中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

596 records (took 0.04 seconds)

    OPTISCHER PULSGENERATOR UND VERFAHREN ZUM BETRIEB EINES OPTISCHEN PULSGENERATORS HOHER LEISTUNG UND KURZEN PULSEN
    221.
    发明申请
    OPTISCHER PULSGENERATOR UND VERFAHREN ZUM BETRIEB EINES OPTISCHEN PULSGENERATORS HOHER LEISTUNG UND KURZEN PULSEN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021023544A1

    公开(公告)日：2021-02-11

    申请号：PCT/EP2020/071112

    申请日：2020-07-27

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： HOFFMANN, Thomas ,  KLEHR, Andreas ,  LIERO, Armin

    IPC: G01S7/481 ,  G01S7/484 ,  H03K3/42 ,  H03K17/78

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Pulsgenerator und ein Verfahren zum Betrieb eines optischen Pulsgenerators. Insbesondere soll ein erfindungsgemäßer optischer Pulsgenerator alle Emitter und deren Segmente einer Laserdiode gleichmäßig mit Strom versorgen. Der erfindungsgemäße optische Pulsgenerator, umfassend ein aktives optisches Bauelement (10), dazu ausgebildet, optische Strahlung zu emittieren; ein Mittel zur elektrischen Ansteuerung (20) des optischen Bauelements (10), dazu ausgebildet, das optisches Bauelement (10) zu einer gepulsten Emission optischer Strahlung anzuregen; wobei das aktive optische Bauelement (10) entlang einer Längsachse (y) in mindestens zwei Gruppen (3) aufgeteilt ist, wobei jede der Gruppen (3) jeweils eine voneinander elektrisch getrennte Stromzuführung (11) kontaktiert.

    SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AT LEAST ONE FUNCTIONAL ELEMENT CONTAINING MULTIPLE ACTIVE REGIONS, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
    223.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AT LEAST ONE FUNCTIONAL ELEMENT CONTAINING MULTIPLE ACTIVE REGIONS, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019162442A1

    公开(公告)日：2019-08-29

    申请号：PCT/EP2019/054447

    申请日：2019-02-22

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： VAN TREECK, David ,  FERNÁNDEZ-GARRIDO, Sergio ,  LEWIS, Ryan

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/32

    Abstract: A semiconductor device (100), in particular being configured for optical, optoelectronic,electronic and/or (photo-)electrochemical applications, comprises a substrate (10) and at least one nano-or microstructure functional element (20) standing on the substrate (10) and having a core region (21) extending in an upward direction deviating from a substrate plane, wherein the at least one functional element (20) further includes multiple different active regions (22, 22A, 23, 23A, 24 and 24A) being located on different lateral sides of the core region (21) having surface normals being directed in different azimuthal directions but having a common polar angle with reference to the substrate plane, in particular in different directions parallel to the substrate plane, wherein the active regions (22, 22A, 23, 23A, 24 and 24A) have different optical, optoelectronic, electronic and/or or (photo-)electrochemical properties.Furthermore, a method of manufacturing the semiconductor device (100) is described..

    GATE-STRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    224.
    发明申请
    GATE-STRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019096528A1

    公开(公告)日：2019-05-23

    申请号：PCT/EP2018/078408

    申请日：2018-10-17

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： OSIPOV, Konstantin ,  WÜRFL, Hans-Joachim

    IPC: H01L29/778 ,  H01L23/29 ,  H01L29/20

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gate-Struktur sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Gate-Strukturierung eines Feldeffekttransistors (FET), wobei der Feldeffekttransistor bei gleicher aktiver Schicht als Verarmungstyp (englisch „depletion type" oder „D-type"), als Anreicherungstyp (englisch „enhancement type" oder „E-type") und/oder als rauscharmer Typ (englisch „low noise type" oder „LN-type") auf einer gemeinsamen Substratbasis in einem einheitlichen Verfahren aufgebaut werden kann. Die erfindungsgemäße Gate-Struktur umfasst ein Substrat; eine piezoelektrische aktive Schicht (112, 212), die auf dem Substrat (110, 210) angeordnet ist; eine Passivierungsschicht (120, 220), die auf der aktiven Schicht (112, 212) angeordnet ist, wobei die Passivierungsschicht (120, 220) eine Ausnehmung (122, 222) aufweist, die sich durch die gesamte Passivierungsschicht (120, 220) hindurch in Richtung der aktiven Schicht (112, 212) erstreckt; ein Kontaktelement (140, 240), das innerhalb der Ausnehmung (122, 222) angeordnet ist, wobei das Kontaktelement (140, 240) sich von der aktiven Schicht (112, 212) bis oberhalb der Passivierungsschicht (120, 220) erstreckt; und eine Deckschicht (150, 250), die das Kontaktelement (140, 240) oberhalb der Passivierungsschicht (120, 220) überdeckt; wobei mindestens eine oberhalb der aktiven Schicht angeordnete Schicht im Bereich um das Kontaktelement zug- oder druckverspannt mit einer Normalspannung |σ| > 200 MPa ausgebildet ist, wobei über die einzelnen Verspannungen im Bereich um das Kontaktelement eine resultierende Kraft an der Grenzfläche zwischen Passivierungsschicht und aktiver Schicht eingestellt ist, welche über den piezoelektrischen Effekt die Elektronendichte in der aktiven Schicht im Bereich unterhalb des Kontaktelements beeinflusst.

    TRIAZOLE DERIVATIVES AS TANKYRASE INHIBITORS
    225.
    发明申请
    TRIAZOLE DERIVATIVES AS TANKYRASE INHIBITORS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018118868A1

    公开(公告)日：2018-06-28

    申请号：PCT/US2017/067228

    申请日：2017-12-19

    Applicant: OSLO UNIVERSITY HOSPITAL HF ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  UNIVERSITY OF OULU

    Inventor： KRAUSS, Stefan ,  NAZARE, Marc ,  ANUMALA, Upendra Rao ,  LEHTIO, Lari ,  WAALER, Jo ,  HOLSWORTH, Dan ,  WEGERT, Anita ,  LEENDERS, Ruben Gerardus George

    IPC: C07D235/26 ,  C07D403/14 ,  C07D417/14 ,  A61P35/00 ,  A61K31/4196

    CPC classification number: C07D403/14 ,  A61P35/00 ,  C07D235/26 ,  C07D417/14

    Abstract: The present invention relates to compounds of formula (I'), tautomers, stereoisomers, and pharmaceutically acceptable salts thereof, to processes for their preparation, to pharmaceutical formulations containing such compounds and to their use in therapy (I') (wherein: Z represents an optionally substituted, 5- or 6-membered unsaturated heterocyclic group comprising at least one nitrogen atom; L represents a 4-, 5- or 6-membered cycloalkyl group, preferably a cyclobutyl group; each R1 independently represents F, CI, Br, I, C 1-3 alkyl, C1-3 haloalkyl (e.g. -CF 3 ), -CN, -OH or -NO2, preferably F, CI, Br or 1, e.g. CI or F; each R 2 independently represents F, CI, Br, I, C 1-3 alkyl, -CN, -OH or -NO 2 , preferably F, CI, Br, I or -CN, e.g. F or -CN; X represents -NR 3 - or -0-; R 3 represents H or a C 1-3 alkyl group (e.g. methyl); n is an integer from 0 to 5, preferably 0 to 3, more preferably 0, 1 or 2, e.g 1; and m is an integer from 0 to 5, preferably 0 to 3, more preferably 0, 1 or 2, e.g. 0 or 1). These compounds find particular use in the treatment and/or prevention of conditions or diseases which are affected by over-activation of signaling in the WNT pathway and increased presence of nuclear β-catenin. For example, these may be used in preventing and/or retarding proliferation of tumor cells and metastasis, for example carcinomas such as colon carcinomas.

    GATE-STRUKTUR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    226.
    发明申请
    GATE-STRUKTUR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018091699A1

    公开(公告)日：2018-05-24

    申请号：PCT/EP2017/079707

    申请日：2017-11-20

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： OSIPOV, Konstantin ,  LOSSY, Richard ,  WÜRFL, Hans-Joachim

    IPC: H01L29/423 ,  H01L21/285

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gate-Struktur sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung die Gate-Strukturierung eines Feldeffekttransistors mit reduzierter thermo-mechanischer Belastung und erhöhter Zuverlässigkeit (geringere Elektromigration oder Diffusion des Gate-Metalls). Die erfindungsgemäße Gate-Struktur umfasst ein Substrat (10); einer aktiven Schicht (20), die auf dem Substrat (10) angeordnet ist; einer Zwischenschicht (40), die auf der aktiven Schicht (20) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht (40) eine Ausnehmung (45) aufweist, die sich durch die gesamte Zwischenschicht (40) hindurch in Richtung der aktiven Schicht (20) erstreckt; und einem Kontaktelement (50), das innerhalb der Ausnehmung (45) angeordnet ist, wobei das Kontaktelement (50) die Ausnehmung (45) vollständig ausfüllt und sich bis oberhalb der Zwischenschicht (40) erstreckt, wobei das Kontaktelement (50) zumindest abschnittsweise direkt auf der Zwischenschicht (40) aufliegt; wobei das Kontaktelement (50) aus einem Schottky-Metall (52) aufgebaut ist und das Kontaktelement (50) im Inneren einen vollständig von dem Schottky-Metall (52) umschlossenen Hohlraum (55) aufweist.

Patent Agency Ranking