公开(公告)号：JP6069429B2

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：JP2015154967

申请日：2015-08-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 石橋 清隆 ,  森田 治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：JP2017004641A

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：JP2015114659

申请日：2015-06-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 池田 太郎 ,  小松 智仁

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32266

Abstract: 【課題】表面波モードを単モードにして安定したマイクロ波処理を行うことができ、かつ周方向に均一なプラズマを形成することができるマイクロ波プラズマ源を提供する。 【解決手段】マイクロ波プラズマ源は、マイクロ波出力部と、マイクロ波伝送部と、マイクロ波放射部材50とを有する。マイクロ波伝送部は、マイクロ波放射部材50の周縁部の上に円周方向に沿って複数設けられたマイクロ波導入機構を有し、マイクロ波放射部材50は、遅波材、全体が円周状になるように互いに分離して設けられた複数のスロット123と、マイクロ波透過部材122と、複数のスロット123とマイクロ波透過部材122との間に、複数のスロット123に対応して互いに分離して設けられ、スロット123からのマイクロ波電界により単一の磁場ループが形成されるように設けられた複数の誘電体層124とを有する。 【選択図】図4

Abstract translation: 可以进行表面波模式到单模式微波稳定，并提供了能够形成在圆周方向上均匀的等离子体的微波等离子体源。 的微波等离子体源具有微波输出，一个微波发射器和微波辐射构件50。 微波传输单元包括：沿着在微波辐射构件50中，微波辐射构件50，滞波件，整个圆周的外周部的圆周方向的多个提供微波导入机构 多个彼此分开设置，以便乔，一个微波透射部件122，所述多个狭槽123和微波透射部件122的狭槽之间的123一起对应于分开的多个狭槽123的 和它提供，以及多个作为单个磁场环提供介电层124是由一个微波电场从狭槽123形成的。 点域4

公开(公告)号：JP5819448B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：JP2014000464

申请日：2014-01-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 金子 和史 ,  橋本 侑之介 ,  石田 洋平

IPC: H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  G01R23/02 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H03L7/26

公开(公告)号：JPWO2013125260A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：JP2014500614

申请日：2013-01-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 和史 金子 ,  和史 金子 ,  一憲 舩▲崎▼ ,  一憲 舩▲崎▼ ,  秀生 加藤 ,  秀生 加藤

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32311 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3444 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01Q21/064 ,  H01Q21/20 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/4682

Abstract: プラズマ処理装置(11)は、その内部でプラズマによる処理を行う処理容器と、処理容器外に配置されて高周波を発生させるマイクロ波発生器(41)を含む。マイクロ波発生器(41)により発生させた高周波を用いて処理容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構とを備える。ここで、マイクロ波発生器(41)は、高周波を発振するマグネトロン(42)と、マグネトロン(42)が発振する基本周波数と同じ周波数であって異周波成分を減少させた信号をマグネトロン(42)に注入する注入手段としての分岐回路(61)を含む。

Abstract translation: 等离子体处理装置（11）包括用于通过在其中等离子体执行处理的处理容器，设置在所述处理容器微波发生器外面，用于产生高频（41）。 包括使用由微波发生器（41）和用于产生等离子体的等离子体产生机构所产生的高频的处理室。 在此，微波发生器（41）包括：用于振荡的高频（42），磁控管的磁控管（42），磁控管的信号减少了不同的频率分量具有相同的频率为基本频率振荡（42） 分支电路作为注射装置注入含（61）。

公开(公告)号：JPWO2013051248A1

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：JP2013537413

申请日：2012-10-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 石橋　清隆 ,  清隆 石橋 ,  森田　治 ,  治 森田

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H05H2001/463

Abstract: 【課題】プラズマ生成用の電磁波をチャンバ内に透過して導入する誘電体窓にガス流路を設ける場合に、そのガス流路の入口付近における異常放電を確実に防止する。【解決手段】このマイクロ波プラズマ処理装置は、チャンバ10内に処理ガスを導入するためのガス導入機構として、誘電体窓52を貫通する複数の誘電体窓ガス流路94(1)〜94(8)にそれぞれ設けられる放電防止部材96(1)〜96(8)を有している。各放電防止部材96(n)は、その入口側の部分114が誘電体窓52の裏面より上方に所定距離H以上の高さhだけ突出していて、スロット板54の開口54aを通ってガス分岐部90の分岐ガス流路92(n)の中に挿入されている。各放電防止部材96(n)の突出部114の周りを囲んでいるガス分岐部90、スプリングコイル116およびスロット板54は包囲導体118を構成している。【図面】図2

Abstract translation: 等离子体产生用字段电磁波WO室内部的两个发送的手引入到介电体窗口二次气体流路WO提供情况下，两个，在入口附近Niokeru异常放电的气体流路场を确保类似预防到。 的微波等离子体处理装置中，作为气体导入机构用于将处理气体引入腔室10中，多个电介质窗口气体通道94（1）贯通电介质窗52〜94的（ 分别设置的放电防止构件96（1）〜96（8）8）。 各放电防止构件96（n）的叶片，在入口侧安装部114蛾介电体窗52字段后面更超过两个预定距离H ERROR卢高为H岳伸出手有手，缝隙板54的安装开口54A WO通过手气体支 部90字段分支气体流路92（n）的卢介质煮插入手那里。 气体分支部90，其围绕排放防止部件96（n）的突出部114的外周时，弹簧线圈116和缝隙板54成形成一个围绕导体118。 [附图图2

公开(公告)号：JP2014189897A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：JP2013069710

申请日：2013-03-28

Applicant: Brother Ind Ltd ,  ブラザー工業株式会社 ,  Nagoya Univ ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： KANEDA HIDEKI ,  SHINODA KENTARO ,  TAKI KAZUYA ,  KAMISAKA HIROYUKI ,  TAKAOKA YASUYUKI

IPC: C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/26 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition apparatus capable of suppressing unnecessary consumption of energy by suppressing propagation of a surface wave to a wire, connected to a negative voltage application terminal member, etc.SOLUTION: A film deposition apparatus includes: a microwave supply part which supplies a microwave for generating plasma along a processing surface of a conductive material to be processed; a negative voltage application part which applies the material to be processed with a negative bias voltage for expanding a sheath layer along the processing surface of the material to be processed; a microwave supply opening which propagates the microwave supplied from the microwave supply part to the expanded sheath layer; a negative voltage application terminal member which is provided at a position opposite the microwave supply opening across at least a part of the material to be processed, which applies the material to be processed with a negative bias voltage applied by the negative voltage application part; and a surface wave control member which is provided projecting from an outer peripheral part of the negative voltage application terminal member to a sheath thickness direction of the sheath layer, and has a reflective power to the microwave propagated in the sheath layer.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够通过抑制表面波对连接到负电压施加端子构件等的导线的传播来抑制不必要的能量消耗的成膜装置。解决方案：一种成膜装置，包括：微波 供给部件，其沿着待处理的导电材料的处理表面供给用于产生等离子体的微波; 负电压施加部，其利用负偏压施加被处理材料，以沿着被处理材料的处理面扩展鞘层; 微波供给开口，其将从微波供给部供给的微波传播到扩展鞘层; 负电压施加端子构件，其设置在穿过所述待处理材料的至少一部分的与所述微波供应开口相对的位置，所述负电压施加端子构件以由所述负电压施加部施加的负偏压施加所述待处理材料; 以及表面波控制部件，其从所述负电压施加端子部件的外周部向所述护套层的护套厚度方向突出设置，并且对所述护套层中传播的微波具有反射功率。

公开(公告)号：JP2018073880A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2016208443

申请日：2016-10-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 小松 智仁 ,  尾▲崎▼ 成則 ,  藤野 豊 ,  中込 淳

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3244

Abstract: 【課題】処理ガスをガスの特性に応じた適切な解離状態で解離させることができ、かつ、プラズマ密度を維持しつつ、処理ガスの導入均一性及び所望のプラズマ均一性を両立させることができるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバと、ウェハを載置する載置台と、チャンバの天壁10aを介してチャンバ内にマイクロ波を導入し、チャンバ内に表面波プラズマを生成するプラズマ源と、天壁10aから第1のガスをチャンバ内に供給する第1のガスシャワー部21と、天壁10aと載置台との間から第2のガスをチャンバ内に導入する第2のガスシャワー部22と、を備え、第2のガスシャワー部22は、天壁10aから載置台の方向へ延出し、同一円周上に等間隔で配された複数のノズル110を有し、複数のノズル110はそれぞれ、隣接するノズル110に向けて第2のガスを吐出する。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2018010752A

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：JP2016137460

申请日：2016-07-12

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 吉川 潤 ,  松本 直樹 ,  金子 和史

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/244 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32935

Abstract: 【課題】プラズマ処理装置の可用性を向上させる。 【解決手段】マイクロ波調整方法は、マイクロ波発生部により出力されたマイクロ波に対してチューナにより調整された可動短絡板の位置を検出する検出ステップと、検出ステップにおいて検出された可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内であるか否かを判定する判定ステップと、判定ステップおいて可動短絡板の位置と基準位置との差分が許容範囲内でないと判定された場合には、導波管の内部空間に対するスタブの挿入長を調整する調整ステップと、を有する。 【選択図】図10

公开(公告)号：JP2017199507A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2016088185

申请日：2016-04-26

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 藤野 豊 ,  小松 智仁 ,  池田 太郎 ,  中込 淳 ,  和久津 岳生

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

Abstract: 【課題】処理ガスをガスの特性に応じた適切な解離状態で解離させることができ、かつ、処理ガスの導入均一性および所望のプラズマ均一性を両立させることができるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ1と、ウエハを載置する載置台11と、天壁10を介してチャンバ1内にマイクロ波を導入するプラズマ源2と、天壁10から第1のガスをチャンバ1内に導入する第1のガス導入部21と、天壁10と載置台11との間から第2のガスをチャンバ1内に導入する第2のガス導入部22とを具備する。第2のガス導入部22は、複数のガス吐出孔116が形成され、天壁10と載置台11との間の所定の高さ位置に位置するように設けられたリング状部材110と、天壁10とリング状部材110とを繋ぐ脚部111aとを有し、リング状部材110への第2のガスの供給は、脚部11aを介して行われる。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2017141490A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016022821

申请日：2016-02-09

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 佐藤 羊治 ,  佐藤 貴康 ,  橘 和孝 ,  中田 博道

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/26 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01J37/32853 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32486 ,  H01J2237/3321

Abstract: 【課題】反応炉内でのフレークの発生を抑制し、同反応炉内に設置されたワークへのフレークの付着を抑制することができるプラズマ化学気相成長装置を提供する。 【解決手段】プラズマ化学気相成長装置の反応炉内には、ワークの設置位置と同反応炉の内壁との間に付着抑制シート60が配設されている。この付着抑制シート60は、互いに異なる方向に延伸する第1の繊維束61と第2の繊維束62とを有する織物である。第1の繊維束61では、第2の繊維束62よりも表側に位置し、表に露出している表側部分611と、第2の繊維束62よりも裏側に位置し、表に露出していない裏側部分612とが第1の方向X1に交互に並ぶ。また、第2の繊維束62では、第1の繊維束61よりも表側に位置し、表に露出している表側部分621と、第1の繊維束61よりも裏側に位置し、表に露出していない裏側部分622とが第2の方向X2に交互に並ぶ。 【選択図】図3