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    RELEASE CHEMICAL PROTECTION FOR INTEGRATED COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) AND MICRO-ELECTRO-MECHANICAL (MEMS) DEVICES
    231.
    发明公开
    RELEASE CHEMICAL PROTECTION FOR INTEGRATED COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) AND MICRO-ELECTRO-MECHANICAL (MEMS) DEVICES 有权
    化学释放保护为一体的互补金属半导体（CMOS） - 和微机电（MEMS）器件

    公开(公告)号：EP2995586A1

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：EP15183869.5

    申请日：2015-09-04

    Applicant: InvenSense, Inc.

    Inventor： DANEMAN, Michael J. ,  ASSADERAGHI, Fariborz

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/0025 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0735

    Abstract: Systems and methods that protect CMOS layers from exposure to a release chemical are provided. The release chemical is utilized to release a micro-electromechanical (MEMS) device integrated with the CMOS wafer. Sidewalls of passivation openings created in a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) wafer expose a dielectric layer of the CMOS wafer that can be damaged on contact with the release chemical. In one aspect, to protect the CMOS wafer and prevent exposure of the dielectric layer, the sidewalls of the passivation openings can be covered with a metal barrier layer that is resistant to the release chemical. Additionally or optionally, an insulating barrier layer can be deposited on the surface of the CMOS wafer to protect a passivation layer from exposure to the release chemical.

    Abstract translation: 系统和方法做了保护层CMOS暴露于化学版本提供。 释放化学被用来释放与CMOS晶片集成微机电（MEMS）装置。 在互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片中创建钝化开口的侧壁暴露所述CMOS晶片的介电层也可以与所述化学释放接触而损坏。 在一个方面，以保护CMOS晶片和防止介电层的曝光，钝化开口的侧壁可覆盖有一金属阻挡层所做的是在化学释放具有抗性。 另外地或可选地，为了绝缘势垒层可以在CMOS晶片的表面上沉积保护钝化层免于暴露于化学释放。

    Procédé de fabrication d une pièce de micro-mécanique et la pièce fabriquée à l'aide de ce procédé
    232.
    发明公开
    Procédé de fabrication d une pièce de micro-mécanique et la pièce fabriquée à l'aide de ce procédé 审中-公开
    一种用于生产mikromechanichen部分和部分地由该方法生产的方法

    公开(公告)号：EP2840059A1

    公开(公告)日：2015-02-25

    申请号：EP14181691.8

    申请日：2014-08-20

    Applicant: Sigatec SA

    Inventor： Glassey, Marc-André ,  Clivaz, Johannes

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138

    Abstract: La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une pièce de micro-mécanique, notamment d'une pièce d'horlogerie mécanique, par gravure à partir d'un substrat, le procédé comprenant au moins une première étape effectuée par gravure ionique réactive profonde (DRIE) avec les paramètres ajustés afin de réaliser une gravure produisant les flancs essentiellement verticaux, ainsi qu'une deuxième étape effectuée par gravure ionique réactive profonde (DRIE) avec les paramètres ajustés afin de réaliser une gravure produisant les flancs inclinées sous un angle prédéterminé par rapport à la verticale, la première et la deuxième étape étant réalisées de manière continue, sans arrêt de gravure. En outre, la présente invention se rapporte également à une pièce de micro-mécanique, notamment une pièce d'horlogerie mécanique, fabriquée à l'aide de ce procédé, ayant un profil de flancs latéraux prédéterminé.

    Estimation of sidewall skew angles of a structure
    233.
    发明公开
    Estimation of sidewall skew angles of a structure 审中-公开
    的结构的侧壁的倾斜角度的估计

    公开(公告)号：EP2796833A3

    公开(公告)日：2014-11-05

    申请号：EP14164623.2

    申请日：2014-04-14

    Applicant: Freescale Semiconductor, Inc.

    Inventor： Geisberger, Aaron A. ,  Jia, Kemiao

    IPC: G01C19/56 ,  G01C19/5656 ,  G01C19/5663 ,  G01C25/00 ,  G01B5/24

    CPC classification number: G01P15/0888 ,  B81C99/004 ,  B81C2201/0132 ,  G01B5/24 ,  G01C19/5656 ,  G01C19/5663 ,  G01C25/005

    Abstract: An apparatus (36) includes a motion amplification structure (52), an actuator (54), and a sense electrode (50) in proximity to the structure (52). The actuator (54) induces an axial force (88) upon the structure (52), which causes a relatively large amount of in-plane motion (108) in one or more beams (58, 60) of the structure (52). When sidewalls (98) of the beams (58, 60) exhibit a skew angle (126), the in-plane motion (108) of the beams (58, 60) produces out-of-plane motion (110) of a paddle element (62) connected to the end of the beams (58, 60). The skew angle (126), which results from an etch process, defines a degree to which the sidewalls (98) of beams (58, 60) are offset or tilted from their design orientation. The out-of-plane motion (110) of element (62) is sensed at the electrode (50), and is utilized to determine an estimated skew angle (126).

    Method for producing a mems device including a vapour release step
    235.
    发明公开
    Method for producing a mems device including a vapour release step 审中-公开
    Verfahren zur Herstellung einer MEMS-Vorrichtung mit Dampffreisetzungsschritt

    公开(公告)号：EP2682363A1

    公开(公告)日：2014-01-08

    申请号：EP12175390.9

    申请日：2012-07-06

    Applicant: IMEC ,  NXP B.V.

    Inventor： Boccardi, Guillaume ,  Du Bois, Bert

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2201/053

    Abstract: The present invention is related to a method for producing a Micro-Electromechanical System (MEMS) device, comprising:
    - Depositing a sacrificial oxide layer on a substrate,
    - Depositing one or more structural layers on said sacrificial oxide layer and patterning said structural layers to form a structure,
    - Removing the sacrificial layer by vapour etching,
    to thereby release a portion of said structure,

    wherein the step of depositing a sacrificial oxide layer comprises depositing a first layer (7) of a first sacrificial oxide having a first density, and depositing on said first layer a second layer (8) of a second sacrificial oxide, the second layer having a higher density than the first layer. The method allows to protect a first structural layer deposited on and in contact with the second sacrificial oxide layer, said vapour etching step having low selectivity of said first structural layer towards said first sacrificial oxide layer. Said first structural layer may be a silicon nitride layer protecting the backplate of a MEMS microphone.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造微机电系统（MEMS）器件的方法，包括： - 在衬底上沉积牺牲氧化物层， - 在所述牺牲氧化物层上沉积一个或多个结构层，并将所述结构层图案化 形成结构， - 通过蒸汽蚀刻去除牺牲层，从而释放所述结构的一部分，其中沉积牺牲氧化物层的步骤包括沉积具有第一密度的第一牺牲氧化物的第一层（7），以及 在所述第一层上沉积第二牺牲氧化物的第二层（8），所述第二层具有比所述第一层更高的密度。 该方法允许保护沉积在第二牺牲氧化物层上并与第二牺牲氧化物层接触的第一结构层，所述蒸气蚀刻步骤具有所述第一结构层朝向所述第一牺牲氧化物层的低选择性。 所述第一结构层可以是保护MEMS麦克风的背板的氮化硅层。

    Method of bonding two substrates and device manufactured thereby
    238.
    发明公开
    Method of bonding two substrates and device manufactured thereby 审中-公开
    Verfahren zum Bonden zweier基督徒和死亡者Verfahren hergestellte Vorrichtung

    公开(公告)号：EP2608255A1

    公开(公告)日：2013-06-26

    申请号：EP11195720.5

    申请日：2011-12-23

    Applicant: Micronit Microfluidics B.V.

    Inventor： Van 't Oever, Ronny ,  Blom, Marko Theodoor ,  Haneveld, Jeroen ,  Oonk, Johannes ,  Olde Riekerink, Marinus Bernardus ,  Tijssen, Peter ,  Tigelaar, Hendrik Jan Hildebrand ,  Fehr, Jean-Noël ,  Roulet, Jean-Christophe ,  Gupta, Amitava

    IPC: H01L23/10 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50

    CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2201/058 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  C23F1/02 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/239 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to method for bonding at least two substrates, for example made from glass, silicon or ceramic, by using an intermediate thin film metal layer for providing the bonding, said method comprising the following steps of:
    a) providing said two substrates;
    b) depositing said thin film metal layer on at least a part of a surface of a first substrate of the two substrates;
    c) bringing a surface of the second substrate into contact with said thin film metal layer on said surface of the first substrate such that a bonding between the second substrate and the thin film metal layer on the first substrate is provided; and
    d) at least locally strengthening the bonding between the second substrate and the thin film metal layer on the first substrate.
    The invention also relates to a device comprising two substrates, for example made from glass, silicon or ceramic, and an intermediate thin film metal layer.

    Abstract translation: 本发明涉及通过使用用于提供粘合的中间薄膜金属层来将至少两个基板（例如由玻璃，硅或陶瓷制成）接合的方法，所述方法包括以下步骤：a）提供所述两个基板; b）在所述两个基板的第一基板的表面的至少一部分上沉积所述薄膜金属层; c）使所述第二基板的表面与所述第一基板的所述表面上的所述薄膜金属层接触，从而提供所述第一基板上的所述第二基板与所述薄膜金属层之间的接合; 以及d）至少局部加强第一基板上的第二基板和薄膜金属层之间的接合。 本发明还涉及包括例如由玻璃，硅或陶瓷制成的两个基底和中间薄膜金属层的器件。

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