公开(公告)号：WO2011036496A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/GB2010/051611

申请日：2010-09-27

Applicant: MEMSSTAR LIMITED ,  O'HARA, Anthony

Inventor： O'HARA, Anthony

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/3065

Abstract: A method and an apparatus for etching microstructures and the like that provides improved selectivity to surrounding materials when etching silicon using xenon difluoride (XeF2). Etch selectivity is greatly enhanced with the addition of hydrogen to the process chamber.

Abstract translation: 一种用于蚀刻微结构等的方法和装置，其在使用氙二氟化物（XeF2）蚀刻硅时提供对周围材料的改进的选择性。 通过向处理室中加入氢，大大提高了蚀刻选择性。

公开(公告)号：WO2009086976A2

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：PCT/EP2008065524

申请日：2008-11-14

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  PIRK TJALF ,  PINTER STEFAN ,  FRITZ JOACHIM ,  FRIESE CHRISTOPH

Inventor： PIRK TJALF ,  PINTER STEFAN ,  FRITZ JOACHIM ,  FRIESE CHRISTOPH

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0132

Abstract: The invention relates to a micromechanical component, comprising at least one stator electrode (21) with at least one lateral surface, divided into at least two electrically conducting sections (26, 27, 29, 30) which are electrically insulated from each other and which are subjected to differing voltages. The micromechanical component further comprises at least one moving actuator electrode (22), which has a lateral surface divided into at least two electrically conducting sections (32, 34; 80, 82) which are electrically insulated from each other and which are subjected to differing voltages. The lateral surface of the actuator electrode (22) is arranged to face the lateral surface of the stator electrode (21; 71a, 71b; 103, 104).

Abstract translation: 本发明涉及一种微机械部件。 这包括具有侧表面，其被划分成其在与不同的电位起作用的至少两个彼此电隔离的导电部分（26，27，29，30）的至少一个定子电极（21）。 此外，该微机械装置包括至少两个彼此电隔离的导电部分具有侧表面的至少一个可动致动器电极（22）（32，34; 80，82）被划分，这是在与不同的电势作用。 所述致动器电极（22）的侧表面是定子电极的侧表面（21; 71A，71B; 103，104），其布置zuweisend。

公开(公告)号：WO2008100279A3

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：PCT/US2007016353

申请日：2007-07-18

Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES INC ,  YAN XIAOMING ,  ARBUCKLE BRIAN ,  GOUSEV EVGENI ,  TUNG MING-HAU

Inventor： YAN XIAOMING ,  ARBUCKLE BRIAN ,  GOUSEV EVGENI ,  TUNG MING-HAU

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132

Abstract: A method for etching a target material in the presence of a structural material with improved selectivity uses a vapor phase etchant and a co-etchant. Embodiments of the method exhibit improved selectivities of from at least about 2-times to at least about 100- times compared with a similar etching process not using a co-etchant. In some embodiments, the target material comprises a metal etchable by the vapor phase etchant. Embodiments of the method are particularly useful in the manufacture of MEMS devices, for example, interferometric modulators. In some embodiments, the target material comprises a metal etchable by the vapor phase etchant, for example, molybdenum and the structural material comprises a dielectric, for example silicon dioxide.

Abstract translation: 在具有改进的选择性的结构材料存在下蚀刻靶材料的方法使用气相蚀刻剂和共蚀刻剂。 与不使用共蚀刻剂的类似蚀刻工艺相比，该方法的实施方案显示出从至少约2倍至至少约100倍的改进的选择性。 在一些实施例中，靶材料包括可由气相蚀刻剂蚀刻的金属。 该方法的实施例在MEMS器件（例如干涉式调制器）的制造中特别有用。 在一些实施例中，靶材料包括可由气相蚀刻剂（例如，钼）蚀刻的金属，并且结构材料包括电介质，例如二氧化硅。

公开(公告)号：WO2008085451A3

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/US2007026288

申请日：2007-12-20

Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES INC ,  CUMMINGS WILLIAM J

Inventor： CUMMINGS WILLIAM J

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: B81C1/00579 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/0132 ,  Y10T428/24174

Abstract: A MEMS (Microelectromechanical system) device is described. The device includes a first layer (1115) on a substrate, and a sacrificial layer (1130) on or over the first layer (1115), the first sacrificial layer (1130) being configured to be removed in a removal procedure. The device also includes a second layer (1114) on or over the first sacrificial layer (1130), where the second layer (1114) is spaced apart from the first layer (1115), and a shorting element (1150) electrically connecting the first (1115) and second (1114) layers, where at least a portion (1170) of the shorting element is removable in the removal procedure.

Abstract translation: 描述了MEMS（微机电系统）装置。 该器件包括在衬底上的第一层（1115）以及在第一层（1115）上或上方的牺牲层（1130），第一牺牲层（1130）被配置为在去除过程中被去除。 该器件还包括在第一牺牲层（1130）上或上方的第二层（1114），其中第二层（1114）与第一层（1115）间隔开，以及短路元件（1150），其将第一层 （1115）和第二（1114）层，其中所述短路元件的至少一部分（1170）在移除过程中可移除。

公开(公告)号：WO2006123788A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：PCT/JP2006/310053

申请日：2006-05-19

Applicant: ローム株式会社 ,  吉川 泰弘 ,  田尻 浩之

Inventor： 吉川 泰弘 ,  田尻 浩之

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0132 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/0891 ,  G01P15/125 ,  G11B19/042 ,  G11B19/043

Abstract: 　ＭＥＭＳ素子（Ａ１）は、基板（１）と、この基板（１）上に形成された第１電極（２）を備える。さらにＭＥＭＳ素子（Ａ１）は、上記第１電極（２）と離間し且つ対向する可動部（３１）を有する第２電極（３）を備えている。上記可動部（３１）には、複数の貫通孔（３１ａ）が形成されている。各貫通孔（３１ａ）の断面は、たとえば矩形である。

Abstract translation: MEMS元件（A1）设置有基板（1）和形成在基板（1）上的第一电极（2）。 此外，MEMS元件（A1）设置有第二电极（3），具有与第一电极（2）分离并面对第一电极的可动部（31）。 在可动部（31）上形成有多个通孔（31a）。 每个通孔（31a）的横截面为例如矩形。

公开(公告)号：WO2004055885A8

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：PCT/US0339766

申请日：2003-12-12

Applicant: IC MECHANICS INC

Inventor： CARLEY L RICHARD ,  HSU YU-NU ,  SANTHANAM SURESH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: This invention comprises a process for fabricating a MEMS microstructure in a sealed cavity wherein the etchant entry holes are created as a by-product of the fabrication process without an additional step to etch holes in the cap layer (20). The process involves extending the layers of sacrificial material (12, 16) past the horizontal boundaries of the cap layer (20). The cap layer (20) is supported by pillars (21) formed by a deposition in holes etched through the sacrificial layers (12,16), and the etchant entry holes are formed when the excess sacrificial material (12, 16) is etched away, leaving voids between the pillars (21) supporting the cap.

Abstract translation: 本发明包括一种用于在密封空腔中制造MEMS微结构的方法，其中蚀刻剂入口孔作为制造工艺的副产品而产生，而没有额外的步骤来蚀刻盖层（20）中的孔。 该方法包括将牺牲材料层（12,16）延伸超过盖层（20）的水平边界。 盖层（20）由通过蚀刻通过牺牲层（12,16）蚀刻的孔中的沉积形成的柱支撑（21），并且当多余的牺牲材料（12,16）被蚀刻掉时形成蚀刻剂入口孔 在支撑盖子的支柱（21）之间留下空隙。

公开(公告)号：WO2004055885A3

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：PCT/US0339766

申请日：2003-12-12

Applicant: IC MECHANICS INC

Inventor： CARLEY L RICHARD ,  HSU YU-NU ,  SANTHANAM SURESH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: This invention comprises a process for fabricating a MEMS microstructure in a sealed cavity wherein the etchant entry holes are created as a by-product of the fabrication process without an additional step to etch holes in the cap layer (20). The process involves extending the layers of sacrificial material (12, 16) past the horizontal boundaries of the cap layer (20). The cap layer (20) is supported by pillars (21) formed by a deposition in holes etched through the sacrificial layers (12,16), and the etchant entry holes are formed when the excess sacrificial material (12, 16) is etched away, leaving voids between the pillars (21) supporting the cap.

Abstract translation: 本发明包括一种用于在密封空腔中制造MEMS微结构的方法，其中蚀刻剂入口孔作为制造工艺的副产品而产生，而没有额外的步骤来蚀刻盖层（20）中的孔。 该方法包括将牺牲材料层（12,16）延伸超过盖层（20）的水平边界。 盖层（20）由通过蚀刻通过牺牲层（12,16）蚀刻的孔中的沉积形成的柱支撑（21），并且当多余的牺牲材料（12,16）被蚀刻掉时形成蚀刻剂入口孔 在支撑盖子的支柱（21）之间留下空隙。

公开(公告)号：WO2004017361A3

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：PCT/EP0309052

申请日：2003-08-14

Applicant: PERKINELMER OPTOELECTRONICS ,  HAUSNER MARTIN

Inventor： HAUSNER MARTIN

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081

Abstract: The invention relates to a method for selectively removing material from the surface of a substrate in order to form a recess, comprising the following steps: applying a mask to the surface of the substrate in accordance with the desired selective removal, and; dry etching the substrate, whereby metal, preferably aluminum, is used as a masking material. Energy can be inductively injected into a plasma.

Abstract translation: 一种用于选择性地从衬底的表面去除材料的方法，以形成具有根据所希望的选择性消融和基板的干蚀刻，其中的金属，优选铝被用作掩模材料的衬底的表面上施加掩模的台阶组成的凹槽。 它可以感应耦合功率成等离子体。

公开(公告)号：WO2004055885A2

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：PCT/US2003/039766

申请日：2003-12-12

Applicant: IC MECHANICS, INC.

Inventor： CARLEY, L., Richard ,  HSU, Yu-Nu ,  SANTHANAM, Suresh

IPC: H01L21/44

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: This invention comprises a process for fabricating a MEMS microstructure in a sealed cavity wherein the etchant entry holes are created as a by-product of the fabrication process without an additional step to etch holes in the cap layer. The process involves extending the layers of sacrificial material past the horizontal boundaries of the cap layer. The cap layer is supported by pillars formed by a deposition in holes etched through the sacrificial layers, and the etchant entry holes are formed when the excess sacrificial material is etched away, leaving voids between the pillars supporting the cap.

Abstract translation: 本发明包括一种在密封空腔中制造MEMS微结构的方法，其中蚀刻剂入口孔作为制造工艺的副产品而产生，而没有额外的步骤来蚀刻盖层中的孔。 该方法涉及将牺牲材料层延伸超过盖层的水平边界。 盖层由通过牺牲层蚀刻的孔中的沉积形成的柱支撑，并且当多余的牺牲材料被蚀刻掉时形成蚀刻剂入口孔，从而在支撑盖的支柱之间留下空隙。

公开(公告)号：WO02095800A3

公开(公告)日：2003-02-13

申请号：PCT/US0216224

申请日：2002-05-22

Applicant: REFLECTIVITY INC ,  PATEL SATYADEV R ,  HUIBERS ANDREW G ,  SCHAADT GREGORY P ,  HEUREUX PETER J

Inventor： PATEL SATYADEV R ,  HUIBERS ANDREW G ,  SCHAADT GREGORY P ,  HEUREUX PETER J

IPC: B81B3/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/461 ,  B81C5/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: An etching method, such as for forming a micromechanical device, is disclosed. One embodiment of the method is for releasing a micromechanical structure, comprising, providing a substrate (10); providing a sacrificial layer (20) directly or indirectly on the substrate; providing one or more micromechanical structural layers (30) on the sacrificial layer; performing a first etch to remove a portion of the sacrificial layer (20), the first etch comprising providing an etchant gas and energizing (42) the etchant gas so as to allow the etchant gas to physically, or chemically and physically, remove the portion of the sacrificial layer; performing a second etch to remove additional sacrificial material in the sacrificial layer, the second etch comprising providing a gas that chemically but not physically etches the additional sacrificial material.

Abstract translation: 公开了一种诸如用于形成微机械装置的蚀刻方法。 该方法的一个实施例是用于释放微机械结构，包括提供衬底（10）; 在衬底上直接或间接提供牺牲层（20）; 在牺牲层上提供一个或多个微机械结构层（30）; 执行第一蚀刻以去除牺牲层（20）的一部分，所述第一蚀刻包括提供蚀刻剂气体并激发（42）蚀刻剂气体，以便使蚀刻剂气体在物理或化学和物理上移除部分 的牺牲层; 执行第二蚀刻以去除牺牲层中的附加牺牲材料，第二蚀刻包括提供化学上但不物理蚀刻附加牺牲材料的气体。