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公开(公告)号：CN104764558A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510004118.6
申请日：2015-01-06
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C2201/014 , B81C2201/0198 , B81C2203/0728 , G01L7/08 , G01L9/0042 , G01L9/0044 , G01L9/0047 , G01L9/0054 , G01L9/0055
Abstract: 具有具凸起的膜片的压力传感器。一种具有膜片的压力传感器，膜片具有带有图案的凸起部。具有凸起部的膜片可被视为具凸起的膜片。具凸起的膜片可具有比具有与具凸起的膜片相同面积的平板膜片更高的灵敏度。具凸起的膜片可并入可在低压力下进一步改进膜片的压力响应的灵敏度和线性度的简单十字图案。凸起部和在膜片的周边周围的其腿的尖锐边缘和角的减少可减少高应力点并因而增加具凸起的膜片的破裂压力额定值。
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公开(公告)号：CN104697703A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410655567.2
申请日：2014-11-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G01L27/002 , B81B2201/0264 , B81C99/003 , G01L9/0073 , H01L41/08
Abstract: 本发明涉及具有内置校准能力的压力传感器。MEMS压力传感器(70)包括传感单元(80)、测试单元(82)和密封结构(84)。所述测试单元包括测试腔(104)，并且所述密封结构(84)与所述测试腔相通，其中所述密封结构被配置为破裂以将位于所述测试腔(104)内的初始腔压力(51)改变至环境压力(26)。校准方法(180)包含在破裂所述密封结构之前从所述测试单元获得(184)测试信号(186)，并且在所述密封结构破裂之后获得(194)另一个测试信号(196)。所述测试信号被用于计算所述测试单元的灵敏度(200)，所计算的灵敏度被用于估计所述传感单元的所述灵敏度(204)并且所述估计的灵敏度(204)可以被用于校准所述传感单元。
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公开(公告)号：CN104634501A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410616099.8
申请日：2014-11-05
Applicant: 盛思锐股份公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: G01L9/0073 , B23P19/04 , B81B7/0051 , B81B7/0054 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C2203/0792 , G01L9/12 , G01L19/0084 , G01L19/145 , G01L19/146 , Y10T29/49165 , Y10T29/49904
Abstract: 一种压力传感器，包括：第一基底(1)和附连到第一基底(1)的盖(4)。盖(4)包括处理电路(241)、腔室(41)以及可变形隔膜(42)，该隔膜隔离腔室(41)和通向压力传感器外界的开口。提供感应装置，其将可变形隔膜(42)对开口处的压力响应转换为信号，信号能够被处理电路(241)处理。盖(4)附连到第一基底(1)，可变形隔膜(42)面向第一基底(1)，且间隙(6)设置在可变形隔膜(42)和第一基底(1)之间，该间隙(6)有助于开口。第一基底(1)包括附连盖(4)的支承部分(7)、将压力传感器电连接到外部装置的接触部分(8)，以及用以从接触部分(8)中悬置出支承部分(7)的一个或多个悬置元件(9)。
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公开(公告)号：CN104634487A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510084563.8
申请日：2015-02-16
Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司
Inventor： 周文卿
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/008 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81B2207/99 , G01L9/0052 , G01L9/0073
Abstract: 一种MEMS压力传感器及其形成方法，形成方法包括：提供包括相对的第一表面和第二表面的第一衬底，包括至少一层导电层，导电层位于第一衬底的第一表面一侧；提供包括相对的第三表面和第四表面的第二衬底，包括第二基底和压敏电阻元件，第二衬底包括压力传感区，压敏电阻元件位于压力传感区内，压敏电阻元件位于第二衬底的第三表面一侧；将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定；在第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔；去除第二基底，形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面；自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层导电层表面的第一导电插塞。MEMS压力传感器的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。
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公开(公告)号：CN104555887A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410547282.7
申请日：2014-10-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B2201/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C1/00825 , B81C3/001 , B81C2203/032 , H04R19/005
Abstract: 一种微机电器件包括：衬底；键合至衬底并且并入微结构的半导体裸片；位于裸片和衬底之间的粘合膜层；以及位于裸片和膜粘合层之间的保护层。该保护层有开口，并且粘合膜层透过这些开口粘合至保护层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104508447A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380022007.7
申请日：2013-03-06
CPC classification number: B81B3/0021 , B32B38/08 , B81B7/0006 , B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00182 , B81C1/00341 , G01L7/08 , G01L9/0045 , G01L9/0052 , G01L9/0054 , G01L9/0055 , G01L9/006 , G01L9/008 , G01L9/04 , G01L9/06 , G01L19/0061 , G01L19/0069 , G01L19/0076 , G01L19/147 , G01L19/148 , H01L2224/45169 , Y10T29/49888 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器的制造方法，包括以下步骤：将支撑基片与上面已沉积应变仪的可变形膜相装配，其中所述可变形膜包括在其中央的变薄区，所述支撑基片设在所述可变形膜顶部，所述支撑基片包括上表面以及与所述可变形膜相接触的下表面，并且所述支撑基片还包括设在所述应变仪顶部的侧部凹陷和设在膜的所述变薄区顶部的中央凹陷，以得到微机械结构；并且，一旦获得了装配，就在一个单一步骤中，在所述支撑部的所述上表面上和所述支撑部的所述侧部凹陷中沉积至少一种导电材料，所述导电材料延伸到凹陷中，从而与所述应变仪相接触以形成与所述应变仪相接触的电触头。
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公开(公告)号：CN104422548A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310381786.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: G01L9/0073 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81C1/00134 , B81C1/00698
Abstract: 一种电容式压力传感器及其形成方法，所述电容式压力传感器包括：基底，所述基底中具有凹槽和位于凹槽底部的刻蚀孔，凹槽和刻蚀孔相互贯穿；位于凹槽侧壁上的环形的第一电极，所述第一电极包括分立的第一子电极和第二子电极；位于刻蚀孔的侧壁以及凹槽内的环形中空的第二电极，凹槽内的部分第二电极与第一电极之间具有第一空腔，第二电极的中空区域为第二空腔；封闭第二空腔顶端开口的第一密封层；封闭第二空腔底端开口的第二密封层。本发明的电容式压力传感器的占据的基底面积小，灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN103221795B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201180055029.4
申请日：2011-09-20
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00015 , B81C1/00158 , G01L9/0016 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , G01L19/04
Abstract: 除了其他方面以外，本申请还讨论了一种装置，该装置包括：硅晶片，其包括振动隔膜，所述晶片具有：与硅晶片底部相对的硅晶片顶部；顶部硅晶片端口，其从所述硅晶片顶部穿过所述硅晶片延伸至所述振动隔膜的顶部；以及底部硅晶片端口，其从所述硅晶片底部延伸至所述振动隔膜的底部，其中，所述底部硅晶片端口的横截面面积比所述顶部硅晶片端口的横截面面积大；电容器电极，其被设置为沿着所述硅晶片的底部横跨所述底部硅晶片端口被沉积，所述电容器电极包括与所述顶部硅晶片端口共同延伸的第一信号产生部分和围绕所述第一部分的第二信号产生部分。
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公开(公告)号：CN104303262A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201280038081.3
申请日：2012-06-29
Applicant: 因文森斯公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2201/0264 , B81B2201/047 , B81B2207/115 , B81C1/00238 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0792 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G02B26/0833 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在此披露了一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的MEMS设备的方法和系统。该方法包括将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个其中介电层被布置在这些操作晶片和设备晶片之间的MEMS衬底。该方法包括平版印刷地在该设备晶片上限定至少一个压铆螺母柱并将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底和该集成电路衬底之间形成一个密封腔。该方法包括在该操作晶片、压铆螺母柱或集成电路衬底中限定至少一个开口以使该设备晶片的一部分暴露在外部环境下。
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公开(公告)号：CN104291262A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410239450.6
申请日：2014-06-03
Applicant: 应美盛股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B7/0006 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C2203/035 , B81C2203/0785 , H01L41/0926 , H01L41/0973 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H04R7/08 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明涉及具有嵌入式声道的电容性感测结构。MEMS器件包括双膜、电极和互连结构。该双膜具有顶膜和底膜。底膜位于顶膜和电极之间，并且互连结构限定顶膜和底膜之间的间隔。
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