

    公开(公告)日:2007-01-25

    申请号:KR1020060056449

    申请日:2006-06-22

    Abstract: An extreme ultraviolet ray generating apparatus is provided to extend a lifetime of a ventilating apparatus by transferring exhaust gas, which is free from tin and/or tin compound, through the ventilating apparatus. An extreme ultraviolet ray generating apparatus includes a process unit(8), which is arranged between an optical source chamber and a ventilating apparatus. The process units include a hydrogen radical generator(8a) and a heating process unit(8b). The hydrogen radical generator converts a tin and/or a tin compound inside an exhaust gas from the optical source chamber to a tin hydride. The heating process unit pyrolyzes the tin hydride to a tin, converts the tin to a solution tin, and separates the tin solution from the exhaust gas. The process unit recollects and stores the solution tin in a recollection/storage container(30), and discharges the exhaust gas, which is free from the tin and/or the tin compound to the ventilating apparatus.

    Abstract translation: 提供一种极紫外线发生装置,通过通过通风装置传送不含锡和/或锡化合物的废气来延长通风装置的寿命。 一种极紫外线发生装置,具有配置在光源室与通风装置之间的处理单元(8)。 处理单元包括氢根发生剂(8a)和加热处理单元(8b)。 氢自由基发生器将来自光源室的废气内的锡和/或锡化合物转化为氢化锡。 加热处理单元将锡氢化物热解成锡,将锡转化成锡溶液,并将锡溶液与废气分离。 处理单元将溶液锡回收并储存在回收/储存容器(30)中,并将不含锡和/或锡化合物的废气排出到通风装置。

    Radiation system
    207.
    发明授权

    公开(公告)号:US11984236B2

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:US16743025

    申请日:2020-01-15

    Abstract: A radiation system includes a beam splitting apparatus configured to split a main radiation beam into a plurality of branch radiation beams and a radiation alteration device arranged to receive an input radiation beam and output a modified radiation beam, wherein the radiation alteration device is configured to provide an output modified radiation beam which has an increased etendue, when compared to the received input radiation beam, wherein the radiation alteration device is arranged such that the input radiation beam which is received by the radiation alteration device is a main radiation beam and the radiation alteration device is configured to provide a modified main radiation beam to the beam splitting apparatus, or wherein the radiation alteration device is arranged such that the input radiation beam which is received by the radiation alteration device is a branch radiation beam output from the beam splitting apparatus.

    SYSTEM AND METHOD FOR BENDING CRYSTAL WAFERS FOR USE IN HIGH RESOLUTION ANALYZERS

    公开(公告)号:US20240062928A1

    公开(公告)日:2024-02-22

    申请号:US17892020

    申请日:2022-08-19

    CPC classification number: G21K1/06 G21K2201/062 G21K2201/064 G21K2201/067

    Abstract: The invention provides a method for fabricating analyzers, the method comprising providing a radiation manipulating material on a first surface of a flexible support; contacting a second surface of the flexible support to a permeable mold, wherein the mold has a first flexible support contact surface and a second surface; and applying negative pressure to the second side of the flexible support to cause the flexible support to conform to the first flexible support contact surface of the mold. Also provided is a system for fabricating crystal analyzers, the system comprising crystal structures reversibly attached to a flexible support; a porous mold reversibly contacting the flexible support, wherein the mold defines a topography; and a negative pressure applied to the flexible support to cause the crystal structures to conform to the topography.

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