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公开(公告)号：KR1020110054863A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090111657
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
IPC: H01B1/22 , H01B1/02 , H01L21/203
Abstract: PURPOSE: A transparent conductive film is provided to ensure stable specific resistivity and thermal stability by comprising titanium in indium tin oxide and tin oxide. CONSTITUTION: A transparent conductive film with excellent thermal stability comprises a mixture in which titanium is mixed with indium tin oxide and tin oxide. A method for preparing the transparent conductive film comprises the steps of: (S11) preparing raw material powders including an induim oxide powder or rare earth metal indium powder, tin oxide powder or metal tin powder, and titanium oxide powder or metal titanium powder as a main component; (S12) forming a transparent conductive film from the raw material powders using a sputtering apparatus; and (S13) heat-treating the formed transparent conductive film at a temperature of 300 °C or less.
Abstract translation: 目的：提供透明导电膜以通过在氧化铟锡和氧化锡中包含钛来确保稳定的电阻率和热稳定性。 构成：具有优异的热稳定性的透明导电膜包括其中钛与氧化铟锡和氧化锡混合的混合物。 制备透明导电膜的方法包括以下步骤：（S11）制备包含氧化铟粉末或稀土金属铟粉末，氧化锡粉末或金属锡粉末以及氧化钛粉末或金属钛粉末的原料粉末 主要成分; （S12）使用溅射装置从所述原料粉末形成透明导电膜; 和（S13）在300℃以下的温度对所形成的透明导电膜进行热处理。
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公开(公告)号：KR1020110026230A
公开(公告)日：2011-03-15
申请号：KR1020090084037
申请日：2009-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: F28D15/00 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A solid type heat dissipation device is provided to lightly fabricate a heatsink device in thin thickness and improve the heat conductivity in a horizontal direction by using a thin plate made of a graphite material. CONSTITUTION: A graphite thin plate(100) is made of a graphite material and has plural through-holes. Metallic fillers(103) are installed within the through-holes and contacts the graphite thin plate. Metallic thin plates(101,102) are attached to the upper and lower surfaces of the graphite thin plate to be connected to metallic fillers. The through-holes are extended in the long axis of the graphite thin plate. The metallic thin plates cover the entire surface of the graphite thin plate.
Abstract translation: 目的：提供一种固体散热装置，通过使用由石墨材料制成的薄板，轻薄地制造薄型散热装置并提高水平方向的导热性。 构成：石墨薄板（100）由石墨材料制成并具有多个通孔。 金属填料（103）安装在通孔内并接触石墨薄板。 金属薄板（101,102）连接到石墨薄板的上表面和下表面，以连接到金属填料。 通孔在石墨薄板的长轴上延伸。 金属薄板覆盖石墨薄板的整个表面。
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公开(公告)号：KR101007174B1
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：KR1020080109438
申请日：2008-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: F28D15/04 , F28D15/0233
Abstract: 본 발명은 기-액 상변화 냉각소자에 관한 것으로, 특히 두께의 제약없이 구현할 수 있는 박형 냉각소자에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 그루브 구조의 모세관 영역을 포함하며 외부로부터 주입된 작동유체를 기화시키기 위한 증발부 및 상기 기화된 작동유체를 응축시키기 위한 증기응축공간을 포함하는 응축부가 구비된 평판형 제1 박판과, 상기 기화된 작동유체를 상기 응축부로 이동시키기 위한 증기이동통로가 구비된 평판형 제2 박판과, 상기 응축부에서 응축된 작동유체를 상기 증발부로 이동시키기 위한 액체이동통로가 구비된 평판형 제3 박판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
박판, 증기이동통로, 모세관 그루브, 증발부, 응축부-
公开(公告)号：KR1020100107799A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090026068
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A transparent non-volatile memory thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to be perform under lower temperature by forming an auxiliary insulating film on a transparent semiconductor thin film and an organic ferroelectric thin film. CONSTITUTION: Source and drain electrodes(102) are formed on a transparent substrate(100). A transparent semiconductor thin film(104) is formed between the source and the drain electrodes. An organic ferroelectric thin film(108) is formed on the transparent semiconductor thin film. A gate electrode(116) is formed on the organic ferroelectric thin film. A first auxiliary insulating film(106) is formed on the transparent semiconductor thin film. A second auxiliary insulating film(110) is formed on the organic ferroelectric thin film.
Abstract translation: 目的：通过在透明半导体薄膜和有机铁电薄膜上形成辅助绝缘膜，提供透明非易失性存储器薄膜晶体管及其制造方法，以在较低温度下进行。 构成：源极和漏极（102）形成在透明衬底（100）上。 在源极和漏极之间形成透明半导体薄膜（104）。 在透明半导体薄膜上形成有机铁电薄膜（108）。 在有机铁电薄膜上形成栅电极（116）。 在透明半导体薄膜上形成第一辅助绝缘膜（106）。 在有机铁电薄膜上形成第二辅助绝缘膜（110）。
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公开(公告)号：KR100974884B1
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：KR1020080048419
申请日：2008-05-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 접촉 저항을 개선한 무인듐 투명 전도막을 포함한 다층 전자 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 다층 전자 소자는 기판, 기판상에 형성된 n개의 산화물층과 n-1개의 금속층이 교대로 적층되어 있는 투명 전도막, 및 상기 투명 전도막 상에 형성된 상부 기능층을 포함하며, 상기 상부 기능층과 접촉하는 상기 투명 전도막의 상부 산화물층은 접촉 저항이 감소되는 소정 형태로 패터닝된 접촉 부위를 갖는다. 이와 같이 인듐을 사용하지 않으면서 접촉저항이 낮은 저저항 투명 전도막을 형성할 수 있음에 따라 층간 접촉 저항이 커서 일어나는 전자 소자 특성의 저하를 방지할 수 있다.
투명 전도막, 무인듐, 패터닝-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100073066A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131650
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C01G15/00 , C01G9/00 , C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: PURPOSE: A sputtering target, a transparent touch film, and a manufacturing method thereof are provided to obtains a metal oxide composition capable of securing the crystallization of the transparent touch film under 150 deg C. CONSTITUTION: A sputtering target contains an oxide including zinc, indium, and tin. A transparent touch film comprises a substrate(100) and the oxide including the zinc, the indium, and the tin. The transparent touch film additionally includes a metallic oxide film(110) formed on the substrate. The metallic oxide film is formed by sputtering(200) zinc oxidate(ZnO) and indium tin oxide(ITO).
Abstract translation: 目的：提供一种溅射靶，透明触摸膜及其制造方法，以获得能够确保透明触摸膜在150℃下结晶的金属氧化物组合物。构成：溅射靶含有包含锌， 铟和锡。 透明触摸膜包括基底（100）和包括锌，铟和锡的氧化物。 透明触摸膜还包括形成在基板上的金属氧化物膜（110）。 金属氧化物膜通过溅射（200）氧化锌（ZnO）和氧化铟锡（ITO）形成。
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公开(公告)号：KR100961184B1
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：KR1020080081818
申请日：2008-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C04B35/10 , C04B35/453
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막의 스퍼터링 타겟용 조성물, 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟용 조성물은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 포함하고, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 주성분으로 하는 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계; 상기 분말을 소정 형태로 성형하는 단계; 및 상기 성형체를 소결하는 단계로부터 제조된다.
스퍼터링 타겟, 조성물, 산화물 반도체, 박막-
公开(公告)号：KR100961182B1
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：KR1020070132757
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 투명 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, p-type 채널을 갖는 투명 전자 소자를 제조하는 경우, 저온에서 결정성 박막 형성이 용이한 물질로 버퍼층을 형성한 후 그 상부에 구리 산화물 계열 또는 ZnO 계열의 물질로 채널층을 형성함으로써, 저온 공정만으로도 p-type 채널층의 막질을 향상시켜 뛰어난 안정성을 갖는 p-type 투명 전자 소자를 제조할 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, p-type 채널과 n-type 채널을 동시에 형성할 수 있으므로 제조 공정 및 제조 비용을 절감할 수 있으며, 하드 마스크층을 이용하여 한번의 패터닝에 의해 소스 및 드레인을 형성할 수 있으므로 CMOS로 구현이 가능하여 디스플레이 구동 소자의 설계 마진 및 성능을 크게 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
투명 전자 소자, TTFT, n-type, p-type, 채널, 버퍼층, 저온, 안정성-
公开(公告)号：KR100911376B1
公开(公告)日：2009-08-10
申请号：KR1020070113970
申请日：2007-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다.
이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다.
그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다.
증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자-
公开(公告)号：KR1020090065271A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132757
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78603 , H01L29/78618
Abstract: A transparent electronic device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a manufacturing process and a manufacturing cost by forming simultaneously a p-type channel and an n-type channel. A buffer layer(120) is formed on an upper surface of a substrate. The buffer layer is made of an oxide layer or a nitride layer in order to form easily a crystalline thin film. A source(150) and a drain(160) are formed on an upper part of the buffer layer. A channel layer is formed between the source and the drain. A hard mask layer(140) is formed on an upper part of the channel layer. A transparent electrode(170) is formed on an upper part of the source and the drain. A gate is formed at an upper part of the transparent electrode.
Abstract translation: 提供透明电子器件及其制造方法，以同时形成p型沟道和n型沟道来减少制造工艺和制造成本。 在衬底的上表面上形成缓冲层（120）。 缓冲层由氧化物层或氮化物层制成，以便容易地形成结晶薄膜。 源极（150）和漏极（160）形成在缓冲层的上部。 在源极和漏极之间形成沟道层。 在沟道层的上部形成有硬掩模层（140）。 在源极和漏极的上部形成透明电极（170）。 在透明电极的上部形成栅极。
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