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公开(公告)号：TW201351065A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102115507
申请日：2008-02-01
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 可瑞森 法狄米爾 米哈囉維茲 , KRIVTSUN, VLADIMIR MIHAILOVITCH , 白尼 凡丁 葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 依法諾 法拉帝莫 維塔拉維屈 , IVANOV, VLADIMIR VITALEVICH , 可羅波 艾吉尼 迪米力菲奇 , KOROP, EVGENY DMITRIEVICH , 卡士李 康士坦汀 尼可拉威屈 , KOSHELEV, KONSTANTIN NIKOLAEVICH , 賽德尼克夫 悠里 維克特羅齊 , SIDELNIKOV, YURII VICTOROVITCH , 葉克雪夫 歐雷格 , YAKUSHEV, OLEG
IPC: G03F7/20 , G21K3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70983
Abstract: 本發明揭示一種用於形成一電磁輻射波束之裝置，其包括一電漿輻射源，及一具備大體上平行於自該電漿源之輻射之方向延伸之複數個薄箔的箔捕集器。一柵格安置於該電漿輻射源與該箔捕集器之間。一空間位於該柵格與該箔捕集器之間。該裝置亦包括一電位施加電路，該電位施加電路經建構及經配置以將一電位施加至該柵格，使得該柵格排斥由該電漿輻射源所發射之電子且在該柵格與該箔捕集器之間形成一正空間電荷，以將由該電漿輻射源所發射的離子偏轉至該箔捕集器。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于形成一电磁辐射波束之设备，其包括一等离子辐射源，及一具备大体上平行于自该等离子源之辐射之方向延伸之复数个薄箔的箔捕集器。一栅格安置于该等离子辐射源与该箔捕集器之间。一空间位于该栅格与该箔捕集器之间。该设备亦包括一电位施加电路，该电位施加电路经建构及经配置以将一电位施加至该栅格，使得该栅格排斥由该等离子辐射源所发射之电子且在该栅格与该箔捕集器之间形成一正空间电荷，以将由该等离子辐射源所发射的离子偏转至该箔捕集器。
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公开(公告)号：TWI418949B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW098125971
申请日：2009-07-31
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 白尼 凡丁 葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 門諾克 李奧迪 艾力柯維奇 , SJMAENOK, LEONID AIZIKOVITCH , 亞庫尼 安卓亞 米克黑爾維其 , YAKUNIN, ANDREI MIKHAILOVICH
CPC classification number: G03F7/70958 , B82Y10/00 , G03F7/70575 , G21K1/062
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公开(公告)号：TWI418924B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW097116377
申请日：2008-05-02
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 傑瑞 羅夫 , LOF, JOERI , 艾瑞克 羅勒夫 洛卜史塔 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 溫 提波 泰爾 , TEL, WIM TJIBBO , 畢瑞其 莫斯特 , MOEST, BEARRACH
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70341 , G03F7/70483 , G03F9/7088
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公开(公告)号：TWI417679B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW099134265
申请日：2010-10-07
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 巴特樂 漢司 , BUTLER, HANS , 陸普斯塔 愛瑞克 羅依洛夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70358 , G03F7/70516
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公开(公告)号：TW201348892A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102111961
申请日：2013-04-02
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 拉法瑞 雷孟德 威黑墨斯 路易斯 , LAFARRE, RAYMOND WILHELMUS LOUIS , 迪李奧基納 妮納 弗拉基米羅夫娜 , DZIOMKINA, NINA VLADIMIROVNA , 卡拉迪 尤基許 帕雷莫 , KARADE, YOGESH PRAMOD , 羅登柏格 伊莉莎白 寇妮 , RODENBURG, ELISABETH CORINNE , 新 哈米特 , SINGH, HARMEET
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70733 , G03F7/70341 , G03F7/70708 , H01L21/6831 , H01L21/6875
Abstract: 一種供一微影裝置中使用之基板支架，該基板支架包括：一主體，其具有一表面；複數個瘤節，其自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面；及一薄膜堆疊，其在該主體表面上且形成一電組件，該薄膜堆疊具有一導電層，該導電層經組態以使電荷貫穿經定位有該導電層的該堆疊之一平面實質上均一地分佈。
Abstract in simplified Chinese: 一种供一微影设备中使用之基板支架，该基板支架包括：一主体，其具有一表面；复数个瘤节，其自该表面突出且具有用以支撑一基板之末端表面；及一薄膜堆栈，其在该主体表面上且形成一电组件，该薄膜堆栈具有一导电层，该导电层经组态以使电荷贯穿经定位有该导电层的该堆栈之一平面实质上均一地分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201346432A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102104467
申请日：2013-02-05
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70666 , G06F17/5009
Abstract: 本文描述一種用於模擬形成於一基板上之一抗蝕劑層內之一影像的方法，該影像係由一入射輻射引起，該基板具有下伏於該抗蝕劑層之一第一特徵及一第二特徵，該方法包含：使用該入射輻射與該第一特徵之相互作用而不使用該入射輻射與該第二特徵之相互作用來模擬一第一部分影像；使用該入射輻射與該第二特徵之該相互作用而不使用該入射輻射與該第一特徵之該相互作用來模擬一第二部分影像；自該第一部分影像及該第二部分影像計算形成於該抗蝕劑層內之該影像；其中該入射輻射與該第一特徵之該相互作用不同於該入射輻射與該第二特徵之該相互作用。
Abstract in simplified Chinese: 本文描述一种用于仿真形成于一基板上之一抗蚀剂层内之一影像的方法，该影像系由一入射辐射引起，该基板具有下伏于该抗蚀剂层之一第一特征及一第二特征，该方法包含：使用该入射辐射与该第一特征之相互作用而不使用该入射辐射与该第二特征之相互作用来仿真一第一部分影像；使用该入射辐射与该第二特征之该相互作用而不使用该入射辐射与该第一特征之该相互作用来仿真一第二部分影像；自该第一部分影像及该第二部分影像计算形成于该抗蚀剂层内之该影像；其中该入射辐射与该第一特征之该相互作用不同于该入射辐射与该第二特征之该相互作用。
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公开(公告)号：TWI412065B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW096136883
申请日：2007-10-02
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 凡 哈倫 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 艾佛哈德斯 柯奈利斯 摩斯 , MOS, EVERHARDUS CORNELIS
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7084 , G03F9/708 , H01L21/3212 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201338634A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102105753
申请日：2013-02-19
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 可魯威爾 荷曼諾斯 喬漢思 馬利亞 , KREUWEL, HERMANUS JOHANNES MARIA
Abstract: 一種用於一雷射引發之電漿(LPP)輻射源裝置之離子捕獲裝置，其包含一磁場產生器及兩個磁性核心。該兩個磁性核心經配置以疏導由該磁場產生器產生之一磁場，使得該磁場被很大程度上限制至在該LPP輻射源之電漿附近內的一區且在該區內大致地均質。離子之磁性反射被減輕且離子收集良率被改良。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于一激光引发之等离子(LPP)辐射源设备之离子捕获设备，其包含一磁场产生器及两个磁性内核。该两个磁性内核经配置以疏导由该磁场产生器产生之一磁场，使得该磁场被很大程度上限制至在该LPP辐射源之等离子附近内的一区且在该区内大致地均质。离子之磁性反射被减轻且离子收集良率被改良。
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公开(公告)号：TW201337473A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102105757
申请日：2013-02-19
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 凡 丹 尼歐為拉 紐伯圖司 裘賽夫斯 馬汀尼司 , VAN DEN NIEUWELAAR, NORBERTUS JOSEPHUS MARTINUS , 凡 吉斯 比卓斯 法新克司 , VAN GILS, PETRUS FRANCISCUS , 西娃敏 雅瑟 爾藍 , SWAVING, ARTHUR ERLAND
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7075 , G03F7/00 , G03F7/70533 , G03F7/70725 , G03F7/70733 , G03F7/70991
Abstract: 本發明揭示一種用於將待曝光基板自一塗佈顯影系統轉移至一微影裝置之基板處置器。該基板處置器經配置以判定用於開始一基板之一轉移程序之一執行個體。該執行個體係基於該微影裝置之一預定處理特性，以便使該基板處置器中之該基板之一轉移週期維持實質上恆定。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于将待曝光基板自一涂布显影系统转移至一微影设备之基板处置器。该基板处置器经配置以判定用于开始一基板之一转移进程之一运行个体。该运行个体系基于该微影设备之一预定处理特性，以便使该基板处置器中之该基板之一转移周期维持实质上恒定。
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公开(公告)号：TW201336668A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102102726
申请日：2009-10-23
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V. , 皇家飛利浦電子股份有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
Inventor： 凡 德 坦斐爾 林德特 , VAN DER TEMPEL, LEENDERT , 迪卡蔓 喬漢 夫德克 , DIJKSMAN, JOHN FREDERIK , 威斯特 珊德 弗瑞德瑞克 , WUISTER, SANDER FREDERIK , 可路特 史坦曼 伊娃 溫迪拉 , KRUIJT-STEGEMAN, YVONNE WENDELA , 藍姆司 賈諾 哈曼 , LAMMERS, JEROEN HERMAN , 穆薩爾斯 卡里尼斯 亞瑞安斯 亨利庫斯 安東尼斯 , MUTSAERS, CORNELIS ADRIANUS HENRICUS ANTONIUS
IPC: B29C59/02 , H01L21/027 , B29C33/38
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本發明揭示一種壓印微影方法，該方法涉及在基板或壓印模板中使用一空隙空間。一旦該基板上之一可壓印可流動介質已定型，截獲於一壓印模板與該可壓印可流動介質之間的一氣袋便可導致一不規則性。一空隙空間允許通常在使該可壓印介質定型之前藉由氣體至該空隙空間中之流動或擴散而使該氣袋耗散。作為該壓印模板之一部分(例如，作為形成或相鄰於該模板之圖案化表面之一層)的一固體多孔介質層可提供該空隙空間。該多孔層之該空隙空間擔當可供該經截獲氣體流動或擴散進入之一空隙空間。待圖案化之該基板可出於相同目的而包括一多孔層。一適當固體多孔介質包括一奈米多孔二氧化矽。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种压印微影方法，该方法涉及在基板或压印模板中使用一空隙空间。一旦该基板上之一可压印可流动介质已定型，截获于一压印模板与该可压印可流动介质之间的一气袋便可导致一不守则性。一空隙空间允许通常在使该可压印介质定型之前借由气体至该空隙空间中之流动或扩散而使该气袋耗散。作为该压印模板之一部分(例如，作为形成或相邻于该模板之图案化表面之一层)的一固体多孔介质层可提供该空隙空间。该多孔层之该空隙空间担当可供该经截获气体流动或扩散进入之一空隙空间。待图案化之该基板可出于相同目的而包括一多孔层。一适当固体多孔介质包括一奈米多孔二氧化硅。
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